分析 根據(jù)豎直方向上連續(xù)相等時(shí)間內(nèi)的位移之差是一恒量求出相等的時(shí)間間隔,結(jié)合水平位移和時(shí)間間隔求出水平分速度.
根據(jù)豎直方向上某段時(shí)間內(nèi)的平均速度等于中間時(shí)刻的瞬時(shí)速度求出第2點(diǎn)的豎直分速度,結(jié)合平行四邊形定則求出第2點(diǎn)的速度.
根據(jù)第2點(diǎn)到?jīng)]被拍攝到點(diǎn)的水平位移和豎直位移求出沒有被拍攝到的小球位置的坐標(biāo).
解答 解:(2)在豎直方向上,根據(jù)△y=L=gT2得,$T=\sqrt{\frac{L}{g}}=\sqrt{\frac{2.5×1{0}^{-2}}{10}}s=0.05s$,可知頻閃照相機(jī)每隔0.05s拍攝一張照片.
(3)小球運(yùn)動(dòng)的水平分速度${v}_{x}=\frac{2L}{T}=\frac{2×2.5×1{0}^{-2}}{0.05}m/s$=1m/s.
(4)小球經(jīng)過第2點(diǎn)的豎直分速度${v}_{y2}=\frac{3L}{2T}=\frac{3×2.5×1{0}^{-2}}{0.1}m/s=0.75m/s$,根據(jù)平行四邊形定則知,小球經(jīng)過第2點(diǎn)的速度${v}_{2}=\sqrt{{{v}_{x}}^{2}+{{v}_{y2}}^{2}}$=$\sqrt{1+0.7{5}^{2}}m/s=1.25m/s$.
(1)第2點(diǎn)到?jīng)]被拍攝到的點(diǎn)的水平位移x1=v0t1=1×0.1m=0.1m=10cm,則沒有被拍攝到的小球位置的橫坐標(biāo)x=10+5cm=15cm,
第2點(diǎn)到?jīng)]被拍攝到的點(diǎn)的豎直位移${y}_{1}={v}_{y2}{t}_{1}+\frac{1}{2}g{{t}_{1}}^{2}$=$0.75×0.1+\frac{1}{2}×10×0.01m=0.125m=12.5cm$,則沒有被拍攝到的小球位置的縱坐標(biāo)y=12.5cm+2.5cm=15cm.
故答案為:(1)(15,15),(2)0.05,(3)1,(4)1.25.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道平拋運(yùn)動(dòng)在水平方向和豎直方向上的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,結(jié)合運(yùn)動(dòng)學(xué)公式和推論靈活求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電動(dòng)勢等于電兩極間的電壓 | |
B. | 電動(dòng)勢與電源的體積和外電路無關(guān) | |
C. | 電動(dòng)勢表征了電源把其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能的本領(lǐng),電源把其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能的本領(lǐng)越強(qiáng),則電動(dòng)勢就越大 | |
D. | 電動(dòng)勢、電壓和電勢差名稱不同,但物理意義相同,所以單位也相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 由E=$\frac{F}{q}$可知,靜電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度與電場力成正比 | |
B. | 由E=$\frac{U}zd3dztf$可知,勻強(qiáng)電場中兩點(diǎn)的距離越大,這兩點(diǎn)間的電勢差就越大 | |
C. | 由φ=BS可知,放在勻強(qiáng)磁場中的矩形線框面積越大,通過線框的磁通量就越大 | |
D. | 由E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$可知,真空中距離場源點(diǎn)電荷越遠(yuǎn),電場強(qiáng)度就越小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A球質(zhì)量大于B球質(zhì)量 | |
B. | 在tl時(shí)刻兩小球間距最小 | |
C. | 在0-t3時(shí)間內(nèi)B球所受排斥力方向始終與運(yùn)動(dòng)方向相同 | |
D. | 在0-t2時(shí)間內(nèi)兩小球間距逐漸增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場強(qiáng)度的定義式E=$\frac{F}{q}$適用于任何靜電場 | |
B. | 電場中某點(diǎn)電場強(qiáng)度的方向與在該點(diǎn)的檢驗(yàn)電荷所受電場力的方向相同 | |
C. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度定義式B=$\frac{F}{IL}$說明磁感應(yīng)強(qiáng)度與放入磁場中的通電導(dǎo)線所受安培力F成正比,與通電導(dǎo)線中的電流,和導(dǎo)線長度的乘積成反比 | |
D. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度定義式B=$\frac{F}{IL}$說明磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向與放入磁場中的通電直導(dǎo)線所受安培力的方向相同 |
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