【題目】如圖所示,縱坐標(biāo)表示兩個(gè)分子間引力、斥力的大小,橫坐標(biāo)表示兩個(gè)分子的距離,圖中兩條曲線分別表示兩分子間分子引力、斥力的大小隨分子間距離的變化關(guān)系,e為兩曲線的交點(diǎn),則下列說法正確的是( )
A. ab為斥力曲線,cd為引力曲線,e點(diǎn)橫坐標(biāo)的數(shù)量級(jí)為10-10m
B. ab為引力曲線,cd為斥力曲線,e點(diǎn)橫坐標(biāo)的數(shù)量級(jí)為10-10m
C. 若兩個(gè)分子間距離大于e點(diǎn)的橫坐標(biāo),則分子間作用力表現(xiàn)為斥力
D. 若兩個(gè)分子間距離越來越大,則分子勢(shì)能亦越大
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,電阻不計(jì)的正方形導(dǎo)線框abcd處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。線框繞中心軸OO'勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)e= 200。線框的輸出端與理想變壓器原線圈相連,副線圈連接著一只“20V、8W”的燈泡,且燈泡能正常發(fā)光,電路中熔斷器熔斷電流為0.4A,熔斷器與輸電導(dǎo)線的電阻忽略不計(jì)。下列判斷正確的是
A. t=0s時(shí)刻的線框中磁通量變化率為最小
B. 理想變壓器原、副線圈匝數(shù)之比為10:1
C. 若副線圈兩端并聯(lián)多只“20V、8W”的燈泡,則最多不能超過10只
D. 若線框轉(zhuǎn)速減半,產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)e=100cos(l00t)V
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,兩根足夠長(zhǎng)、電阻不計(jì)且相距L=0.2m的平行金屬導(dǎo)軌固定在傾角θ=37°的絕緣斜面上,頂端接有一盞額定電壓U=4V的小燈泡,兩導(dǎo)軌間有一磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=5T、方向垂直斜面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng).今將一根長(zhǎng)為L、質(zhì)量為m=0.2kg、電阻r=1.0Ω的金屬棒垂直于導(dǎo)軌放置在頂端附近無初速度釋放,金屬棒與導(dǎo)軌接觸良好,金屬棒與導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.25,已知金屬棒下滑到速度穩(wěn)定時(shí),小燈泡恰能正常發(fā)光,重力加速度g取10m/s2,sin37°=0.6,cos37°=0.8。
(1)金屬棒剛開始運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度大小為多少?
(2)金屬棒穩(wěn)定下滑時(shí)所受安培力為多少?
(3)金屬棒穩(wěn)定下滑時(shí)的速度大小為多少?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某同學(xué)設(shè)計(jì)了一個(gè)監(jiān)測(cè)河水電阻的實(shí)驗(yàn)。他在一根均勻的長(zhǎng)玻璃管兩端裝上兩個(gè)橡膠塞和鉑電極,如圖甲所示,其間充滿待測(cè)的河水。為了測(cè)量水柱的電阻。他選用了以下儀器:
量程為15V、內(nèi)阻約為300kΩ的電壓表,
量程為、內(nèi)阻約為50Ω的電流表,
最大阻值為1kΩ的滑動(dòng)變阻器,
電動(dòng)勢(shì)E=12V、內(nèi)阻r=6Ω的電池組、
開關(guān)各一個(gè)以及導(dǎo)線若干。
圖乙所示坐標(biāo)系中包括坐標(biāo)為(0,0)的點(diǎn)在內(nèi)的9個(gè)點(diǎn)表示他測(cè)得的9組電流I、電壓U的值。
根據(jù)以上材料完成下列問題:
利用乙圖圖象可得到水柱的電阻______保留兩位有效數(shù)字,
在丙圖中畫出測(cè)量電阻的電路圖______
圖丁所示的儀器部分已連線,請(qǐng)將其他部分連接成能測(cè)出圖丁中數(shù)據(jù)的實(shí)物連接圖。______
開關(guān)閉合前滑動(dòng)變阻器的滑片應(yīng)先滑至______端填:“A”或“B”。該實(shí)驗(yàn)存在著系統(tǒng)誤差,系統(tǒng)誤差的結(jié)果會(huì)造成測(cè)量值______真實(shí)值填:“大于”或“小于”。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,MN是由一個(gè)正點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場(chǎng)中的一條電場(chǎng)線,一個(gè)帶正電的粒子+q飛入電場(chǎng)后,在電場(chǎng)力的作用下沿一條曲線運(yùn)動(dòng),先后通過a、b兩點(diǎn),不計(jì)粒子的重力,則
A. 粒子在a點(diǎn)的加速度小于在b點(diǎn)的加速度
B. a點(diǎn)電勢(shì)φa小于b點(diǎn)電勢(shì)φb
C. 粒子在a點(diǎn)的動(dòng)能Eka小于在b點(diǎn)的動(dòng)能Ekb
D. 粒子在a點(diǎn)的電勢(shì)能Epa小于在b點(diǎn)的電勢(shì)能Epb
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】質(zhì)子療法進(jìn)行治療,該療法用一定能量的質(zhì)子束照射腫瘤殺死癌細(xì)胞,F(xiàn)用一直線加速器來加速質(zhì)子,使其從靜止開始被加速到1.0×107m/s。已知加速電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)為1.3×105N/C,質(zhì)子的質(zhì)量為1.67×10-27kg,電荷量為1.6×10-19C,則下列說法正確的是
A. 加速過程中質(zhì)子電勢(shì)能增加
B. 質(zhì)子所受到的電場(chǎng)力約為2×10-15N
C. 質(zhì)子加速需要的時(shí)間約為8×10-6s
D. 加速器加速的直線長(zhǎng)度約為4m
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=T.單匝矩形線圈面積S=1 m2,電阻不計(jì),繞垂直于磁場(chǎng)的軸OO′勻速轉(zhuǎn)動(dòng).線圈通過電刷與一理想變壓器原線圈相接,為交流電流表.調(diào)整副線圈的滑動(dòng)觸頭P,當(dāng)變壓器原、副線圈匝數(shù)比為1∶2時(shí),副線圈電路中標(biāo)有“36 V,36 W”的燈泡正常發(fā)光.以下判斷正確的是( )
A. 電流表的示數(shù)為1 A
B. 矩形線圈產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的最大值為18 V
C. 從矩形線圈轉(zhuǎn)到中性面開始計(jì)時(shí),矩形線圈電動(dòng)勢(shì)隨時(shí)間變化的規(guī)律為e=18sin 90πtV
D. 若矩形線圈轉(zhuǎn)速增大,為使燈泡仍能正常發(fā)光,應(yīng)將P適當(dāng)下移
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示,表面絕緣,傾角θ=30°的斜面固定在水平地面上,斜面的頂端固定有彈性擋板,擋板垂直于斜面,并與斜面底邊平行.斜面所在空間有一寬度D=0.40 m的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,其邊界與斜面底邊平行,磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,磁場(chǎng)上邊界到擋板的距離s=0.55 m.一個(gè)質(zhì)量m=0.10 kg,總電阻R=0.25 Ω的單匝矩形閉合金屬框abcd,放在斜面的底端,其中ab邊與斜面底邊重合,ab邊長(zhǎng)L=0.50 m.從t=0時(shí)刻開始,線框在垂直cd邊沿斜面向上且大小恒定的拉力作用下,從靜止開始運(yùn)動(dòng),當(dāng)線框的ab邊離開磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)撤去拉力,線框繼續(xù)向上運(yùn)動(dòng),并與擋板發(fā)生碰撞,碰撞過程的時(shí)間可忽略不計(jì),且沒有機(jī)械能損失.線框向上運(yùn)動(dòng)過程中速度與時(shí)間的關(guān)系如圖乙所示.已知線框在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中始終未脫離斜面,且保持ab邊與斜面底邊平行,線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=,重力加速度g取10 m/s2.
(1)求線框受到的拉力F的大;
(2)求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)已知線框向下運(yùn)動(dòng)通過磁場(chǎng)區(qū)域過程中的速度v隨位移x的變化規(guī)律滿足(式中v0為線框向下運(yùn)動(dòng)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小,x為線框ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)后對(duì)磁場(chǎng)上邊界的位移大小),求線框在斜面上運(yùn)動(dòng)的整個(gè)過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】四個(gè)點(diǎn)電荷位于正方形四個(gè)角上,電荷量及其附近的電場(chǎng)線分布如圖所示.ab、cd分別是正方形兩組對(duì)邊的中垂線,O為中垂線的交點(diǎn),P、Q分別為ab、cd上的兩點(diǎn),OP>OQ,則
A. P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比Q點(diǎn)的小
B. P點(diǎn)的電勢(shì)比M點(diǎn)的低
C. OP兩點(diǎn)間的電勢(shì)差小于OQ間的電勢(shì)差
D. 一帶正電的試探電荷在Q點(diǎn)的電勢(shì)能比在M點(diǎn)大
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