15.如圖所示,兩條平行導(dǎo)軌MN和PQ,其間距為L(zhǎng),左側(cè)為半徑為r的$\frac{1}{4}$光滑圓弧軌道,圓軌道最低點(diǎn)與右側(cè)水平直導(dǎo)軌相切,水平軌道右端接一個(gè)阻值為R的定值電阻.水平軌道左側(cè)區(qū)域有寬度為d、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向豎直的勻強(qiáng)磁場(chǎng).將一金屬桿從軌道最高處PM由靜止釋放,桿滑到磁場(chǎng)右邊界處恰好停止,已知導(dǎo)軌電阻不計(jì),桿質(zhì)量為m,接入電路的電阻為R,與水平導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ始終與導(dǎo)軌間垂直且接觸良好,重力加速度大小為g.關(guān)于桿運(yùn)動(dòng)的過(guò)程,下列說(shuō)法正確的是( 。
A.桿剛到達(dá)水平軌道時(shí)速度小于$\sqrt{2gr}$
B.桿在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為$\frac{2d}{\sqrt{2gr}}$
C.桿的最大加速度為$\frac{{B}^{2}{L}^{2}\sqrt{2gr}}{2mR}$-μg
D.定值電阻R產(chǎn)生的焦耳熱為$\frac{1}{2}$mg(r-μd)

分析 桿在圓軌道上下滑時(shí),由機(jī)械能守恒定律求出桿剛到達(dá)水平軌道時(shí)的速度.桿進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)做加速減小的減速運(yùn)動(dòng),由v-t圖象分析桿在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間.由牛頓第二定律和安培力公式求最大加速度,由能量守恒定律求R上產(chǎn)生的焦耳熱.

解答 解:A、桿在光滑圓弧軌道上下滑過(guò)程,由機(jī)械能守恒定律得:
mgr=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$
得:v=$\sqrt{2gr}$
則桿剛到達(dá)水平軌道時(shí)速度等于$\sqrt{2gr}$.故A錯(cuò)誤.
B、桿在磁場(chǎng)中做減速運(yùn)動(dòng),速度減小時(shí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和感應(yīng)電流減小,安培力減小,加速度減小,所以桿做加速度減小的變減速運(yùn)動(dòng),作出v-t圖象如圖,若桿做勻減速運(yùn)動(dòng),則勻減速運(yùn)動(dòng)的位移大于變減速運(yùn)動(dòng)的位移,勻減速運(yùn)動(dòng)的平均速度等于$\frac{v}{2}$,則知桿變減速運(yùn)動(dòng)的平均速度小于$\frac{v}{2}$,所以桿在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為 t=$\fracp3nr113{\overline{v}}$>$\fracpp353vn{\frac{v}{2}}$=$\frac{2d}{\sqrt{2gr}}$.故B錯(cuò)誤.
C、桿剛進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)速度最大,所受的安培力最大,加速度最大,則最大加速度為 am=$\frac{BIL+μmg}{m}$,I=$\frac{BLv}{2R}$,聯(lián)立得am=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}\sqrt{2gr}}{2mR}$+μg.故C錯(cuò)誤.
D、對(duì)整個(gè)過(guò)程,由能量守恒定律得,定值電阻R產(chǎn)生的焦耳熱為 Q=$\frac{1}{2}$(mgr-μmgd)=$\frac{1}{2}$mg(r-μd).故D正確.
故選:D

點(diǎn)評(píng) 本題綜合考查了機(jī)械能守恒定律、動(dòng)能定理、法拉第電磁感應(yīng)定律、閉合電路歐姆定律等,關(guān)鍵要能運(yùn)用圖象法分析桿變減速運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,綜合性較強(qiáng),對(duì)學(xué)生能力要求較高,需加強(qiáng)這方面的訓(xùn)練,提高解題能力.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(1)圖(b)中標(biāo)出的相鄰兩計(jì)數(shù)點(diǎn)的時(shí)間間隔T=0.1s
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