A. | 若v0>$\frac{E}{B}$,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0 | |
B. | 若v0>$\frac{E}{B}$,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0 | |
C. | 若v0<$\frac{E}{B}$,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0 | |
D. | 若v0<$\frac{E}{B}$,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0 |
分析 電子進(jìn)入電磁場(chǎng)中,受到洛倫茲力與電場(chǎng)力兩個(gè)力作用,由已知條件,分析兩個(gè)力的大小,由左手定則判斷出洛倫茲力方向,確定出電場(chǎng)力方向,即可確定電子的偏轉(zhuǎn)方向,根據(jù)電場(chǎng)力做功的正負(fù),分析速度的變化.
解答 解:AB、電子進(jìn)入電磁場(chǎng)中,受到洛倫茲力與電場(chǎng)力兩個(gè)力作用,由左手定則判斷可知,洛倫茲力方向向下,而電場(chǎng)力方向向上.若v0>$\frac{E}{B}$,則qv0B>qE,即洛倫茲力大于電場(chǎng)力,電子向下偏轉(zhuǎn),沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),洛倫茲力不做功,而電場(chǎng)力對(duì)電子負(fù)功,動(dòng)能減小,速度減小,故速度v<v0.故AB錯(cuò)誤.
CD、若v0<$\frac{E}{B}$,則qv0B<qE,即洛倫茲力小于電場(chǎng)力,電子向上偏轉(zhuǎn),沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),洛倫茲力不做功,而電場(chǎng)力對(duì)電子正功,動(dòng)能增加,速度增大,故速度v>v0.故C正確,D錯(cuò)誤.
故選:C
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵分析洛倫茲力的方向,運(yùn)用動(dòng)能定理時(shí),要抓住洛倫茲力不做功的特點(diǎn),分析速度的大。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 單晶體有固定的熔點(diǎn),多晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn) | |
B. | 液晶具有液體的流動(dòng)性,同時(shí)具有晶體的各向異性持征 | |
C. | 單晶體中原子(或分子、離子)的排列具有空間周期性 | |
D. | 通常金屬在各個(gè)方向的物理性質(zhì)都相同,所以金屬是非晶體 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 7N,方向豎直向上 | B. | 8N,方向豎直向下 | ||
C. | 15N,方向豎直向上 | D. | 15N,方向豎直向下 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 該列波的頻率為0.2Hz | |
B. | 該列波的波長(zhǎng)為20m | |
C. | 該列波的波速為10m/s | |
D. | 當(dāng)B點(diǎn)離開(kāi)平衡位置的位移為6cm時(shí),A點(diǎn)離開(kāi)平衡位置的位移也是6cm | |
E. | 波經(jīng)過(guò)4.5s從波源S傳到A點(diǎn) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 帶電粒子所帶電性 | |
B. | 帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的受力方向 | |
C. | 帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的速度何處較大 | |
D. | 帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)何處較高 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | v,2v | B. | 0,2v | C. | 0,v | D. | 0.5v,1.5v |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 0.25 m/s 向右 | B. | 0.25 m/s 向左 | C. | 1 m/s 向右 | D. | 1 m/s向左 |
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