分析 (1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)可以求出距離.
(2)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),在電場(chǎng)中做勻變速直線運(yùn)動(dòng),作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用牛頓第二定律與幾何知識(shí)可以解題.
解答 解:(1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),沿SM進(jìn)入電場(chǎng)的粒子,
在豎直方向:d=v0t,在水平方向:x=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{1}{2}$$\frac{qE}{m}$t2,
解得,粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離:x=$\frac{qEresazvb^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$;
(2)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,
由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{r}$,解得,粒子的軌道半徑:r=d,
設(shè)某一粒子的速度方向與SM的夾角為α,其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,
粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑與磁場(chǎng)半徑相等,則SOPO′是菱形,
則:SO∥O′P,粒子離開(kāi)磁場(chǎng)后垂直進(jìn)入電場(chǎng),
粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置與MN的距離:
x′=x+d+dcos(180°-α)=$\frac{mE}{2q{B}^{2}}$+d-dcosα;
答:(1)從S點(diǎn)射出沿SM直接進(jìn)入電場(chǎng)的粒子,離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離是:$\frac{qEozimghm^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$.
(2)粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離與α角的關(guān)系是:x′=$\frac{mE}{2q{B}^{2}}$+d-dcosα.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了粒子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),分析清楚粒子的運(yùn)動(dòng)過(guò)程、作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡是解題的關(guān)鍵,應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律與牛頓第二定律可以解題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 圖甲、乙均表示交流電 | |
B. | 兩種電壓的峰值都是311V | |
C. | 圖甲所示電壓的瞬時(shí)值表達(dá)式為u=220sin100πt(V) | |
D. | 兩種電壓分別給兩個(gè)相同的電阻供電相同的時(shí)間,兩電阻產(chǎn)生的熱量相等 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 速度增大,加速度增大 | B. | 速度增大,加速度減小 | ||
C. | 速度減小,加速度減小 | D. | 速度減小,加速度增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | E=3V,r=1Ω | B. | 電源的內(nèi)阻消耗的功率P=4W | ||
C. | 外電路消耗的功率為P=4W | D. | 該電源的效率η=80% |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 導(dǎo)體的長(zhǎng)度越長(zhǎng),導(dǎo)體的電阻率越小 | |
B. | 導(dǎo)體的電阻越大,導(dǎo)體的電阻率越大 | |
C. | 導(dǎo)體的橫截面積越大,導(dǎo)體的電阻率越大 | |
D. | 導(dǎo)體的電阻率由導(dǎo)體的材料決定 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 光的亮度變?nèi)?/td> | B. | 路端電壓變大 | ||
C. | R2的功率變小 | D. | 電流表的示數(shù)變大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 子彈自由飛行過(guò)程中,在相等時(shí)間內(nèi)速度變化量不相等 | |
B. | 子彈自由飛行過(guò)程中,子彈的動(dòng)能隨高度的變化是均勻的 | |
C. | 要使子彈在蘋果落地前擊中蘋果必須滿足S2g≤2hv${\;}_{0}^{2}$ | |
D. | 子彈一定能擊中蘋果 |
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