1.如圖所示,線段MN與NS長(zhǎng)度相等且均為d,MN右側(cè)且只在MN之間有垂直M向右的范圍足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E.NS右側(cè)有一個(gè)圓形磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,該磁場(chǎng)區(qū)域分別與NS和電場(chǎng)邊界NN′相切于S點(diǎn)和P點(diǎn),SK為其一條直徑,在S點(diǎn)向NS右側(cè)平行紙面各個(gè)方向發(fā)射質(zhì)量為m,電荷量為q的帶正電的粒子(不計(jì)重力),粒子的速度均為v0.求:
(1)從S點(diǎn)射出沿SM直接進(jìn)入電場(chǎng)的粒子,離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離.
(2)若從S點(diǎn)射出的粒子與SM(S指向M)的夾角為α(0<α<180°),且這些粒子速度都滿足v0=$\frac{qdB}{m}$,試討論這些粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離與α角的關(guān)系.

分析 (1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)可以求出距離.
(2)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),在電場(chǎng)中做勻變速直線運(yùn)動(dòng),作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用牛頓第二定律與幾何知識(shí)可以解題.

解答 解:(1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),沿SM進(jìn)入電場(chǎng)的粒子,
在豎直方向:d=v0t,在水平方向:x=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{1}{2}$$\frac{qE}{m}$t2
解得,粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離:x=$\frac{qEresazvb^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$;
(2)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,
由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{r}$,解得,粒子的軌道半徑:r=d,
設(shè)某一粒子的速度方向與SM的夾角為α,其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,
粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑與磁場(chǎng)半徑相等,則SOPO′是菱形,
則:SO∥O′P,粒子離開(kāi)磁場(chǎng)后垂直進(jìn)入電場(chǎng),
粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置與MN的距離:
x′=x+d+dcos(180°-α)=$\frac{mE}{2q{B}^{2}}$+d-dcosα;
答:(1)從S點(diǎn)射出沿SM直接進(jìn)入電場(chǎng)的粒子,離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離是:$\frac{qEozimghm^{2}}{2m{v}_{0}^{2}}$.
(2)粒子離開(kāi)電場(chǎng)的位置到MN的距離與α角的關(guān)系是:x′=$\frac{mE}{2q{B}^{2}}$+d-dcosα.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了粒子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),分析清楚粒子的運(yùn)動(dòng)過(guò)程、作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡是解題的關(guān)鍵,應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律與牛頓第二定律可以解題.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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16.圖甲、圖乙分別表示兩種電壓的波形,其中圖甲所示電壓按正弦規(guī)律變化,下列說(shuō)法正確的是( 。
A.圖甲、乙均表示交流電
B.兩種電壓的峰值都是311V
C.圖甲所示電壓的瞬時(shí)值表達(dá)式為u=220sin100πt(V)
D.兩種電壓分別給兩個(gè)相同的電阻供電相同的時(shí)間,兩電阻產(chǎn)生的熱量相等

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A.速度增大,加速度增大B.速度增大,加速度減小
C.速度減小,加速度減小D.速度減小,加速度增大

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16.如圖所示,A、B圖線分別為電源E與某一定值電阻R的伏安特性曲線,如果將電阻R與電源E直接連接在一起,電源的電動(dòng)勢(shì)用E表示,內(nèi)阻用r表示.則下列正確的是( 。
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6.根據(jù)電阻率的計(jì)算公式ρ=$\frac{s}{L}$R,對(duì)于金屬材料的導(dǎo)體,有( 。
A.導(dǎo)體的長(zhǎng)度越長(zhǎng),導(dǎo)體的電阻率越小
B.導(dǎo)體的電阻越大,導(dǎo)體的電阻率越大
C.導(dǎo)體的橫截面積越大,導(dǎo)體的電阻率越大
D.導(dǎo)體的電阻率由導(dǎo)體的材料決定

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13.在如圖所示的電路中,電源的內(nèi)阻不可忽略,已知R2為定值電阻,R1為光敏電阻(光照射的亮度變強(qiáng)時(shí),阻值變小;光照射的亮度變?nèi)鯐r(shí),阻值變大).當(dāng)發(fā)現(xiàn)燈泡L的亮度變暗時(shí),則有( 。
A.光的亮度變?nèi)?/td>B.路端電壓變大
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B.子彈自由飛行過(guò)程中,子彈的動(dòng)能隨高度的變化是均勻的
C.要使子彈在蘋果落地前擊中蘋果必須滿足S2g≤2hv${\;}_{0}^{2}$
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11.如圖所示的實(shí)驗(yàn)示意圖中,用于探究“磁生電”的是( 。
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