A. | A點場強小于B點場強 | B. | A點場強方向指向x軸負方向 | ||
C. | A點場強大于B點場強 | D. | A點電勢高于B點電勢 |
分析 電場線與等勢面垂直.電場線密的地方電場的強度大,等勢面密,電場線疏的地方電場的強度小,等勢面疏;沿電場線的方向,電勢降低.沿著等勢面移動點電荷,電場力不做功.電場線與等勢面垂直.
解答 解:A、C、等差等勢面的疏密程度表示電場強度的大小,由于0.4V與0.1V兩個等勢面間電勢差大于0.6V與0.4V兩個等勢面間電勢差,U=$\overline{E}•d$,B點電場強度較大,故A正確,C錯誤;
B、電場線與等勢面垂直,并且由電勢高的等勢面指向電勢低的等勢面,故A點場強方向指向x軸正方向,故B錯誤;
D、電場線與等勢面垂直,并且由電勢高的等勢面指向電勢低的等勢面,故電場線沿著x軸正方向;沿著電場線電勢逐漸降低,故A點電勢高于B點電勢;故D正確;
故選:AD.
點評 加強基礎(chǔ)知識的學(xué)習(xí),掌握住電場線和等勢面的特點,及沿著電場線方向電勢降低,即可解決本題.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場強度的方向一定由a指向b | B. | 電場強度的方向一定由b指向a | ||
C. | 電子的電勢能減少了5eV | D. | a、b兩點電勢差Uab=5V |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 半衰期越短,衰變越慢 | |
B. | 核聚變和核裂變過程都有質(zhì)量虧損 | |
C. | ${\;}_{90}^{234}$Th經(jīng)過一次α衰變后變成${\;}_{91}^{234}$Pb | |
D. | 原子核的半衰期與環(huán)境的溫度、壓強無關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)兩分子間距為r1在10-10m時,由于分子引力和斥力都為零,故分子力為零 | |
B. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時,分子引力在增大 | |
C. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時,分子力在增大 | |
D. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時,分子斥力在減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 圖中磁鐵N極接近A環(huán)時,A環(huán)的磁通量增加,A環(huán)被排斥 | |
B. | 圖中磁鐵s極遠離A環(huán)時,A環(huán)的磁通量減少,A環(huán)被排斥 | |
C. | 圖中磁鐵N極接近B環(huán)時,B環(huán)的磁通量增加,B環(huán)被吸引 | |
D. | 圖中磁鐵s極遠離B環(huán)時,B環(huán)的磁通量減少,B環(huán)被吸引 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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