分析 (1)麻包從底端運(yùn)送到B點(diǎn)可能需要經(jīng)過勻加速和勻速兩個(gè)過程,先根據(jù)牛頓第二定律求出加速度,然后根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出達(dá)到傳送帶速度的時(shí)間以及位移,最后求出勻速運(yùn)動(dòng)到平臺(tái)的時(shí)間即可.
(2)電動(dòng)機(jī)多做的功等于麻包增加的機(jī)械能與系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量之和.
解答 解:A、麻包開始受到向上的滑動(dòng)摩擦力作用,做勻加速運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律得:
a=$\frac{μmgcos30°-mgsin30°}{m}$=g(μcos30°-sin30°)=10×($\frac{\sqrt{3}}{2}$×$\frac{\sqrt{3}}{2}$-$\frac{1}{2}$)m/s2=2.5m/s2.
物體做勻加速運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為:t1=$\frac{v}{a}$=$\frac{2}{2.5}$s=0.8s
位移為 x=$\frac{v}{2}{t}_{1}$=$\frac{2}{2}$×0.8m=0.8m<10m
所以共速后麻包做勻速運(yùn)動(dòng),所用時(shí)間 t2=$\frac{L-x}{v}$=$\frac{10-0.8}{2}$=4.6s
故將麻包運(yùn)送到傳送帶的頂端所需時(shí)間 t=t1+t2=5.4 s
(2)傳送帶與麻包的相對位移大小△x=vt1-x=2×0.8-0.8m=0.8m
傳送帶每傳送一個(gè)麻包,電動(dòng)機(jī)應(yīng)多做的功 W=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$+mgLsin30°+μmgcos30°•△x=$\frac{1}{2}$×40×22+40×10×10×0.5+$\frac{\sqrt{3}}{2}$×40×10×$\frac{\sqrt{3}}{2}$×0.8=3040J.
答:
(1)將麻包運(yùn)送到傳送帶的頂端所需時(shí)間是5.4s.
(2)傳送帶每傳送一個(gè)麻包,電動(dòng)機(jī)應(yīng)多做功是3040J.
點(diǎn)評 求解有關(guān)傳送帶問題的思路是:先根據(jù)牛頓第二定律求出物體達(dá)到傳送帶速度的時(shí)間和位移,然后再分析此后物體的運(yùn)動(dòng)情況,從而求出總時(shí)間.要注意摩擦產(chǎn)生的熱量要根據(jù)相對位移求.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | “油膜法“估測分子大小實(shí)驗(yàn)中,可將純油酸直接滴入淺盤的水面上 | |
B. | 彩色液晶顯示器利用了液晶的光學(xué)性質(zhì)具有各向異性的特點(diǎn) | |
C. | 氣體被壓縮時(shí)有時(shí)需要用較大的力,這是因?yàn)闅怏w被壓縮時(shí)其分子間的分子力表現(xiàn)為斥力 | |
D. | 外界對物體做功,物體的內(nèi)能可能減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 重力、支持力、靜摩擦力均增大 | |
B. | 重力不變,支持力增大,靜摩擦力減小 | |
C. | 重力不變,支持力、靜摩擦力增大 | |
D. | 以上說法都不對 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B與A剛分離時(shí),彈簧為原長 | |
B. | B與A剛分離時(shí),A的速度達(dá)到最大 | |
C. | 彈簧的勁度系數(shù)等于$\frac{3mg}{2h}$ | |
D. | 從開始運(yùn)動(dòng)到B與A剛分離的過程中,B物體的動(dòng)能先增大后減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 只有0<t<2s內(nèi)加速度與速度方向相同 | |
B. | 0-2s內(nèi)物體的加速度為1.5m/s2 | |
C. | 4-6s內(nèi)物體的速度一直在減小 | |
D. | 0<t<2s和5s<t<6s內(nèi)加速度的方向相反 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 公式E=$\frac{F}{q}$只適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場 | |
B. | 由公式E=$\frac{F}{q}$ 可知,電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度E與試探電荷q在電場中該點(diǎn)所受的電場力成正比 | |
C. | 在公式F=k$\frac{{Q}_{1}{Q}_{2}}{{r}^{2}}$ 中,k$\frac{{Q}_{2}}{{r}^{2}}$ 是點(diǎn)電荷Q2 產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q1處的場強(qiáng)大小;而k$\frac{{Q}_{1}}{{r}^{2}}$ 是點(diǎn)電荷Q 1 產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q2處場強(qiáng)的大小 | |
D. | 由公式E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$ 可知,在離點(diǎn)電荷非常近的地方(r→0),電場強(qiáng)度E可達(dá)無窮大 |
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