A. | 環(huán)境溫度降低,RM的阻值減小 | |
B. | 環(huán)境溫度升高,Uab變大 | |
C. | 滑片P向下移動時,Uab變大 | |
D. | 調節(jié)滑片P能改變升溫和降溫設備啟動時的臨界溫度 |
分析 RM是半導體熱敏電阻,其阻值隨溫度的降低而增大,溫度升高而減小,根據串聯(lián)電路中電壓與電阻成正比,分析Uab變化.
解答 解:A、RM是半導體熱敏電阻,環(huán)境溫度降低時,RM的阻值增大,故A錯誤.
B、環(huán)境溫度升高時,RM的阻值減小,根據串聯(lián)電路中電壓與電阻成正比,可知Uab變小,故B錯誤.
C、滑片P向下移動時,R增大,總電流減小,則Uab變小,故C錯誤.
D、調節(jié)滑片P時,可改變Uab,從而改變升溫和降溫設備啟動時的臨界溫度,故D正確.
故選:D.
點評 本題是電路的動態(tài)變化分析問題,關鍵要掌握串聯(lián)電路中電壓與電阻成正比的規(guī)律,并能用來分析實際問題.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向左 | B. | 向右 | C. | 向上 | D. | 向下 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向右 | B. | 向左 | C. | 垂直紙面向里 | D. | 垂直紙面向外 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 該交流電的頻率為100Hz | |
B. | 該交流電電動勢的有效值為311V | |
C. | t=0.01s時,穿過線框的磁通量為零 | |
D. | t=0.01s時,穿過線框的磁通量的變化率為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 帶電粒子在磁場中運動的半徑 | B. | 帶電粒子的電荷量 | ||
C. | 帶電粒子在磁場中運動的時間 | D. | 帶電粒子的質量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 乙分子從a到b做加速運動,由b到c做減速運動 | |
B. | 乙分子從a到c做加速運動,經過c點時速度最大 | |
C. | 乙分子由a到c的過程中,兩分子的勢能一直減少 | |
D. | 乙分子由a到d的過程中,兩分子的勢能一直減少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 它仍然是交變電流 | |
B. | 它的有效值是對應它的正弦交變電流的一半 | |
C. | 它的有效值是對應它的正弦交變電流有效值的$\frac{\sqrt{2}}{2}$倍 | |
D. | 讓它通過自感線圈仍能產生自感電動勢,只是其峰值減小一半 |
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