8．納米技術(shù)是跨世紀的新技術(shù)，將激光束的寬度集中到納米范圍內(nèi)，可修復人體已損壞的器官，對DNA分子進行超微型基因修復，把諸如癌癥等徹底根除．在上述技術(shù)中，人們主要利用了激光的（　　）

A．

單色性

B．

單向性

C．

亮度高

D．

粒子性

7．國家836計劃中的一個重點項目中所研究的X光激光（頻率范圍很窄的高強度X射線）有著廣泛的應用前景，用X光激光給細胞“照相”，以下激光的哪些特點屬于次要因素（　�。�

A．

殺菌作用

B．

化學作用

C．

波長短

D．

能量高

6．如圖所示，長為L、傾角為θ的光滑斜面處于水平向右的勻強電場中．一電荷量為+q、質(zhì)量為m的小球，以初速度v₀由斜面底端的M點沿斜面向上滑，到達斜面底端N的速度仍為v₀，則（　�。�

	A．	小球在N點的電勢能小于在M點的電勢能
	B．	M、N兩點的電勢差為$\frac{mgL}{q}$
	C．	電場強度等于$\frac{mgtanθ}{q}$
	D．	小球不一定是做勻速直線運動

5．如圖（甲）所示為電視機中顯像管的原理示意圖，電子槍中的燈絲加熱陰極而逸出電子，這些電子再經(jīng)加速電場加速后，從O點進入偏轉(zhuǎn)磁場中，經(jīng)過偏轉(zhuǎn)磁場后打到熒光屏MN上，使熒光屏發(fā)出熒光形成圖象，不計逸出電子的初速度和重力．已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e，加速電場的電壓為U．偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場場分布在邊長為l的正方形abcd區(qū)域內(nèi)，磁場方向垂直紙面，且磁感應強度隨時間的變化規(guī)律如圖乙所示．在每個周期內(nèi)磁感應強度都是從-B₀均勻變化到B₀．磁場區(qū)域的左邊界的中點與O點重合，ab邊與OO′平行，右邊 界bc與熒光屏之間的距離為s．由于磁場區(qū)域較小，且電子運動的速度很大，所以在每個電子通過磁場區(qū)域的過程中，可認為磁感應強度不變，即為勻強磁場，不計電子之間的相互作用．

（1）求電子射出電場時的速度大小．
（2）為使所有的電子都能從磁場的bc邊射出，求偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生磁場的磁感應強度的最大值．
（3）熒光屏上亮線的最大長度是多少？

4．K^-介子衰變的方程為K^-→π^-+π⁰，其中K^-介子和π^-介子帶負的元電荷e，π⁰介子不帶電．如圖所示，兩勻強磁場方向相同，以虛線MN為理想邊界，磁感應強度分別為B₁、B₂．今有一個K^-介子沿垂直于磁場的方向射入勻強磁場B₁中，其軌跡為圓弧AP，P在MN上，K^-在P點時的速度為v，方向與MN垂直．在P點該介子發(fā)生了上述衰變．衰變后產(chǎn)生的π^-介子沿v反方向射出，其運動軌跡為如圖虛線所示的“心”形圖線．則以下說法正確的是（　　）

	A．	π-介子的運行軌跡為PENCMDP
	B．	π-介子運行一周回到P用時為$T=\frac{2πm}{{{B_2}e}}$
	C．	B1=4B2
	D．	π0介子作勻速直線運動

3．下列說法中，正確的是（　　）

	A．	同一等勢面上的各點電勢相等，電場強度也相等
	B．	電場中的兩條電場線一定不會相交，但兩個電勢不等的等勢面有可能相交
	C．	在同一等勢面上移動電荷，電場力一定不做功
	D．	離孤立帶電導體越近的等勢面，其形狀越與導體表面相似；離孤立帶電導體越遠的等勢面，其形狀越接近于球面

2．如圖所示，電源的電動勢和內(nèi)阻都保持一定，在外電路的電阻逐漸減小的過程中，有（　�。�

	A．	電源的路端電壓一定逐漸變小		B．	電源的輸出功率一定逐漸變小
	C．	電源內(nèi)部消耗的功率一定逐漸變大		D．	電源供電效率可能變大

1．下列說法中正確的是（　　）

	A．	實際的自由振動必然是阻尼振動
	B．	在外力作用下的振動是受迫振動
	C．	阻尼振動的振幅越來越小
	D．	受迫振動穩(wěn)定后的頻率與自身物理條件無關(guān)

20．一個200匝、面積為20cm² 的圓線圈，放在勻強磁場中，磁場方向與線圈平面成30°角，磁感應強度在0.05s內(nèi)由0.1T增加到0.5T，則初狀態(tài)穿過線圈的磁通量是10^-4Wb，在0.05s內(nèi)穿過線圈的磁通量的變化量是4×10^-4wb，線圈中平均感應電動勢的大小是1.6V．

19．將一點電荷由電場中的A點移到B點電場力對點電荷做的功為零，則對A、B兩點的電勢差U的大小的判斷中正確是（　�。�

A．

U＜0

B．

U＞0

C．

U=0

D．

無法判斷