5．如圖所示，兩根半徑r=0.4m的光滑四分之一圓弧軌道，間距L=0.5m，電阻不計(jì)，在其上端連有一阻值為R₀=2Ω的電阻，整個(gè)裝置處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=1T．現(xiàn)有一根長(zhǎng)度稍大于L的金屬棒從軌道的頂端PQ處開始下滑，到達(dá)軌道底端MN時(shí)對(duì)軌道的壓力恰好為其重力的兩倍．己知金屬棒的質(zhì)量m=0.8kg，電阻R=3Ω，重力加速度g=10m/s²．則以下結(jié)論正確的是（　�。�

	A．	金屬棒到達(dá)最低點(diǎn)時(shí)的速度為2$\sqrt{2}$m/s
	B．	金屬棒到達(dá)最低點(diǎn)時(shí)MN兩端的電壓0.6V
	C．	金屬棒下滑過程中克服安培力做了1.6J的功
	D．	金屬棒下滑過程中通過R0的電荷量為0.04C

4．如圖所示，MN板間勻強(qiáng)電場(chǎng)E=2.4×10⁴N/C，方向豎直向上，電場(chǎng)中A，B兩點(diǎn)距離為10cm，AB連線與電場(chǎng)方向夾角θ=60°，A點(diǎn)和M板相距2cm，
（1）此時(shí)U_BA等于多少
（2）一點(diǎn)電荷Q=5×10^-8C，它在A，B兩點(diǎn)電勢(shì)能之差為多少？若M板接地，A點(diǎn)的電勢(shì)是多少？B點(diǎn)的電勢(shì)是多少？

3．如圖所示，初速度為零的α粒子和電子在電勢(shì)差為U₁的電場(chǎng)中加速后，垂直進(jìn)入電勢(shì)差U₂的偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)，在滿足電子能射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的條件下，正確的說法是（　　）

	A．	α粒子的偏轉(zhuǎn)量大于電子的偏轉(zhuǎn)量		B．	α粒子的偏轉(zhuǎn)量小于電子的偏轉(zhuǎn)量
	C．	α粒子的偏轉(zhuǎn)角大于電子的偏轉(zhuǎn)角		D．	α粒子的偏轉(zhuǎn)角等于電子的偏轉(zhuǎn)角

2．有一空間范圍足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)方向未知，其電場(chǎng)線與坐標(biāo)xOy平面平行．以坐標(biāo)原點(diǎn)O為圓心，作半徑為R的圓交坐標(biāo)軸于A、B、C、D四點(diǎn)，如圖所示．圓周上任意一點(diǎn)P的電勢(shì)的表達(dá)式為φ=kRsinθ+b，式中θ為半徑OP與x軸的夾角，k、b均為已知常量，且有k＞0和b＞0．在A點(diǎn)有一放射源，能不斷的沿x軸方向釋放出某種帶正電的粒子，不計(jì)粒子的重力．
（1）求該勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小和方向；
（2）已知速度大小v₀的粒子恰好能從圖中C點(diǎn)射出該圓，若要使粒子從Q點(diǎn)射出（Q、O的連線與x軸的夾角α=53°），則粒子的速度大小為多少？（已知sin53°=0.8，cos53°=0.6）

1．如圖所示，無(wú)限長(zhǎng)的豎直金屬框頂端接入一個(gè)電容器，橫跨在框架上的金屬AB始終與金屬框架接觸良好，金屬棒始終位于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B₁=2T，方向垂直紙面向外的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，金屬棒AB的質(zhì)量為200g，長(zhǎng)度L=1m，電阻為r=1Ω，R=9Ω的定值電阻也與金屬框架接觸良好，豎直放置的足夠長(zhǎng)的熒光屏PQ，豎直放置的兩平行金屬板M，N相聚d=12cm，K₁，K₂為M，N板上的兩個(gè)小孔，且K₁，K₂，C熒光屏上的O點(diǎn)在同一水平直線上，CK₂=2R′C點(diǎn)到熒光屏O點(diǎn)的距離為L(zhǎng)′=2R′，以C為圓心，半徑為R′=10cm的圓形區(qū)域內(nèi)，由一個(gè)方向垂直紙面水平向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B₂=0.10T，AB棒由靜止釋放，當(dāng)AB棒在勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₁=2T中勻速下落時(shí)，比荷為2.0×10⁴C/kg的正離子流由K₁進(jìn)入電場(chǎng)后，通過K₂向磁場(chǎng)中心射去，通過磁場(chǎng)后落在熒光屏PQ上，離子進(jìn)入電場(chǎng)的初速度，重力，相互作用力均可忽略不計(jì)，g=10m/s²
（1）通過電阻的電流I及AB棒勻速下滑的速度v；
（2）如果正離子打在熒光屏的D點(diǎn)，則O，D之間的距離為多少；
（3）正離子從K₁到到熒光屏的運(yùn)動(dòng)時(shí)間．

17．如圖所示，兩平行金屬板（開始時(shí)不帶電）水平放置，在板間存在方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)（圖中未畫出）．某帶正電的離子以大小為v₀的初速度水平向右貼著上板進(jìn)人板間，剛好從下板邊緣射出，射出時(shí)速度方向與下板成60°角，若撤去磁場(chǎng)，在兩平行金屬板間加豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，使該離子以原來的初速度進(jìn)人該區(qū)域．也恰好從下板邊緣射出，不計(jì)離子的重力，下列判斷正確的是（　�。�

	A．	勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{4}{3}$Bv0
	B．	勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{2\sqrt{3}B{v}_{0}}{3}$
	C．	離子穿過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比為$\frac{2\sqrt{3}}{2π}$
	D．	離子穿過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比為$\frac{2\sqrt{3}π}{9}$

16．下面關(guān)于布朗運(yùn)動(dòng)的說法中正確的是（　�。�

	A．	布朗運(yùn)動(dòng)是液體分子的無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
	B．	布朗運(yùn)動(dòng)是懸浮微粒分子的無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
	C．	懸浮微粒越大，布朗運(yùn)動(dòng)越顯著
	D．	液體的溫度越高，布朗運(yùn)動(dòng)越顯著

15．關(guān)于液晶的分子排列，下列說法正確的是（　�。�

	A．	液晶分子在特定方向排列整齊
	B．	液晶分子的排列不穩(wěn)定，外界條件的微小變動(dòng)都會(huì)引起液晶分子排列變化
	C．	液晶分子的排列整齊而且穩(wěn)定
	D．	液晶的物理性質(zhì)穩(wěn)定

14．如圖所示，兩平行金屬板（開始時(shí)不帶電）水平放置，在板間存在方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)（圖中未畫出）．某帶正電的離子以大小為v₀的初速度水平向右貼著上板進(jìn)入板間，剛好下板邊緣射出，射出時(shí)速度方向與下板成60°角．若撤去磁場(chǎng)，在兩平行金屬板間加豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，使該離子以原來的初速度進(jìn)入該區(qū)域，也恰好從下板邊緣射出，不計(jì)離•子的重力，下列判斷正確的是（　�。�

	A．	勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{4}{3}$Bv0
	B．	勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{2\sqrt{3}B{v}_{0}}{3}$
	C．	離子穿過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比為$\frac{3\sqrt{3}}{2π}$
	D．	離子穿過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比為$\frac{2\sqrt{3}π}{9}$

13．質(zhì)量為M的宇宙飛船以速度V₁進(jìn)入一個(gè)隕石層，隕石的平均質(zhì)量為m，平均速度為V₂，方向與宇宙飛船的運(yùn)動(dòng)方向相反，n個(gè)隕石層與飛船碰撞后粘合在一起，則飛船的速度為（　　）

A．

$\frac{M{V}_{1}}{M+nm}$

B．

$\frac{M{v}_{1}-nm{v}_{2}}{M+nm}$

C．

$\frac{M{v}_{1}+nm{v}_{2}}{M+nm}$

D．

$\frac{nm{v}_{1}}{M}$