12．在做“用油膜法估測分子的大小”實驗中，油酸酒精溶液的濃度為每10⁴mL溶液中有純油酸6mL．用注射器量得1mL上述溶液中有液滴50滴．把1滴該溶液滴入盛水的淺盤里，待水面穩(wěn)定后，將玻璃板放在坐標紙上，其形狀如圖所示，坐標中正方形小方格的邊長為20mm．則：
①油酸膜的面積是2.4×10^-2m²（保留兩位有效數(shù)字）
②每一滴油酸酒精溶液中含有純油酸的體積是1.2×10^-11m³（保留兩位有效數(shù)字）
③根據(jù)上述數(shù)據(jù)，估測出油酸分子的直徑是5×10^-10m（保留一位有效數(shù)字）

11．如圖所示，兩個質(zhì)量均為m的物塊A、B，用輕質(zhì)彈簧連接后放在一傾角為θ的光滑斜面上，斜面足夠長，斜面底端有一擋板C，開始時B與C接觸系統(tǒng)靜止．現(xiàn)用一平行于斜面向上的恒力F拉物塊A，使之沿斜面向上運動，已知彈簧的勁度系數(shù)為k，A運動過程中彈簧始終在彈性限度內(nèi)．求：
（1）當B剛要離開擋板C時，物塊A運動的距離
（2）當B剛要離開擋板C時，物塊A運動的速度．

10．如圖所示，將一質(zhì)量為m的小球從高為h的固定曲面頂點A處由靜止釋放，小球到達水平面B點時的速度大小為$\sqrt{gh}$，求這一過程中小球克服阻力做的功．

9．如圖所示，一個質(zhì)量m=2kg的物體，受到與水平方向成37°角斜向上的拉力F₁=10N，在水平地面上移動的位移l=3m，已知物體與地面間的滑動摩擦力F₂=4.2N，求外力對物體所做的總功．

8．如圖，兩平行的光滑金屬導軌位于同一水平面上，相距l(xiāng)=2m左端與一電阻R=4Ω相連；整個系統(tǒng)置于勻強磁場中，磁感應強度大小為B=2T，方向豎直向下．一質(zhì)量為m=2Kg的導體棒置于導軌上，在水平外力F作用下沿導軌以速度v=2m/s勻速向右滑動，滑動過程中始終保持與導軌垂直并接觸良好．導軌和導體棒的電阻均可忽略．求
（1）水平外力F的大小；
（2）電阻R消耗的功率．

7．相距l(xiāng)=1m的足夠長金屬導軌豎直放置，質(zhì)量為m₁=1kg的金屬棒ab和質(zhì)量為m₂=0.4kg的金屬棒cd均通過棒兩端的小環(huán)水平地套在金屬到導軌上，如圖a所示，虛線上方磁場方程垂直紙面向里，虛線下方磁場方向豎直向下，兩處磁場磁感應強度的大小相同均為$\sqrt{2}$T，cd棒與導軌間動摩擦因數(shù)為μ=0.5，金屬棒ab的電阻為1.5Ω，金屬棒cd的電阻為0.5Ω，其余電阻不計，ab棒在方向豎直向上的外力F作用下，從靜止開始沿導軌向上運動，同時cd棒也由靜止釋放．已知ab棒運動的v-t圖象如圖b所示，重力加速度g=10m/s²，則下列說法正確的是（　�。�

	A．	ab棒做勻加速直線運動且加速度大小為2m/s2
	B．	外力F隨時間t的變化關(guān)系為F=2t+12
	C．	運動過程中金屬棒cd不切割磁感線，所以金屬棒cd上一直沒有焦耳熱
	D．	cd棒達到最大速度所需的時間為4s

6．金屬線框abcd從離磁場區(qū)域上方高h處自由落下，然后進入與線框平面垂直的勻強磁場中，磁場寬度為h₁，dc邊長為l，且滿足h₁＞l，在線框中穿過磁場的過程中，可能發(fā)生的運動情況是（如圖所示）（　�。�

	A．	線框勻速運動進入磁場，加速運動出磁場
	B．	線框加速運動進入磁場，加速運動出磁場
	C．	線框減速運動進入磁場，加速運動出磁場
	D．	線框加速運動進入磁場，勻速運動出磁場

5．如圖所示，一質(zhì)量為m的小球以初動能E_k0從地面豎直向上拋出，已知運動過程中受到阻力f=kmg作用（k為常數(shù)且滿足0＜k＜1），圖中兩條圖線分別表示小球在上升過程中動能和重力勢能與其上升高度之間的關(guān)系（以地面為零勢能面，h₀表示上升的最大高度，則由圖可知，下列結(jié)論正確的是（　　）

	A．	E1是最大勢能，且E1=$\frac{{E}_{k0}}{k+2}$
	B．	上升的最大高度h0=$\frac{{E}_{k0}}{（k+1）mg}$
	C．	落地時的動能Ek=$\frac{k{E}_{k0}}{k+1}$
	D．	在h1處，物體的動能和勢能相等，且h1=$\frac{{E}_{k0}}{（k+2）mg}$

4．如圖所示，在光滑的水平面上方，有兩個磁感應強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從實線（Ⅰ）位置開始向右運動，當線框運動到分別有一半面積在兩個磁場中的（Ⅱ）位置時，線框的速度為$\frac{v}{2}$，下列說法正確的是（　�。�

	A．	在位置（Ⅱ）時線框中的電功率為$\frac{{B}^{2}{a}^{2}{v}^{2}}{4R}$
	B．	此過程中線框產(chǎn)生的內(nèi)能$\frac{3}{8}$mv2
	C．	在位置（Ⅱ）時線框的加速度為$\frac{{2B}^{2}{a}^{2}v}{mR}$
	D．	此過程中通過線框截面的電童為$\frac{{2Ba}^{2}}{R}$

3．如圖，連接兩個定值電阻的平行金屬導軌與水平面成θ角，R₁=R₂=2R，勻強磁場垂直穿過導軌平面．有一導體棒ab質(zhì)量為m，棒的電阻為2R，棒與導軌之間的動摩擦因數(shù)為μ，導體棒ab沿導軌向上滑動，當上滑的速度為v時，定值電阻R₂消耗的電功率為P，下列正確的是（　　）

	A．	此時重力的功率為mgvsinθ		B．	此裝置消耗的機械功率為μmgvcosθ
	C．	導體棒受到的安培力的大小為$\frac{6P}{v}$		D．	導體棒受到的安培力的大小為$\frac{8P}{v}$