科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 唯一值mg $\frac{tanθ}{q}$ | B. | 最小值mg $\frac{sinθ}{q}$ | C. | 最大值mg $\frac{tanθ}{q}$ | D. | 以上不對(duì) |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 場(chǎng)強(qiáng)EA=EB | |
B. | 場(chǎng)強(qiáng)EA>EB | |
C. | 同一電荷在A、B處受的電場(chǎng)力方向一定相同 | |
D. | 負(fù)電荷在A處受的電場(chǎng)力一定向左 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | E1方向向右,E2方向向左 | B. | E1>E2 | ||
C. | E1=E2,方向一定向右 | D. | P處不放q1和q2時(shí),場(chǎng)強(qiáng)仍為E1 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 在一個(gè)以點(diǎn)電荷Q為中心,r為半徑的球面上,各處的電場(chǎng)強(qiáng)度相同 | |
B. | 在點(diǎn)電荷Q的電場(chǎng)中的某一點(diǎn),放入帶電量為q的另一點(diǎn)電荷,則q受到的電場(chǎng)力為$k\frac{Qq}{r^2}$,該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為$k\frac{Q}{r^2}$ | |
C. | 電場(chǎng)強(qiáng)度是描述電場(chǎng)力的性質(zhì)的物理量,它僅由電場(chǎng)自身決定 | |
D. | 點(diǎn)電荷在電場(chǎng)中所受到的電場(chǎng)力的大小和方向,除了和電場(chǎng)有關(guān)外,還與該點(diǎn)電荷所帶電量和性質(zhì)有關(guān) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | φA>φB、EA>EB | B. | φA<φB、E A<EB | C. | φA>φB、EA<EB | D. | φA<φB、E A>EB |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 波谷與波谷疊加所以振動(dòng)減弱 | |
B. | 波谷與波谷疊加所以始終處于最低位置 | |
C. | 振動(dòng)始終加強(qiáng) | |
D. | 位移始終最大 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 質(zhì)點(diǎn)在豎直方向振動(dòng)的波為橫波 | |
B. | 波在水平方向傳播的波為橫波 | |
C. | 只有質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)方向?yàn)樨Q直的,波的傳播方向?yàn)樗降牟闄M波 | |
D. | 只要質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)方向和波的傳播方向垂直的波為橫波 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 由狀態(tài)A到B,氣體溫度升高 | |
B. | 由狀態(tài)A到B,氣體吸收熱量 | |
C. | 狀態(tài)A比狀態(tài)B氣體分子在單位時(shí)間內(nèi)撞擊活塞的數(shù)目較少 | |
D. | 狀態(tài)A比狀態(tài)B氣體分子在單位時(shí)間內(nèi)撞擊活塞的數(shù)目較多 |
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