如圖所示，x軸上方有一勻強磁場，方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強度大小為B，x軸下方有一勻強電場，電場強度大小為E，方向斜向上方，且與y軸夾角θ為45°�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子，以速度v₀由y軸上的A點沿y軸正方向射入磁場，該離子在磁場中運動一段時間后從x軸上的C點進入電場區(qū)域，經(jīng)過C點時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力，設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求：

   （1）C點的坐標(biāo)；

   （2）離子從A點出發(fā)到第三次穿越x軸的運動時間。

如圖所示，x軸上方有一勻強磁場，方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強度大小為B，x軸下方有一勻強電場，電場強度大小為E，方向斜向上方，且與y軸夾角θ為45°。現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子，以速度v₀由y軸上的A點沿y軸正方向射入磁場，該離子在磁場中運動一段時間后從x軸上的C點進入電場區(qū)域，經(jīng)過C點時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力，設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求：
（1）C點的坐標(biāo)；
（2）離子從A點出發(fā)到第三次穿越x軸的運動時間。

如圖所示，x軸上方有一勻強磁場，方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強度大小為B，x軸下方有一勻強電場，電場強度大小為E，方向斜向上方，且與y軸夾角θ為45°�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子，以速度v₀由y軸上的A點沿y軸正方向射入磁場，該離子在磁場中運動一段時間后從x軸上的C點進入電場區(qū)域，經(jīng)過C點時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力，設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求：

   （1）C點的坐標(biāo)；

   （2）離子從A點出發(fā)到第三次穿越x軸的運動時間。

如圖所示，x軸上方有一勻強磁場，方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強度大小為B，x軸下方有一勻強電場，電場強度大小為E，方向斜向上方，且與y軸夾角θ為45°�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子，以速度v₀由y軸上的A點沿y軸正方向射入磁場，該離子在磁場中運動一段時間后從x軸上的C點進入電場區(qū)域，經(jīng)過C點時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力，設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求：

    （1）C點的坐標(biāo)；

    （2）離子從A點出發(fā)到第三次穿越x軸的運動時間。

如圖所示，x軸上方有一勻強磁場，方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強度大小為B，x軸下方有一勻強電場，電場強度大小為E，方向斜向上方，且與y軸夾角θ為45°�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子，以速度v₀由y軸上的A點沿y軸正方向射入磁場，該離子在磁場中運動一段時間后從x軸上的C點進入電場區(qū)域，經(jīng)過C點時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力，設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求：

（1） C點的坐標(biāo)；

（2） 離子從A點出發(fā)到第三次穿越x軸的運動時間。