工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：SiCl₄（g）+2H₂（g）?Si（s）+4HCl（g）△H=+QkJ/mol（Q＞0），一定溫度、壓強(qiáng)下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器中進(jìn)行以上反應(yīng)，下列敘述正確的是（　　）

工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：SiCl₄（g）+2H₂（g）?Si（s）+4HCl（g）△H=+QkJ/mol（Q＞0），一定溫度、壓強(qiáng)下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器中進(jìn)行以上反應(yīng)，下列敘述正確的是（　�。�

A．反應(yīng)過(guò)程中，減小壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率

B．若反應(yīng)開(kāi)始時(shí)SiCl4為1mol，則達(dá)平衡時(shí)，吸收熱量為QkJ

C．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時(shí)，生成的HCl通入100mL 1mol/L的NaOH溶液得到的溶液呈中性

D．反應(yīng)至4min時(shí)，若HCl濃度為0.12mol/L，則2min時(shí)，HCl濃度為0.06mol/L

（2013?濰坊模擬）工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．下圖1是離子交換膜法（允許鈉離子通過(guò)，不允許氫氧根與氯離子通過(guò)）電解飽和食鹽水，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是，NaOH溶液的出口為（填字母），精制飽和食鹽水的進(jìn)口為（填字母），干燥塔中應(yīng)使用的液體是．

（1）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注．SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄、H₂、O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為．SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiCl₃而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中反應(yīng)3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）═4SiHCl₃（g）達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗NaCl的質(zhì)量為kg．
（2）如圖2，實(shí)驗(yàn)室制備H₂和Cl₂通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H₂SO₄?ZnSO4+H2↑，MnO2+4HCl(濃)

△ .

.

MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H₂的裝置（填代號(hào)）和制備并收集干燥、純凈Cl₂的裝置（填代號(hào)）．
可選用制備氣體的裝置：
（3）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣．現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣m³（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）

（2011?內(nèi)江三模）某溫度、壓強(qiáng)下，將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行反應(yīng)Si（s）+4HCl（g）?SiCl₄（g）+2H₂（g）；△H=-QkJ/mol（Q＞0），下列說(shuō)法正確的是（　�。�