如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( 。

魔方格
A.圖2正確,且S1>S2B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4D.圖3正確,且S3=S4
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( 。
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A、圖2正確,且S1>S2B、圖2正確,且S1=S2C、圖3正確,且S3>S4D、圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年北京市朝陽區(qū)高三第二次模擬考試?yán)砭C物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

A.圖2正確,且S1>S2                                B.圖2正確,且S1=S2

C.圖3正確,且S3>S4                                D.圖3正確,且S3=S4

 

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2 
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4 

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科目:高中物理 來源:朝陽區(qū)二模 題型:單選題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是(  )

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A.圖2正確,且S1>S2B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源:2013年北京市朝陽區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( )

A.圖2正確,且S1>S2
B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4
D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是


  1. A.
    圖2正確,且S1>S2
  2. B.
    圖2正確,且S1=S2
  3. C.
    圖3正確,且S3>S4
  4. D.
    圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖1所示,虛線MN、MN′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2S3S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

   A.圖2正確,且S1>S2                       B.圖2正確,且S1=S2

   C.圖3正確,且S3>S4                       D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013·北京朝陽二模,18題)如圖1所示,虛線MNMN′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1S2、S3S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

   A.圖2正確,且S1>S2                           B.圖2正確,且S1=S2

   C.圖3正確,且S3>S4                           D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,在真空中,半徑為b的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場,磁場方向與紙面垂直。在磁場右側(cè)有一對平行金屬板M和N,兩板間距離也為b,板長為2b,兩板的中心線O1O2與磁場區(qū)域的圓心O在同一直線上,兩板左端與O1也在同一直線上。

有一電荷量為+q、質(zhì)量為m的帶電粒子,以速率v0從圓周上的P點沿垂直于半徑OO1并指向圓心O的方向進(jìn)入磁場,當(dāng)從圓周上的O1點飛出磁場時,給M、N板加上如圖乙所示電壓u。最后粒子剛好以平行于N板的速度從N板的邊緣飛出。不計平行金屬板兩端的邊緣效應(yīng)及粒子所受的重力。

(1)求磁場的磁感應(yīng)強度B;

(2)求交變電壓的周期T和電壓U0的值;

(3)若t=時,將該粒子從MN板右側(cè)沿板的中心線O2O1,仍以速率v0射入M、N之間,求粒子從磁場中射出的點到P點的距離。

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