Question

19．表是元素周期表的一部分，請回答有關問題：

主族 周期	ⅠA	ⅡA	ⅢA	ⅣA	ⅤA	ⅥA	ⅦA	0
2				①	②		③
3		④	⑤			⑥	⑦	⑧
4	⑨						⑩

（1）表中能形成兩性氧化物的元素所形成的單質與⑨最高價氧化物的水化物反應的離子方程式2Al+2OH^-+2H₂O═2AlO₂^-+3H₂↑．
（2）用電子式表示④元素與⑦元素形成的化合物形成過程．
（3）③⑥⑦三種元素原子半徑由小到大的順序是F＜Cl＜S（用元素符號表示）．
（4）③元素與⑩元素兩者核電荷數之差是26．
（5）表中用于半導體材料的元素在元素周期表中的位置為第3周期ⅣA．

Answer 1

分析 由元素在周期表的位置可知，①～⑩分別為C、N、F、Mg、Al、S、Cl、Ar、K、Br，
（1）能形成兩性氧化物的元素為Al，⑨最高價氧化物的水化物為KOH；
（2）④元素與⑦元素形成的化合物為氯化鎂；
（3）電子層越多，半徑越大，同周期原子序數大的半徑�。�
（4）③元素與⑩元素兩者核電荷數分別為9、35；
（5）用于半導體材料的元素為Si．

解答 解：由元素在周期表的位置可知，①～⑩分別為C、N、F、Mg、Al、S、Cl、Ar、K、Br，
（1）能形成兩性氧化物的元素為Al，⑨最高價氧化物的水化物為KOH，離子反應為2Al+2OH^-+2H₂O═2AlO₂^-+3H₂↑，故答案為：2Al+2OH^-+2H₂O═2AlO₂^-+3H₂↑；
（2）④元素與⑦元素形成的化合物為氯化鎂，用電子式表示形成過程為，
故答案為：；
（3）電子層越多，半徑越大，同周期原子序數大的半徑小，原子半徑為F＜Cl＜S，故答案為：F＜Cl＜S；
（4）③元素與⑩元素兩者核電荷數分別為9、35，兩者核電荷數之差是26，故答案為：26；
（5）用于半導體材料的元素為Si，位于第3周期ⅣA，故答案為：第3周期ⅣA．

點評 本題考查位置、結構與性質的關系及應用，為高頻考點，把握元素的位置、性質及元素周期律為解答的關鍵，側重分析與應用能力的考查，題目難度不大．