15.鹵族元素指周期系ⅦA族元素.包括氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、砹(At),簡稱鹵素.它們在自然界都以典型的鹽類存在,是成鹽元素.
(1)請(qǐng)繪制碘原子的外圍電子排布圖
(2)下列圖1曲線表示鹵族元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢,正確的是a.

(3)利用“鹵化硼法”可合成含B和N兩種元素的功能陶瓷,圖2為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為2,該功能陶瓷的化學(xué)式為BN.
(4)BCl3和NCl3其中心原子的雜化方式分別為sp2和sp3.第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有3種.ClO3-、ClO4-中Cl都是以sp3雜化軌道與O原子成鍵的,其微粒的立體結(jié)構(gòu)分別為三角錐形、正四面體形.
(5)已知氯化鋁的熔點(diǎn)為190℃(2.02×105Pa),但它在180℃和常壓下即開始升華,則氯化鋁是分子晶體(填“離子”或“分子”).設(shè)計(jì)一個(gè)更可靠的實(shí)驗(yàn),證明氯化鋁是離子晶體還是分子晶體,你的實(shí)驗(yàn)是在加壓條件下加熱至熔融,測其導(dǎo)電性,若導(dǎo)電,則是離子晶體,若不導(dǎo)電,則為分子晶體.
(6)圖3給出了一些鹵化鉀晶體的離子間距、晶格能、熔點(diǎn)等數(shù)據(jù).請(qǐng)根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)說明這些鹵化鉀晶體的離子間距、熔點(diǎn)與晶格能之間的關(guān)系晶格能的大小與陰、陽離子間的距離成反比,晶格能愈大,晶體的熔點(diǎn)愈高.

分析 (1)碘位于第五周期,最外層電子數(shù)為7;
(2)a.鹵族元素元素非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大;
b.F元素沒有正化合價(jià);
c.鹵族元素氫化物沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)增大而增大,但含有氫鍵的鹵化氫沸點(diǎn)最高;
d.鹵族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)增大而增大;
(3)利用均攤法計(jì)算原子個(gè)數(shù),兩種元素原子個(gè)數(shù)最簡比確定化學(xué)式;
(4)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定原子雜化方式,同一周期元素中,元素第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素;
(5)由信息可知氯化鋁的熔沸點(diǎn)低,由分子構(gòu)成,共價(jià)化合物熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電;
(6)由圖可知,KCl、KBr、KI的離子間距逐漸增大、晶格能和熔點(diǎn)在逐漸減小.

解答 解:(1)碘位于第五周期,最外層電子數(shù)為7,則碘原子的外圍電子排布圖,故答案為:;
(2)a.鹵族元素元素非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大,鹵族元素非金屬性隨著原子序數(shù)增大而增大,所以電負(fù)性隨著原子序數(shù)增大而增大,故正確;
b.F元素沒有正化合價(jià),其它鹵族元素最高正價(jià)為+7價(jià),故錯(cuò)誤;
c.鹵族元素氫化物沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)增大而增大,但含有氫鍵的鹵化氫沸點(diǎn)最高,HF中存在氫鍵,所以沸點(diǎn)最高,故錯(cuò)誤;
d.鹵族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)增大而增大,故錯(cuò)誤;
故答案為:a;
(3)根據(jù)原子半徑大小知,B原子半徑大于N原子,所以大球表示B原子,利用均攤法得B原子個(gè)數(shù)=1+8×$\frac{1}{8}$=2,N原子個(gè)數(shù)=1+4×$\frac{1}{4}$=2,B原子和N原子個(gè)數(shù)之比為2:2=1:1,所以其化學(xué)式為BN,故答案為:2;BN;
(4)BCl3分子中B原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+$\frac{1}{2}$×(3-3×1)=3且不含孤電子對(duì),所以B原子采用sp2雜化;NCl3中中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)3+$\frac{1}{2}$×(5-3×1)=4且含有一個(gè)孤電子對(duì),所以N原子的雜化方式為sp3;
同一周期元素中,元素第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素,所以第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素;
ClO3-、ClO4-中Cl都是以sp3雜化軌道與O原子成鍵的,ClO3-中3+$\frac{1}{2}$×(7+1-3×2)=4(含1對(duì)孤對(duì)電子),ClO4-中4+$\frac{1}{2}$×(7+1-2×4)=4(不含孤對(duì)電子),其微粒的立體結(jié)構(gòu)分別為三角錐形、正四面體形,
故答案為:sp2;sp3;3;三角錐形;正四面體形;
(5)由氯化鋁的熔點(diǎn)為190℃(2.02×105Pa),但它在180℃和常壓下即開始升華,則氯化鋁是分子晶體.設(shè)計(jì)一個(gè)更可靠的實(shí)驗(yàn),證明氯化鋁是離子晶體還是分子晶體,實(shí)驗(yàn)方法為在加壓條件下加熱至熔融,測其導(dǎo)電性,若導(dǎo)電,則是離子晶體,若不導(dǎo)電,則為分子晶體,
故答案為:分子;在加壓條件下加熱至熔融,測其導(dǎo)電性,若導(dǎo)電,則是離子晶體,若不導(dǎo)電,則為分子晶體;
(6)由圖可知,KCl、KBr、KI的離子間距逐漸增大、晶格能和熔點(diǎn)在逐漸減小,則鹵化鉀晶體的離子間距、熔點(diǎn)與晶格能之間的關(guān)系為晶格能的大小與陰、陽離子間的距離成反比,晶格能愈大,晶體的熔點(diǎn)愈高,
故答案為:晶格能的大小與陰、陽離子間的距離成反比,晶格能愈大,晶體的熔點(diǎn)愈高.

點(diǎn)評(píng) 本題考查晶胞計(jì)算、雜化理論及晶體類型和性質(zhì)等,為高頻考點(diǎn),把握原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體類型與性質(zhì)等為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,綜合性較強(qiáng),題目難度中等.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

5.有機(jī)物H(結(jié)構(gòu)簡式為)是合成高分子化合物M的單體,H可以通過有機(jī)物A(分子式為C7H8O)和丙酮為原料來進(jìn)行合成,E為中間產(chǎn)物(結(jié)構(gòu)簡式為)其合成路線如圖:

已知:$→_{催化劑}^{O_{2}}$
請(qǐng)回答下列問題:
(1)A的命名為2-甲基苯酚,G中所含官能團(tuán)的名稱是碳碳雙鍵、羧基、醚鍵;
①和②的反應(yīng)類型分別是加成反應(yīng)、消去反應(yīng).
(2)檢驗(yàn)有機(jī)物A中官能團(tuán)的方法為向有機(jī)物A中滴加氯化鐵溶液,溶液顯紫色.
(3)高分子化合物M的結(jié)構(gòu)簡式為
(4)反應(yīng)③的化學(xué)反應(yīng)方程式為+CH3CH2OH$→_{△}^{濃硫酸}$+H2O.
(5)有機(jī)物C有多種同分異構(gòu)體,其中屬于芳香羧酸類的同分異構(gòu)體有14種.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.東晉葛洪《肘后備急方》一書中記載:“青蒿一握,以水二升漬,絞取汁,盡服之”.  屠呦呦團(tuán)隊(duì)在世界率先確定了青蒿素結(jié)構(gòu)式如圖所示.下列說法錯(cuò)誤的是
( 。
A.青蒿素的分子式為C15H22O5
B.青蒿乃中藥,宜采取水煎煮熬汁的方法服用
C.青蒿素難溶于水,提取的方法是用有機(jī)溶劑萃取
D.青蒿素分子中有2種非極性鍵和3種極性鍵

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

3.化學(xué)創(chuàng)造美好生活.以下說法不正確的是(  )
A.食品包裝內(nèi)常放置具有吸水性的化學(xué)藥品以保持干燥,如五氧化二磷和硅膠
B.青蒿素在超臨界CO2中有很強(qiáng)的溶解性,萃取青蒿素可用超臨界CO2作萃取劑
C.利用太陽能電池板發(fā)電,不發(fā)生化學(xué)變化
D.在即將到來的新能源時(shí)代,核能、太陽能、氫能將成為主要能源

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

10.新型儲(chǔ)氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向.
(1)Ti(BH43是一種儲(chǔ)氫材料,可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得.
①基態(tài)Cl原子中,價(jià)電子的電子排布式3s23p5,價(jià)電子所在電子層的軌道數(shù)9.
②LiBH4由Li+和BH4-構(gòu)成,BH4-的空間構(gòu)型是正四面體,B原子的雜化軌道類型是sp3
③Li、B元素的第一電離能由大到小排列順序?yàn)锽>Li.
(2)金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲(chǔ)氫材料.
①LiH中,離子半徑:Li+<H-(填“>”、“=”或“<”).
②某儲(chǔ)氫材料是短周期金屬元素M的氫化物.M的部分電離能如下表所示:
I1/kJ•mol-1I2/kJ•mol-1I3/kJ•mol-1I4/kJ•mol-1I5/kJ•mol-1
738145177331054013630
M是Mg(填元素符號(hào)).
(3)NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu),已知NaH晶體的晶胞邊長a=480pm,Na+半徑為104pm,H-的半徑為136pm,NaH的理論密度是$\frac{96}{(4.8×1{0}^{-8})^{3}{N}_{A}}$g•cm-3.(用NA表示)

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20.氯貝特()是臨床上一種降脂抗血栓藥物,它的一條合成路線如下:

提示:Ⅰ.圖中部分反應(yīng)條件及部分反應(yīng)物、生成物已略去.
Ⅱ.
Ⅲ.R1-ONa+Cl-R2$\stackrel{△}{→}$R1-O-R2+NaCl(R1-、R2-代表烴基)
(1)氯貝特的分子式為C12H15ClO3;A的結(jié)構(gòu)簡式為CH32CHCOOH,物質(zhì)甲中所含官能團(tuán)的名稱是羧基、醚鍵.
(2)在反應(yīng)①所示的轉(zhuǎn)化中,加入的物質(zhì)可是下列中的ab(填選項(xiàng)字母).
a.Na           b.NaOH           c.NaHCO3         d.CH3COONa
(3)反應(yīng)②的反應(yīng)類型為取代反應(yīng),氯貝特的核磁共振氫譜有5組峰.
(4)物質(zhì)甲有多種同分異構(gòu)體,同時(shí)滿足以下條件的所有甲的同分異構(gòu)體有2種(不考慮立體異構(gòu)),請(qǐng)寫出其中一種的結(jié)構(gòu)簡式:
①1,3,5-三取代苯;②屬于酯類且既能與FeCl3溶液顯紫色,又能發(fā)生銀鏡反應(yīng);
③1mol該同分異構(gòu)體最多能與3mol NaOH反應(yīng).
(5)物質(zhì)B與足量NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

7.下列有關(guān)離子的檢驗(yàn)及結(jié)論正確的是( 。
A.用潔凈的鉑絲蘸取少量溶液在酒精燈火焰上灼燒,火焰呈黃色,說明溶液中含有K+
B.向某無色溶液中滴加BaCl2溶液有白色沉淀出現(xiàn),說明該溶液中一定含有SO42-
C.向某溶液中加AgNO3溶液和稀鹽酸,有白色沉淀出現(xiàn),說明該溶液中一定含有Cl-
D.向某溶液中加NaOH溶液,加熱,產(chǎn)生能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍(lán)的氣體,說明該溶液中一定含有NH4+

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

3.NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值.下列說法中正確的是( 。
A.18g  D2O含有電子數(shù)為10NA
B.常溫下,4.6 g Na和足量的O2完全反應(yīng)失去電子數(shù)為0.2NA
C.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2 LNO和11.2 L O2混合后氣體的分子總數(shù)為NA
D.25℃,pH=13的NaOH溶液中含有OH-的數(shù)目為0.1NA

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

2.含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中,與其他礦物共同構(gòu)成巖石.晶體硅(熔點(diǎn) 1410℃)用途廣泛,制取與提純方法有多種.
(1)煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應(yīng):Si+2FeO$\stackrel{高溫}{→}$2Fe+SiO2,其目的是CD.
A.得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥  B.制取SiO2,提升鋼的硬度
C.除去生鐵中過多的Si雜質(zhì) D.除過量FeO,防止鋼變脆
(2)一種由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)$→_{460℃}^{Cl_{2}}$ SiCl4$\stackrel{蒸餾}{→}$ SiCl4(純)$→_{1100℃}^{H_{2}}$ Si(純),在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成 1.12kg純硅需吸收a kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:SiCl4(g)+2H2(g)→Si(s)+4HCl(g)△H=-0.025akJ/mol.
對(duì)于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4)下列敘述正確的是BC
A.NaX易水解     
B.SiX4是共價(jià)化合物
C.NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4
D.SiF4晶體是由共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
(3)粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH4),硅烷分解也可以生成高純硅.硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷,所以Si元素的非金屬性弱于C元素,用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因:C和Si最外層電子數(shù)相同(或“是同主族元素”),C原子半徑小于Si(或“C原子電子層數(shù)少于Si”) Si元素的非金屬性弱于C元素,硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷.
(4)此外,還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),通過反應(yīng):SiHCl3(g)+H2(g)?Si(s)+3HCl(g)制得高純硅.不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時(shí),各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如圖所示.下列說法正確的是ac(填字母序號(hào)).
a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是$\frac{n(SiHC{l}_{3})}{n({H}_{2})}$
c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,可適當(dāng)降低壓強(qiáng)
(5)硅元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是H2SiO3.室溫下,0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液,堿性更強(qiáng)的是硅酸鈉,其原因是硅酸的Ka2小于碳酸的Ka2,硅酸鈉更易水解.
已知:H2SiO3:Ka1=2.0×10-10      Ka2=1.0×10 -12H2CO3:Ka1=4.3×10 -7  Ka2=5.6×10 -11

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