Question

13．下列實驗設(shè)計及其對應(yīng)的離子方程式均正確的是（　　）

• A． 向稀HNO₃中滴加Na₂SO₃溶液：SO₃^2-+2H⁺═SO₂↑+H₂O
• B． 用FeCl₃溶液腐蝕銅來制作印刷電路板：2Fe³⁺+Cu═2Fe²⁺+Cu²⁺
• C． 向Na₂SiO₃溶液中通入過量SO₂：SiO₃^2-+SO₂+H₂O═H₂SiO₃↓+SO₃^2-
• D． 向Al （SO₄）₃溶液中加入過量的NH₃•H₂O：Al³⁺+4NH₃•H₂O═AlO₂^-+4NH₄⁺+2H₂O

Answer 1

分析 A．稀硝酸能夠氧化亞硫酸根離子；
B．氯化鐵與銅反應(yīng)生成硫化銅和氯化亞鐵；
C．二氧化碳過量，反應(yīng)生成亞硫酸氫根離子；
D．氨水為弱堿，二者反應(yīng)生成氫氧化鋁沉淀．

解答 解：A．向稀HNO₃中滴加Na₂SO₃溶液，二者發(fā)生氧化還原反應(yīng)，正確的離子方程式為：2NO₃^-+3SO₃^2-+2H⁺═2NO↑+3SO₄^2-+H₂O，故A錯誤；
B．用FeCl₃溶液腐蝕銅來制作印刷電路板，反應(yīng)的離子方程式為：2Fe³⁺+Cu═2Fe²⁺+Cu²⁺，故B正確；
C．向Na₂SiO₃溶液中通入過量SO₂，反應(yīng)生成硅酸和亞硫酸氫鈉，正確的離子方程式為：SiO₃^2-+2SO₂+2H₂O═H₂SiO₃↓+2HSO₃^-，故C錯誤；
D．硫酸鋁與氨水反應(yīng)生成氫氧化鋁沉淀和硫酸銨，正確的離子方程式為：Al³⁺+3NH₃•H₂O=Al（OH）₃↓+3NH₄⁺，故D錯誤；
故選B．

點評 本題考查了離子方程式的書寫判斷，為高考的高頻題，題目難度中等，注意明確離子方程式正誤判斷常用方法：檢查反應(yīng)物、生成物是否正確，檢查各物質(zhì)拆分是否正確，如難溶物、弱電解質(zhì)等需要保留化學(xué)式，檢查是否符合原化學(xué)方程式等．