分析 (1)基態(tài)氮原子最外層電子排布式為2s22p3,根據(jù)泡利原理與洪特規(guī)則畫(huà)出最外層電子排布圖;
NH3分子含有含有3個(gè)σ鍵,N2分子中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵;
(2)CN-與N2互為等電子體,CN-中原子與N原子之間形成3對(duì)共用電子對(duì);
(3)同種元素含氧酸,中心元素化合價(jià)越高,對(duì)N-O-H中O原子的單子吸引更強(qiáng);
(4)①同周期隨原子序數(shù)增大,元素第一電離能呈增大趨勢(shì),當(dāng)ⅡA族的s能級(jí)為全滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài),ⅤA族的p能級(jí)為半滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素的;
②環(huán)硼氮六烷中BN原子形成3個(gè)σ鍵、N原子形成3個(gè)σ鍵,均沒(méi)有孤對(duì)電子;
(5)立方氮化硼晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當(dāng),立方氮化硼屬于原子晶體;金剛石晶胞是立方體,其中8個(gè)頂點(diǎn)有8個(gè)碳原子,6個(gè)面各有6個(gè)碳原子,立方體內(nèi)部還有4個(gè)碳原子,如圖所示:,所以金剛石的一個(gè)晶胞中含有的碳原子數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,立方氮化硼中氮原子與周?chē)?個(gè)硼原子形成四面體結(jié)構(gòu)、硼原子與周?chē)?個(gè)氮原子形成四面體結(jié)構(gòu),因此立方氮化硼晶胞中應(yīng)該含有4個(gè)N和4個(gè)B原子,計(jì)算BN晶胞的質(zhì)量、晶胞的體積,根據(jù)ρ=$\frac{m}{ρ}$計(jì)算密度.
解答 解:(1)基態(tài)氮原子最外層電子排布式為2s22p3,根據(jù)泡利原理與洪特規(guī)則,最外層電子排布圖我;NH3分子含有含有3個(gè)σ鍵,N2分子中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵,則等物質(zhì)的量的NH3和N2組成的混合氣體中σ鍵和π鍵的物質(zhì)之比為(3+1)mol:2mol=2:1,
故答案為:;2:1;
(2)CN-與N2互為等電子體,CN-中原子與N原子之間形成3對(duì)共用電子對(duì),CN-的電子式:,
故答案為:;
(3)HNO3比HNO2中N元素為+3價(jià),HNO3中N原子為+5價(jià),HNO3中N元素正電荷更高,導(dǎo)致N-O-H中O原子的單子偏向N原子,更易電離出H+,HNO3比HNO2的酸性強(qiáng),
故答案為:HNO2中N元素為+3價(jià),HNO3中N原子為+5價(jià),HNO3中N元素正電荷更高,導(dǎo)致N-O-H中O原子的單子偏向N原子,更易電離出H+;
(4)①同周期隨原子序數(shù)增大,元素第一電離能呈增大趨勢(shì),當(dāng)ⅡA族的s能級(jí)為全滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài),ⅤA族的p能級(jí)為半滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素的,故第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素,第一電離能為O>C>Be,
故答案為:O>C>Be;
②無(wú)機(jī)苯分子中B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),所以B原子屬于sp2雜化,N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)也是3且不含孤電子對(duì),所以N原子屬于sp2雜化,
故答案為:sp2;sp2;
(5)立方氮化硼晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當(dāng),立方氮化硼屬于原子晶體;金剛石晶胞是立方體,其中8個(gè)頂點(diǎn)有8個(gè)碳原子,6個(gè)面各有6個(gè)碳原子,立方體內(nèi)部還有4個(gè)碳原子,如圖所示:,所以金剛石的一個(gè)晶胞中含有的碳原子數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,立方氮化硼中氮原子與周?chē)?個(gè)硼原子形成四面體結(jié)構(gòu)、硼原子與周?chē)?個(gè)氮原子形成四面體結(jié)構(gòu),因此立方氮化硼晶胞中應(yīng)該含有4個(gè)N和4個(gè)B原子,B原子最外層有3個(gè)電子,形成4個(gè)共價(jià)鍵,含有1個(gè)配位鍵,則B原子與N原子之間共價(jià)鍵與配位鍵的數(shù)目比為3:1,BN晶胞中的質(zhì)量為4×$\frac{25}{{N}_{A}}$,一個(gè)立方氮化硼晶胞的體積是(3.615×10-10cm)3,因此立方氮化硼的密度=4×$\frac{25}{{N}_{A}}$÷(3.615×10-10cm)3=$\frac{25×4}{(3.615×1{0}^{-10})^{3}×{N}_{A}}$g•cm-3,
故答案為:4;4;3;3:1;$\frac{25×4}{(3.615×1{0}^{-10})^{3}×{N}_{A}}$.
點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,涉及核外電子排布、電離能、分子空間構(gòu)型、雜化類(lèi)型的判斷、晶胞結(jié)構(gòu)以及晶胞的有關(guān)計(jì)算,(4)為易錯(cuò)點(diǎn),注意熟記中學(xué)常見(jiàn)晶胞結(jié)構(gòu),注意同周期第一電離能異常情況,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Cu2+、SO42-、OH-、K+ | B. | Fe3+、SCN-、Cl-、H+ | ||
C. | K+、CO32-、Cl-、H+ | D. | H+、Na+、Cl-、SO42- |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 明礬投入水中的電離方程式為:KAI(SO4)2•12H2O=K++Al3++2SO42-+12H20,說(shuō)明明礬是一種混合物 | |
B. | 凈水時(shí)Al3+發(fā)生水解生成的是Al(OH)3沉淀 | |
C. | 明礬凈水的原理是殺菌消毒 | |
D. | 硫酸鐵可以代替明礬進(jìn)行凈水 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
物質(zhì) 選項(xiàng) | a | b | c |
A | Al | AlCl3 | Al(OH)3 |
B | HNO3 | NO | NO2 |
C | Si | SiO2 | H2SiO3 |
D | H2SO4 | SO2 | SO3 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1.6 mol/(L•s) | B. | 0.08 mol/(L•s) | C. | 0.16 mol/(L•s) | D. | 0.8 mol/(L•s) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
坐標(biāo)對(duì)應(yīng)點(diǎn) | a | b | c | d |
n(SO32-):n(HSO32-) | / | 91:9 | 1:1 | 9:91 |
pH | >8.2 | 8.2 | 7.2 | 6.2 |
A. | b點(diǎn)溶液中:水電離出的c(OH-)=1×10-5.8mol/L | |
B. | c點(diǎn)溶液中:c(Na+)>c(SO32-)>c(HSO3-)>c(OH-)>c(H+) | |
C. | d點(diǎn)溶液中HSO3-的電離大于水解 | |
D. | d點(diǎn)溶液中:c(Na+)<c(SO32-)+c(HSO3-)+c(Cl-) |
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