17．下面關(guān)于硅的敘述中，正確的是（　�。�
A．粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)
B．硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素，硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位
C．硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，在自然界中可以以游離態(tài)存在
D．硅在電子工業(yè)中，是重要的半導(dǎo)體材料

分析 A、根據(jù)粗硅制備單晶硅的反應(yīng)方程式判斷化合價(jià)是否變化；
B、硅在地殼中的含量在所有的元素中居第二位；
C、自然界中沒有游離態(tài)的硅存在；
D、硅在電子工業(yè)中，是最重要的半導(dǎo)體材料．

解答 解：A、粗硅制備單晶硅先利用氧化反應(yīng)即用Cl2氧化粗硅為SiCl4，再利用還原反應(yīng)即用H2還原SiCl4，故A錯(cuò)誤；
B、硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素，硅在地殼中的含量在所有的元素中居第二位．故B錯(cuò)誤；
C、硅在自然界中以化合態(tài)形式存在．故C錯(cuò)誤；
D、硅在電子工業(yè)中，是最重要的半導(dǎo)體材料，故D正確；
故選D．

點(diǎn)評 本題主要考查物質(zhì)的性質(zhì)和用途，物質(zhì)具有多種性質(zhì)，解答時(shí)應(yīng)該理解物質(zhì)的用途是由物質(zhì)的哪種性質(zhì)決定的．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

7．常溫下，0.1mol/L的下列溶液中，水的電離程度大小排列順序正確的是（　�。�
①AlCl3    
②KNO3   
③NaOH     
④NH3•H2O．
A．①＞②＞③＞④B．①＞②＞④＞③C．③＞④＞②＞①D．①=②=③=④

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

8．下列離子方程式正確的是（　�。�
A．稀硝酸與足量的Fe反應(yīng)的離子方程式：3Fe+8H++2NO3-═3Fe2++2NO↑+4H2O
B．碳酸氫鈣溶液中加入過量的氫氧化鈉：Ca2++HCO3-+OH-═CaCO3↓+H2O
C．向碳酸鈣中加入稀鹽酸的離子方程式：CO32-+2H+═CO2↑+H2O
D．硅酸鈉溶液中通入過量二氧化碳：CO2+SiO32-+H2O═H4SiO4↓+CO32-

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

5．氯氣及含律化合物常被用來殺菌、消毒．
（1）我國多數(shù)地區(qū)的自來水廠使用氯氣殺菌、消毒．氯氣和水反應(yīng)生成具有殺菌作用的物質(zhì)是HClO（或次氯酸），用氯氣殺菌、消毒后的水中含有Cl-，證明自來水中含有Cl-的方法是取少量自來水，向其中滴加硝酸酸化的AgNO3溶液，有白色沉淀產(chǎn)生；
（2）工業(yè)上將氯氣通入氫氧化鈉溶液中制取消毒液，反應(yīng)的化學(xué)方程式是Cl2+2NaOH=NaCl+NaClO+H2O，其中氧化劑是氯氣，1mol氯氣發(fā)生反應(yīng)，轉(zhuǎn)移電子1mol；消毒液中的有效成分是次氯酸鈉（填名稱）；
（3）使用氯水消毒不如用消毒液方便，原因是次氯酸不穩(wěn)定，見光易分解．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

12．下列各組物質(zhì)中，所含分子數(shù)相同的是（　�。�
A．10gH2和10gO2B．11.2LN2（標(biāo)準(zhǔn)狀況下）和11gCO
C．9gH2O和0.5mol Br2D．224mlH2（標(biāo)準(zhǔn)狀況下）和0.1mol N2

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

2．25℃時(shí)，硫氫化鉀（KHS）溶液里存在下列平衡：
（a）HS-+H2O?OH-+H2S    
（b）HS-?H++S2-
（1）b（填序號，下同）是電離平衡；a是水解平衡．
（2）若向其中加入硫酸銅溶液時(shí)，可生成CuS沉淀，則電離平衡向正向（填“正向”或“逆向”）移動(dòng)；水解平衡向逆向（填“正向”或“逆向”）移動(dòng)；．
（3）若將溶液加熱至沸騰，c（OH-）•c（H+）將變大（填“大”或“小”）．
（4）若在0.1mol•L-1硫酸銅溶液中加入適量NaHS固體，使Cu2+完全沉淀為CuS，此時(shí)溶液中的H+濃度是0.2mol•L-1．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

9．設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)，則下列敘述正確的是（　�。�
A．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，2.24 CCl4中含有0.4NA個(gè)碳氯單鍵
B．22.4LCl2通入水中充分反應(yīng)，共轉(zhuǎn)移NA個(gè)電子
C．1 L 1 mol/L的氯化銅溶液中Cu2+的數(shù)目小于NA
D．5.6g鐵在0.1 mol氯氣中充分燃燒，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.3NA

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

6．氮的氧化物N0x與NH3反應(yīng)生成N2和H2O．若在標(biāo)準(zhǔn)狀況下，1.5L N0x與2L NH3恰好完全反應(yīng)，NOx中x=2．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

18．普通紙張的主要成分是纖維素．在早期的紙張生產(chǎn)中，常采用紙表面涂明礬的工藝，以填補(bǔ)其表面的微孔，防止墨跡擴(kuò)散，請回答下列問題：
（1）人們發(fā)現(xiàn)紙張會發(fā)生酸性腐蝕而變脆、破損，嚴(yán)重威脅紙質(zhì)文物的保存．經(jīng)分析檢驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)酸性腐蝕主要與造紙中涂敷明礬的工藝有關(guān)，其中的化學(xué)原理是明礬水解產(chǎn)生酸性環(huán)境，在酸性條件下纖維素水解，使高分子鏈斷裂；為了防止紙張的酸性腐蝕，可在紙漿中加入碳酸鈣等添加劑，該工藝原理的化學(xué)（離子）方程式為CaCO3+2H+=Ca2++CO2↑+H2O；
（2）為了保護(hù)這些紙質(zhì)文物，有人建議采取下列措施：
①噴灑堿性溶液，如稀氫氧化鈉溶液或氨水等．這樣操作產(chǎn)生的主要問題是過量的堿同樣可能會導(dǎo)致纖維素水解，造成書箱污損；
②噴灑Zn（C2H5）2．Zn（C2H5）2可以與水反應(yīng)生成氧化鋅和乙烷．用化學(xué)（離子）方程式表示該方法生成氧化鋅及防止酸性腐蝕的原理Zn（C2H5）2+H2O=ZnO+2C2H6↑；ZnO+2H+=Zn2++H2O；
（3）現(xiàn)代造紙工藝常用鈦白粉（TiO2）替代明礬．鈦白粉的一種工業(yè)制法是以鈦鐵礦（主要成分為FeTiO3）為原料按下列過程進(jìn)行的，請完成下列化學(xué)方程式：
①2 FeTiO3+6 C+7 Cl2 $\frac{\underline{\;900℃\;}}{\;}$2 TiCl4+2 FeCl3+6CO
②1 TiCl4+1 O2 $\frac{\underline{\;1000-1400℃\;}}{\;}$1 TiO2+2 Cl2．

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