Question

9．下列各晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，正確的是（　　）

• A． H₂O＞NH₃＞H₂
• B． CsCl＞KCl＞NaCl
• C． SiO₂＞CO₂＞Hg
• D． 硅＞金剛石＞石英砂

Answer 1

分析 比較晶體的熔沸點(diǎn)高低注意以下角度：
一、不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較
一般來說，原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；金屬晶體（除少數(shù)外）＞分子晶體．例如：SiO₂＞NaCL＞CO₂（干冰）金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高，如鎢、鉑等；有的則很低，如汞、鎵、銫等．
二、同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較
同一晶體類型的物質(zhì)，需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力，作用力越大，熔沸點(diǎn)越高．影響分子晶體熔沸點(diǎn)的是晶體分子中分子間的作用力，包括范德華力和氫鍵．
1．同屬分子晶體
①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，一般來說相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高．例如：I₂＞Br₂＞Cl₂＞F₂．
②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常．有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高．例如，熔點(diǎn)：HI＞HBr＞HF＞HCl；沸點(diǎn)：HF＞HI＞HBr＞HCl．
2．同屬原子晶體
原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)．一般來說，半徑越小形成共價(jià)鍵的鍵長越短，鍵能就越大，晶體的熔沸點(diǎn)也就越高．例如：金剛石（C-C）＞二氧化硅（Si-O）＞碳化硅（Si-C）晶體硅（Si-Si）．
3．同屬離子晶體
離子的半徑越小，所帶的電荷越多，則離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高．例如：MgO＞MgCl₂，NaCl＞CsCl．

解答 解：A、H₂O和NH₃都存在氫鍵，熔沸點(diǎn)高于氫氣，但O的原子半徑比N原子半徑小，非金屬性更強(qiáng)，H₂O分子間的氫鍵作用力更強(qiáng)，故A正確；
B、三種晶體都為離子晶體，離子的半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，正確順序應(yīng)為：NaCl＞KCl＞CsCl，故B錯(cuò)誤；
C、三種晶體中，SiO₂為原子晶體，熔沸點(diǎn)最高，CO₂為分子晶體，CO₂熔沸點(diǎn)最低，正確順序?yàn)椋篠iO₂＞Hg＞CO₂，故C錯(cuò)誤；
D、三種晶體都為原子晶體，原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)．一般來說，半徑越小形成共價(jià)鍵的鍵長越短，鍵能就越大，晶體的熔沸點(diǎn)也就越高，原子半徑大小順序?yàn)镾i＞C＞O，熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋航饎偸�＞石英砂＞硅，故D錯(cuò)誤；
故選A．

點(diǎn)評(píng) 本題考查不同晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，題目難度不大，注意同種晶體和不同晶體熔沸點(diǎn)高低比較的方法和角度．