Question

9．A、B、C是短周期非金屬元素，核電荷數(shù)依次增大．A元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同，C是地殼中含量最多的元素．D、E是第四周期元素，其中E元素的核電荷數(shù)為29．D原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多．請用對應(yīng)的元素符號或化學(xué)式填空：
（1）A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃＜O＜N．
（ 2 ）B的氫化物易液化的原因是NH₃分子間易形成氫鍵，沸點(diǎn)高；
（ 3 ）已知A、C形成的化合物分子甲會造成溫室效應(yīng)，l mol甲中含有π鍵的數(shù)目為1.204×10²⁴或者2N_A；
（4）基態(tài)D原子的外圍電子排布式為3d⁵4s¹．DO₂Cl₂熔點(diǎn)：-96.5℃，沸點(diǎn)：117℃，則固態(tài)DO₂Cl₂屬于分子晶體．
（5）E的氫化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其化學(xué)式是CuH．

Answer 1

分析 A、B、C是短周期非金屬元素，核電荷數(shù)依次增大，A元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同，則A是C元素；C是地殼中含量最多的元素，則C是O元素，B原子序數(shù)大于A而小于C，所以B是N元素；
D、E是第四周期元素，其中E元素的核電荷數(shù)為29，則E是Cu，D原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多，則D是Cr元素；
（1）同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；
（2）含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高；
（3）A、C形成的化合物分子甲會造成溫室效應(yīng)，甲為二氧化碳，每個O=C=O分子中含有2個π鍵；
（4）D是Cr元素，其3d、4s能級電子為其外圍電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其外圍電子排布式；
分子晶體熔沸點(diǎn)較低；
（5）利用均攤法確定該晶胞化學(xué)式．

解答 解：A、B、C是短周期非金屬元素，核電荷數(shù)依次增大，A元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同，則A是C元素；C是地殼中含量最多的元素，則C是O元素，B原子序數(shù)大于A而小于C，所以B是N元素；
D、E是第四周期元素，其中E元素的核電荷數(shù)為29，則E是Cu，D原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多，則D是Cr元素；
（1）同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能C＜O＜N，故答案為：C＜O＜N；
（2）B的氫化物是氨氣，含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高，氨氣中含有氫鍵導(dǎo)致其熔沸點(diǎn)較高，所以易液化，故答案為：NH₃分子間易形成氫鍵，沸點(diǎn)高；
（3）A、C形成的化合物分子甲會造成溫室效應(yīng)，甲為二氧化碳，每個O=C=O分子中含有2個π鍵，則1mol二氧化碳分子中π鍵個數(shù)為1.204×10²⁴或者2N_A，故答案為：1.204×10²⁴或者2N_A；
（4）D是Cr元素，其3d、4s能級電子為其外圍電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其外圍電子排布式為3d⁵4s¹；
分子晶體熔沸點(diǎn)較低，該物質(zhì)熔沸點(diǎn)較低，所以為分子晶體，
故答案為：3d⁵4s¹；分子；
（5）根據(jù)原子半徑大小知，小球表示H原子、大球表示Cu原子，H原子個數(shù)=4，Cu原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4，所以H、Cu原子個數(shù)=4：4=1：1，所以其化學(xué)式為CuH，
故答案為：CuH．

點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，為高頻考點(diǎn)，涉及晶胞計(jì)算、原子核外電子排布、元素周期律、氫鍵等知識點(diǎn)，明確基本原理、基本原子結(jié)構(gòu)、元素周期律是解本題關(guān)鍵，側(cè)重考查學(xué)生分析計(jì)算及空間想象能力，題目難度不大．