【題目】W是由A、B兩種元素組成的AB2型化合物.
(1)若W和焦炭在高溫下發(fā)生反應(yīng),所制得的半導體材料應(yīng)用廣泛.則W為(填化學式).請寫出該反應(yīng)的化學方程式:
(2)若取兩支試管分別加入少量W溶液,往一支試管中滴入KSCN溶液,無明顯現(xiàn)象.
往另一支試管中加入足量氯水,再加入適量CCl4 , 振蕩,靜置,下層溶液呈紫紅色;往上層溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈紅色.
①W溶液中所含金屬陽離子為
②上述實驗中,W與足量氯水反應(yīng)的離子方程式為:
(3)若W是大氣主要污染物之一,也是空氣質(zhì)量預(yù)報必報的氣體.可用酸性高錳酸鉀溶液檢驗該污染物.
①請寫出該反應(yīng)的離子方程式:
②1mol W與酸性高錳酸鉀溶液充分反應(yīng),轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為mol.
(4)若W是產(chǎn)生光化學煙霧主要氣體之一,其溶于水能生成一種一元強酸.
①請寫出W溶于水的化學方程式:
②該氣體W可用氫氧化鈉溶液來處理,請寫出該反應(yīng)的離子方程式:

【答案】
(1)SiO2;2C+SiO2 Si+2CO↑
(2)Fe2+;2Fe2++4I+3Cl2=2Fe3++I2+6Cl
(3)5 SO2+2 MnO4+2 H2O=2 Mn2++4 H++5 SO42;2
(4)3NO2+H2O=2HNO3+NO;2NO2+2OH=NO3+NO2+H2O
【解析】解:(1)若W和焦炭在高溫下發(fā)生反應(yīng),所制得的半導體材料應(yīng)用廣泛,則W為SiO2 , 該反應(yīng)方程式為:2C+SiO2 Si+2CO↑,所以答案是:SiO2 ;2C+SiO2 Si+2CO↑;(2)若取兩支試管分別加入少量W溶液,往一支試管中滴入KSCN溶液,無明顯現(xiàn)象,則W不含F(xiàn)e3+ , 往另一支試管中加入足量氯水,再加入適量CCl4 , 振蕩,靜置,下層溶液呈紫紅色,說明W含有I , 往上層溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈紅色,則W含有Fe2+ , 故W為FeI2 . ①W溶液中所含金屬陽離子為:Fe2+ , 所以答案是:Fe2+; ②W(FeI2)與足量氯水反應(yīng)的離子方程式為:2Fe2++4I+3Cl2=2Fe3++I2+6Cl ,
所以答案是:2Fe2++4I+3Cl2=2Fe3++I2+6Cl;(3)①二氧化硫與高錳酸鉀發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成硫酸根離子和錳離子,反應(yīng)的離子方程式為:5 SO2+2 MnO4+2 H2O=2 Mn2++4 H++5 SO42 , 所以答案是:5 SO2+2 MnO4+2 H2O=2 Mn2++4 H++5 SO42;②由反應(yīng)5 SO2+2 MnO4+2 H2O=2 Mn2++4 H++5 SO42可知5molW參加反應(yīng)轉(zhuǎn)移10mol電子,則1molW轉(zhuǎn)移電子為2mol,所以答案是:2;(4)①二氧化氮與水的反應(yīng)生成一氧化氮和硝酸,化學方程式為:3NO2+H2O=2HNO3+NO,所以答案是:3NO2+H2O=2HNO3+NO;②二氧化氮與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硝酸鈉和亞硝酸鈉,反應(yīng)的離子方程式為:2NO2+2OH=NO3+NO2+H2O.

練習冊系列答案
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