分析 A、B、C、D為前四周期元素,B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,最外層電子數(shù)不超過8個,所以該元素O元素,C元素原子的M電子層的P亞層中有3個未成對電子,則C是P元素,D元素原子核外的M層中只有2對成對電子,則D是S元素,
(1)當(dāng)n=2時,A是C元素,則AB2是CO2,根據(jù)二氧化碳分子正負(fù)電荷重心是否重合判斷;
(2)當(dāng)n=3時,A是Si元素,根據(jù)A、B形成晶體的微粒判斷晶體類型;
(3)若A元素的原子價電子排布為3s23p2,則A是Si元素,同一周期中,原子的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第VA族元素大于第VIA族元素;
(4)C是P元素,最高價氧化物的水化物是H3PO4;
(5)根據(jù)電子排布式的書寫規(guī)則書寫,中心離子鈷離子的配位數(shù)是6,其基態(tài)時核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d6.
解答 解:A、B、C、D為前四周期元素,B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,最外層電子數(shù)不超過8個,所以該元素O元素,C元素原子的M電子層的P亞層中有3個未成對電子,則C是P元素,D元素原子核外的M層中只有2對成對電子,則D是S元素,
(1)當(dāng)n=2時,A是C元素,則AB2是CO2,二氧化碳是直線型結(jié)構(gòu),正負(fù)電荷重心重合,所以是非極性分子,
故答案為:非極性;
(2)當(dāng)n=3時,A是Si元素,硅和氧形成的晶體是二氧化硅晶體,二氧化硅晶體是由原子構(gòu)成的,屬于原子晶體,
故答案為:原子;
(3)若A元素的原子價電子排布為3s23p2,則A是Si元素,同一周期中,原子的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第VA族元素大于第VIA族元素,所以A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序P>S>Si,
故答案為:P>S>Si;
(4)C是P元素,最高價氧化物的水化物是H3PO4,
故答案為:P;H3PO4;
(5)鈷離子的化合價是+3價,鈷離子核外有24個電子,其基態(tài)時核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d6,中心離子鈷離子的配位數(shù)是6,
故答案為:1s22s22p63s23p63d6;6.
點評 本題考查了元素的推斷、電離能大小的判斷、核外電子排布式的書寫等,注意書寫基態(tài)原子核外電子排布式時要根據(jù)構(gòu)造原理,但原子失去電子變成陽離子時,電子從外向內(nèi)依次失去,為易錯點.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | O原子采用SP2雜化 | B. | O原子采用SP3雜化 | ||
C. | O原子采用SP雜化 | D. | 離子中存在非極性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Na+、Cu2+、Br-、Ba2+ | B. | Na+、SO32-、SO42-、K+ | ||
C. | K+、MnO4-、NO3-、Na+ | D. | K+、Ca2+、SO32-、Cl- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 四聯(lián)苯()的一氯代物有4種 | |
B. | 分子中至少有11個碳原子處于同一平面 | |
C. | 與互為同系物 | |
D. | 可以發(fā)生加成、取代、中和、消去反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題
周期 主族 | IA | IIA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA |
二 | ① | ② | ③ | ④ | |||
三 | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{r({K}^{+})}{r(K)}$ | B. | $\frac{r(Mg)}{r(Ca)}$ | C. | $\frac{r(Cl)}{r(C{l}^{-})}$ | D. | $\frac{r({S}^{2-})}{r({K}^{+})}$ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | C30H50 | B. | C30H56 | C. | C36H72 | D. | C30H60 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | F-離子結(jié)構(gòu)示意圖: | |
B. | 氯化鈉的電子式: | |
C. | 二氧化碳的結(jié)構(gòu)式:O=C=O | |
D. | 碳酸氫鈉的電離方程式:NaHCO3=Na++HCO3- |
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