A. | HBr、HCl、HF | B. | K、Mg、Na | ||
C. | MgO、NaCl、KBr | D. | 晶體硅、碳化硅、金剛石 |
分析 A.氫化物的相對分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,含有氫鍵的沸點(diǎn)較高;
B、Na、K為同主族元素所形成的金屬晶體,晶體的熔點(diǎn)依次降低,而鎂的離子半徑小鈉離子電荷數(shù)比鈉離子多,所以金屬鍵強(qiáng)鈉;
C、離子電荷相同,自上而下堿金屬離子半徑減小,故離子鍵強(qiáng)度NaCl>KBr,而鎂離子和氧負(fù)離子的半徑分別小于鈉離子和氯離子,所以氧化鎂的晶格能大于氯化鈉;
D、原子晶體原子半徑越小,共價鍵越強(qiáng)熔點(diǎn)越高.
解答 解:A、氫化物的相對分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,含有氫鍵的沸點(diǎn)較高,HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)較高,則HCl、HBr、HI、HF 的熔沸點(diǎn)逐漸升高,故A錯誤;
B、Na、K為同主族元素所形成的金屬晶體,晶體的熔點(diǎn)依次降低,而鎂的離子半徑小鈉離子電荷數(shù)比鈉離子多,所以金屬鍵強(qiáng)鈉,所以熔點(diǎn)由高到低順序排列為Mg、Na、K,故B錯誤;
C、離子電荷相同,自上而下堿金屬離子半徑減小,故離子鍵強(qiáng)度NaCl>KBr,而鎂離子和氧負(fù)離子的半徑分別小于鈉離子和氯離子,所以氧化鎂的晶格能大于氯化鈉,所以熔點(diǎn)高低的順序?yàn)椋篗gO、NaCl、KBr,故C正確;
D、原子晶體原子半徑越小,共價鍵越強(qiáng)熔點(diǎn)越高,原子半徑Si>C,所以熔點(diǎn)由高到低的順序排列的是金剛石>SiC>晶體硅,故D錯誤;
故選C.
點(diǎn)評 本題考查晶體熔沸點(diǎn)高低判斷,明確晶體類型及影響晶體熔沸點(diǎn)高低的因素是解本題關(guān)鍵,知道離子晶體中晶格能的影響因素,熟練掌握堿土金屬族、鹵族中性質(zhì)遞變規(guī)律,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | c(Cl-)>c(NH4+)>c(OH-)>c(H+) | B. | c(Cl-)>c(NH4+)>c(H+)>c(OH-) | ||
C. | c(H+)>c(OH-)>c(Cl-)>c(NH4+) | D. | c(H+)>c(Cl-)>c(NH4+)>c(OH-) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
編號 | 電極材料 | 電解質(zhì)溶液 | 電流計(jì)指針偏轉(zhuǎn)方向 |
1 | Mg、Al | 稀鹽酸 | 偏向Al |
2 | Al、Cu | 稀鹽酸 | 偏向Cu |
3 | Al、C(石墨) | 稀鹽酸 | 偏向石墨 |
4 | Mg、Al | 氫氧化鈉溶液 | 偏向Mg |
5 | Al、Zn | 濃硝酸 | 偏向Al |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 一定條件下,苯與濃硫酸和濃硝酸的混合液生成硝基苯 | |
B. | 乙烯在催化劑作用下水化成乙醇 | |
C. | 鈉在乙醇中生成乙醇鈉 | |
D. | 水壺中的水垢通常用醋洗去 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 1:2 | B. | 1:3 | C. | 3:4 | D. | 1:4 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 使用催化劑不改變反應(yīng)速率 | B. | 降低壓強(qiáng)能加快反應(yīng)速率 | ||
C. | 升高溫度能加快反應(yīng)速率 | D. | 改變壓強(qiáng)對反應(yīng)速率無影響 |
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