A. | HI>HBr>HCl>HF | B. | CI4>CBr4>CCl4>CF4 | ||
C. | NaCl>NaBr>KBr | D. | 金剛石>碳化硅>晶體硅 |
分析 一般情況下,不同類(lèi)型的晶體,熔點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,分子晶體,取決于分子間作用力強(qiáng)弱,離子晶體,熔沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱,離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,原子晶體,熔沸點(diǎn)高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān),半徑越小共價(jià)鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,據(jù)此分析.
解答 解:NaCl屬于離子晶體,SiO2屬于原子晶體,CO2屬于分子晶體,Na屬于金屬晶體,一般情況下,不同類(lèi)型的晶體,熔點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,
A、HI、HBr、HCl、HF為分子晶體,取決于分子間作用力強(qiáng)弱,但HF中能形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)反常的高,故A錯(cuò)誤;
B、CI4、CBr4、CCl4、CF4為分子晶體,取決于分子間作用力強(qiáng)弱,相對(duì)分子質(zhì)量越大沸點(diǎn)越高,故B正確;
C、NaCl、NaBr、KBr為離子晶體,熔沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱,離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,同族從上到下,半徑增大,故C正確;
D、金剛石>碳化硅>晶體硅為原子晶體,熔沸點(diǎn)高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān),半徑越小共價(jià)鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,C-C鍵半徑最小,C-Si鍵其次,Si-Si鍵最長(zhǎng),故D正確;
故選A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體的熔沸點(diǎn)高低的比較,題目難度不大,注意比較晶體熔沸點(diǎn)高低的角度.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
滴入高錳酸鉀溶液的次序(每滴溶液的體積相同) | 高錳酸鉀溶液紫色褪去的時(shí)間 |
先滴入第1滴 | 1min |
褪色后再滴入第2滴 | 15s |
褪色后再滴入第3滴 | 3s |
褪色后再滴入第4滴 | 1s |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 混合氣體密度保持不變 | |
B. | 單位時(shí)間內(nèi)生成n mol A,同時(shí)生成3n mol B | |
C. | 混合氣體的壓強(qiáng)保持不變 | |
D. | C生成的速率與A分解的速率相等 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 增加反應(yīng)物的量 | B. | 增加壓強(qiáng) | C. | 升高溫度 | D. | 縮小容器的體積 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 晶體在受熱熔化過(guò)程中一定存在化學(xué)鍵的斷裂 | |
B. | 原子晶體的原子間只存在共價(jià)鍵,而分子晶體內(nèi)只存在范德華力 | |
C. | 區(qū)分晶體和非晶體最科學(xué)的方法是對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn) | |
D. | 非金屬元素的原子間只形成共價(jià)鍵,金屬元素的原子非金屬元素的原子間只形成離子鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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