分析 (1)Cu是29號元素,其原子核外有29個電子,Cu原子失去一個4s電子、一個3d電子生成二價銅離子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫二價銅離子的電子排布式;原子軌道中電子處于半滿、全滿、全空時最穩(wěn)定;
(2)利用均攤法可確定晶胞中氧離子的數(shù)目;
(3)F的電負(fù)性比N大,N-F成鍵電子對偏向F,導(dǎo)致NF3中氮原子核對其孤電子對的吸引能力增強(qiáng),難以形成配位鍵;
(4)銅與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Cu(SCN)2,SCN分子中硫原子形成兩個共用電子對、C原子形成四個共用電子對、N原子形成三個共用電子對,(SCN)2結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N,每個分子中含有4個π鍵;能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高;
(5)硼元素具有缺電子性,其化合物可與具有孤電子對的分子或離子形成配合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3•NH3.在BF3•NH3中B原子價層電子對個數(shù)是4,根據(jù)價層電子對互斥理論確定B原子的雜化方式,B與N之間形成配位鍵,氮取子提供孤電子對;
(6)六方氮化硼晶體結(jié)構(gòu)與石墨晶體相似,層間相互作用為分子間作用力;
立方氮化硼中,晶胞邊長為361.5pm=361.5×10-10cm,晶胞體積=(361.5×10-10cm)3,該晶胞中N原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4、B原子個數(shù)為4,立方氮化硼的密度=$\frac{\frac{M}{{N}_{A}}×4}{V}$.
解答 解:(1)Cu是29號元素,其原子核外有29個電子,Cu原子失去一個4s電子、一個3d電子生成二價銅離子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫二價銅離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d9;原子軌道中電子處于半滿、全滿、全空時最穩(wěn)定,二價銅離子價電子排布式為3d9、亞銅離子價電子排布式為3d10,亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài),所以較穩(wěn)定,
故答案為:1s22s22p63s23p63d9;亞銅離子價電子排布式為3d10,亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài);
(2)根據(jù)均攤法可知晶胞中氧離子的數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,故答案為:4;
(3)F的電負(fù)性比N大,N-F成鍵電子對偏向F,導(dǎo)致NF3中氮原子核對其孤電子對的吸引能力增強(qiáng),難以形成配位鍵,所以故NF3不易與Cu2+形成配離子,
故答案為:F的電負(fù)性比N大,N-F成鍵電子對偏向F,導(dǎo)致NF3中氮原子核對其孤電子對的吸引能力增強(qiáng),難以形成配位鍵;
(4)銅與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Cu(SCN)2,SCN分子中硫原子形成兩個共用電子對、C原子形成四個共用電子對、N原子形成三個共用電子對,(SCN)2結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N,每個分子中含有4個π鍵,則1mol(SCN)2中含有π鍵的數(shù)目為4NA;能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高,異硫氰酸分子間可形成氫鍵,而硫氰酸不能形成分子間氫鍵,所以異硫氰酸熔沸點高于硫氰酸,
故答案為:4NA;異硫氰酸分子間可形成氫鍵,而硫氰酸不能;
(5)硼元素具有缺電子性,其化合物可與具有孤電子對的分子或離子形成配合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3•NH3.在BF3•NH3中B原子價層電子對個數(shù)是4,根據(jù)價層電子對互斥理論確定B原子的雜化方式為sp3,B與N之間形成配位鍵,N原子含有孤電子對,所以氮原子提供孤電子對,
故答案為:sp3;孤電子對;
(6)六方氮化硼晶體結(jié)構(gòu)與石墨晶體相似,層間相互作用為分子間作用力;
立方氮化硼中,晶胞邊長為361.5pm=361.5×10-10cm,晶胞體積=(361.5×10-10cm)3,該晶胞中N原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4、B原子個數(shù)為4,立方氮化硼的密度=$\frac{\frac{M}{{N}_{A}}×4}{V}$=$\frac{\frac{25×4}{{N}_{A}}}{(365.1×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3=$\frac{25×4}{(365.1×1{0}^{-10})^{3}{N}_{A}}$g/cm3,
故答案為:分子間作用力;$\frac{25×4}{(365.1×1{0}^{-10})^{3}{N}_{A}}$.
點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),為高頻考點,側(cè)重考查學(xué)生空間想象能力及計算能力,涉及晶胞計算、原子雜化方式判斷、配位鍵及氫鍵、原子核外電子排布等知識點,難點是晶胞計算及(5)題,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 杠桿為導(dǎo)體和絕緣體時,均為A 端高B 端低 | |
B. | 杠桿為導(dǎo)體和絕緣體時,均為A 端低B 端高 | |
C. | 當(dāng)杠桿為絕緣體時,A端低,B端高;為導(dǎo)體時,A端高,B端低 | |
D. | 當(dāng)杠桿為絕緣體時,A端高,B端低;為導(dǎo)體時,A端低,B端高 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
化合物 | Mg(OH)2 | Fe(OH)2 | Fe(OH)3 | Al(OH)3 |
Ksp近似值 | 10-11 | 10-16 | 10-38 | 10-33 |
溫度(℃) | 40 | 50 | 60 | 70 |
MgSO4 | 30.9 | 33.4 | 35.6 | 36.9 |
CaSO4 | 0.210 | 0.207 | 0.201 | 0.193 |
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化學(xué)式 | CH3COOH | HClO | H2CO3 | H2C2O4 |
Ka | Ka=1.8×10-5 | Ka=3.0×10-8 | Ka1=4.1×10-7 Ka2=5.6×10-11 | Ka1=5.9×10-2 Ka2=6.4×10-5 |
A. | 若H2C2O4 與等物質(zhì)的量的 KOH反應(yīng)后所得溶液呈酸性,則該溶液中各離子濃度由大到小的順序為:c(K+)>c( HC2O4-)>c( H+)>c( C2O42-)>c( OH-) | |
B. | 碳酸鈉溶液中滴加少量氯水的離子方程式為:CO32-+Cl2+H2O=Cl-+HClO+HCO3- | |
C. | 常溫下,0.1mol/LCH3COOH 溶液加水稀釋過程中,表達(dá)式c( H+)/c( CH3COOH )的數(shù)據(jù)變大 | |
D. | pH相同的 NaClO 和 CH3COOK 溶液,其溶液的物質(zhì)的量濃度的大小關(guān)系是:c( CH3COOK )>c( NaClO ) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 非金屬元素既可以形成陰離子,也可以形成陽離子 | |
B. | 金屬元素只能形成陽離子 | |
C. | 分子式相同的物質(zhì)化學(xué)性質(zhì)相同 | |
D. | 單核陽離子,其最外層均具有2電子或8電子的結(jié)構(gòu) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | X是原電池,能夠生產(chǎn)硫酸.Y是電解池,能夠生產(chǎn)N2O5 | |
B. | c電極的電極反應(yīng)方程式為:N2O4+2HNO3-2e-=2N2O5+2H+ | |
C. | 當(dāng)電路中通過2mol e-,X、Y中各有1molH+從左邊遷移到右邊 | |
D. | 為保證X中硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不變,則加入的n(so2):n(H2O)=1:7.4 |
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