A. | pH=4的NaHA溶液中:c(HA-)>c(H+)>c(H2A)>c(A2-) | |
B. | 物質(zhì)的量濃度相等的①NH4Cl②(NH4)2SO4③NH4HSO4溶液中,c(NH4+)大小順序為:③>②>① | |
C. | 等體積,等物質(zhì)的量濃度的Na2S溶液與NaHS溶液混合后:3c(Na+)=2c(S2-)+2c(HS-)+2c(H2S) | |
D. | 等體積、等物質(zhì)的量濃度的Na2SO3溶液與HCl溶液混合后:c(H+)+c(H2SO3)═c(SO32-)++c(OH-) |
分析 A.NaHA溶液的pH=4,呈酸性,說明HA-電離程度大于其水解程度,c(A2-)>c(H2A);
B.硫酸銨的化學(xué)式中含有兩個銨根離子,銨根離子的水解程度較小,則濃度相等時c(NH4+):③<②;
C.根據(jù)混合液中的物料守恒判斷;
D.而恰好反應(yīng)生成亞硫酸氫鈉,根據(jù)質(zhì)子守恒判斷.
解答 解:A.pH=4的NaHA溶液呈酸性,說明HA-電離程度大于其水解程度,c(A2-)>c(H2A),且水和HA-都電離出氫離子,只有HA-電離出A2-,所以離子濃度大小順序是c(HA-)>c(H+)>c(A2-)>c(H2A),故A錯誤;
B.物質(zhì)的量濃度相等的①NH4Cl②(NH4)2SO4③NH4HSO4溶液中,②的化學(xué)式中含有2個銨根離子,由于銨根離子的水解程度較小,則②中銨根離子濃度最大;③中氫離子抑制了銨根離子的水解,則③中銨根離子濃度大于①,所以c(NH4+)大小順序為:②>③>①,故B錯誤;
C.等體積,等物質(zhì)的量濃度的Na2S溶液與NaHS溶液混合后,根據(jù)物料守恒可得:2c(Na+)=3c(S2-)+3c(HS-)+3c(H2S),故C錯誤;
D.等體積、等物質(zhì)的量濃度的Na2SO3溶液與HCl溶液混合后,反應(yīng)生成亞硫酸氫鈉,根據(jù)亞硫酸氫鈉溶液中的質(zhì)子守恒可得:c(H+)+c(H2SO3)=c(SO32-)+c(OH-),故D正確;
故選D.
點評 本題考查了離子濃度大小比較,題目難度中等,明確鹽的水解原理及其影響為解答關(guān)鍵,注意掌握電荷守恒、物料守恒及質(zhì)子守恒的含義及應(yīng)用方法,試題培養(yǎng)了學(xué)生的靈活應(yīng)用能力.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)的氧化劑為KMnO4 | |
B. | 發(fā)生還原反應(yīng)的是H2C2O4 | |
C. | 該離子方程式右側(cè)方框內(nèi)的產(chǎn)物是H2O | |
D. | 6mol H+參加反應(yīng)時,電子轉(zhuǎn)移10mol |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 鈉和鉀的合金可用于快中子反應(yīng)堆作熱交換劑 | |
B. | 可用超純硅制造的單晶硅來制造計算機的芯片 | |
C. | 實驗室用二氧化錳和濃鹽酸共熱制取少量氯氣 | |
D. | 氫氧化鈉溶液要盛放在磨口玻璃塞的試劑瓶里 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Na+、K+、S2-、Cl- | B. | Al3+、Mg2+、SO42-、Cl- | ||
C. | K+、Na+、SiO32-、NO3- | D. | K+、Na+、SO42-、CO32- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Y單質(zhì)不能與X的氫化物反應(yīng) | |
B. | Y的氫化物是離子化合物 | |
C. | 工業(yè)上冶煉Z通常用電解其熔融氯化物的方法 | |
D. | W單質(zhì)既能與酸反應(yīng),又能與堿反應(yīng),屬于兩性物質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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