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已知下列反應的能量變化示意圖如下:有關說法正確的是( 。
A、1 mol S(g)與O2(g)完全反應生成SO2(g),反應放出的熱量小于297.0 kJ
B、一定條件下1 mol SO2(g)和
1
2
 mol O2(g)反應,生成1 mol SO3(g)放出熱量為98.7 kJ
C、在相同條件下,SO2 (g)比SO3 (g)穩(wěn)定
D、S(s)與O2(g)反應生成SO3(g)的熱化學方程式S(s)+
3
2
O2(g)?SO3(g)△H=+395.7 kJ?mol-1

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下列各圖中,縱坐標表示能量,橫坐標表示反應過程,均從反應物開始.則表示在催化劑作用下,正反應是吸熱反應的,比較合理的圖象是(  )
A、
B、
C、
D、

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下列有關電子云和原子軌道的說法正確的是( 。
A、原子核外的電子象云霧一樣籠罩在原子核周圍,故稱電子云
B、s亞層的原子軌道呈球形,處在該軌道上的電子只能在球殼內運動
C、p亞層的原子軌道呈紡錘形,隨著電子層數的增加,p亞層原子軌道也在增多
D、s、p電子原子軌道的平均半徑隨電子層的增大而增大

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近年來,科學家合成了一種穩(wěn)定的氫鋁化合物Al2H6.Al2H6的球棍模型如圖所示,它的熔點為150℃,可用作高能燃料或儲氫材料.下列說法正確的是( 。
A、60g Al2H6中含鋁原子約為1.2×1023
B、1mol Al2H6中約含有4.8×1024個σ鍵
C、Al2H6可以燃燒,產物為氧化鋁和水
D、Al2H6在固態(tài)時所形成的晶體是離子晶體

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下列說法中,錯誤的是( 。
A、原子半徑最小的元素是氫,半徑最大的元素是鈉
B、單質硅是很好的半導體材料,晶體硅是制造電子元件的重要原料
C、副族元素全都是金屬元素
D、稀有氣體元素,在一定條件下也可以形成化合物

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元素C、N、O、中,第一電離能最大的是( 。
A、CB、NC、OD、不能比較

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下列說法中,不正確的是(  )
A、CH4、NH3、H2O、三種分子的空間構型雖然不同,但中心原子的軌道雜化類型卻相同
B、苯乙烯()分子中的所有原子,不可能在同一平面內
C、質譜儀可以測定有機化合物的相對分子質量
D、紅外光譜可以反映有機化合物中化學鍵或者官能團的相關信息

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下列與金屬腐蝕有關的說法正確的是( 。
A、
圖中,插入海水中的鐵棒,越靠近底端腐蝕越嚴重
B、
圖中,開關由M改置于N時,Cu-Zn合金的腐蝕速率減小
C、
圖中,接通開關時Zn腐蝕速率增大,Zn上放出氣體的速率也增大
D、
圖中,鋼鐵輪船外殼連接一塊金屬A(銅塊)可以減緩船體外殼腐蝕速度

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常溫下有五種溶液:①NaHCO3;②KNO3;③NH4HCO3;④KOH;⑤HCl
(1)上述五種溶液中既能跟鹽酸反應又能跟NaOH溶液反應的是
 
(填序號).上述①的水溶液呈堿性的原因是(用離子方程式表示)
 

(2)取10mL 0.5mol/L⑤的溶液加水稀釋到500mL,則該溶液中由水電離出的c(H+)=
 
mol/L.
③跟足量的NaOH濃溶液在加熱條件下反應的離子方程式是
 

(3)②和④混合后撒入鋁粉,有氣體產生,該氣體能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍.出該反應化學方程式:
 

(4)最新“人工固氮”的研究報道:常溫常壓、光照條件下,N2在催化劑表面與水發(fā)生反應:
2N2(g)+6H2O(l)?4NH3 (g)+3O2(g)-Q,如果反應的平衡常數K值變小,該反應
 
(選填編號). 
A.一定向正反應方向移動    
B.在平衡移動時正反應速率先增大后減小
C.一定向逆反應方向移動    
D.在平衡移動時逆反應速率先減小后增大
(5)如果上述反應在體積不變的密閉容器中進行,當反應達到平衡后,下列判斷錯誤的是
 

A.容器中氣體的平均分子量不隨時間而變化     
B.通入大量稀有氣體能提高反應的速率
C.
v(N2)
v(O2)
=2:3         
D.容器中氣體的密度不隨時間而變化
(6)若反應的容器容積為2.0L,反應時間4.0min,容器內氣體的密度增大了0.18g/L,在這段時間內O2的平均反應速率為
 

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相同條件下等物質的量濃度的下列溶液,c(H+)濃度最大的是(  )
A、HCl
B、H2SO3
C、H3PO4
D、CH3COOH

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