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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】工業(yè)上利用電解飽和食鹽水可制得重要化工產(chǎn)品。

1)反應(yīng)化學(xué)方程式為:___。

2)電解飽和食鹽水時(shí),___極區(qū)附近溶液pH變大。

3)取陰極區(qū)溶液作系列實(shí)驗(yàn),下列結(jié)論中錯(cuò)誤的是___。(填字母)

A.滴加石蕊試劑,溶液呈紅色

B.滴加氯化鎂溶液,有白色沉淀產(chǎn)生

C.加入石灰石,有氣泡產(chǎn)生

D.先加足量硝酸,再滴加硝酸銀溶液,若產(chǎn)生沉淀說(shuō)明溶液中含有氯離子

4)電解飽和食鹽水一段時(shí)間后,想要讓溶液恢復(fù)電解前的狀態(tài),應(yīng)往溶液中加入(或通入)一定量的___(填字母)。

A.NaCl固體 B.NaCl溶液 C.HCl氣體 D.鹽酸

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】四氫噻吩()是家用天然氣中人工添加的氣味添加劑具有相當(dāng)程度的臭味。下列關(guān)于該化合物的說(shuō)法正確的是

A. 不能在O2中燃燒B. Br2的加成產(chǎn)物只有一種

C. 能使酸性KMnO4溶液褪色D. 生成1 mol C4H9SH至少需要2molH2

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】反應(yīng)mA(s)+nB(g)pC(g) △H0,在一定溫度下,平衡時(shí)B的體積分?jǐn)?shù)(B%)與壓強(qiáng)變化的關(guān)系如圖所示,下列敘述中一定正確的是

①m+n>p ②x點(diǎn)表示的正反應(yīng)速率大于逆反應(yīng)速率

③n>p ④x點(diǎn)比y點(diǎn)時(shí)的反應(yīng)速率慢

若升高溫度,該反應(yīng)的平衡常數(shù)增大

A. ①②⑤ B. 只有②④ C. 只有①③ D. ①③⑤

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】下列說(shuō)法正確的是

A.向蒸餾水中滴加濃H2SO4時(shí),KW不變

B.常溫下,0.005mol·L-1Ba(OH)2溶液pH12

C.Na2CO3水解的離子方程式為:CO32- + 2H2OH2CO3 + 2OH

D.NaCl溶液和CH3COONH4溶液均顯中性兩溶液中水的電離程度相同

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】某溫度下,pH=11的氨水和NaOH溶液分別加水稀釋100倍,溶液的pH隨溶液體積變化的曲線如下圖所示。據(jù)圖判斷錯(cuò)誤的是(   )

A. a的數(shù)值一定大于9

B. 為氨水稀釋時(shí)溶液的pH變化曲線

C. 稀釋后氨水中水的電離程度比NaOH溶液中水的電離程度大

D. 完全中和相同體積的兩溶液時(shí),消耗相同濃度的稀硫酸的體積:V(NaOH)<V(氨水)

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】已知反應(yīng):2SO2(g)O2(g)2SO3(g) ΔH<0。某溫度下,將2 mol SO21 mol O2置于10 L密閉容器中,反應(yīng)達(dá)到平衡后,SO2的平衡轉(zhuǎn)化率(α)與體系總壓強(qiáng)(p)的關(guān)系如圖甲所示。則下列說(shuō)法正確的是( )

A. 由圖甲知,A點(diǎn)SO2的平衡濃度為0.4 mol·L1

B. 由圖甲知,B點(diǎn)SO2O2、SO3的平衡濃度之比為2∶1∶2

C. 達(dá)平衡后,縮小容器容積,則反應(yīng)速率變化圖象可以用圖乙表示

D. 壓強(qiáng)為0.50 MPa時(shí),不同溫度下SO2轉(zhuǎn)化率與溫度關(guān)系如丙圖,則T2>T1

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】25℃時(shí),水的電離達(dá)到平衡:H2O H+OH;ΔH>0,下列敘述正確的是( )

A. 向水中加入稀氨水,平衡逆向移動(dòng),c(OH)降低

B. 向水中加入少量固體硫酸氫鈉,c(H)增大,KW不變

C. 向水中通入HCl氣體,平衡逆向移動(dòng),溶液導(dǎo)電能力減弱

D. 將水加熱,pH不變,KW增大

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】某化合物H的合成路線如下:

已知CH≡CHNaNH2液氨條件下可生成CH≡CNaNaC≡CNa

(1)A的化學(xué)名稱(chēng)是________________________,B→C的反應(yīng)類(lèi)型是________________

(2)D→E的反應(yīng)試劑、條件是________,F不含氧官能團(tuán)名稱(chēng)是____________

(3)H的分子式是___________________

(4)F→G的化學(xué)方程式是________________

(5)WE的同系物,比E少一個(gè)碳原子,則符合下列條件的W的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是___________(寫(xiě)一種)

①有兩種官能團(tuán)

②遇FeCl3溶液顯紫色

③核磁共振氫譜有五組峰,峰面積之比是32221

(6)依據(jù)上述題目信息,寫(xiě)出用乙醛和乙炔為原料,制備化合物 的合成路線(無(wú)機(jī)試劑任選)_________

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料。回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_________________________,第一電離能介于NB之間的第二周期元素有_______種。

(2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_______,其中σ鍵的對(duì)稱(chēng)方式為___________。與CN互為等電子體的分子為___________

(3)NaN3是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分,其中陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_________。NF3的空間構(gòu)型為____________

(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似,熔點(diǎn)如下表所示,分析其變化原因_________________________________________________________。

GaN

GaP

GaAs

熔點(diǎn)

1700

1480

1238

(5)GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。

晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個(gè)Ga原子周?chē)嚯x最近的Ga原子數(shù)目為_____________;

GaN的密度為______________________g·cm3(a、NA表示)。

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】兩種金屬組成的合金25克與氯氣完全反應(yīng),共用去標(biāo)況下氯氣11.2升,該合金的可能組成是

A.NaMgB.CuCaC.CuZnD.FeMg

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