Question

圖甲、乙中的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn)，Amp^r表示氨芐青霉素抗性基因，Ne^r 表示新霉素抗性基因．下列敘述正確的是（　�。�

• A、圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后，含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
• B、在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí)，可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
• C、用PstⅠ和HindⅢ酶切，加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
• D、導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長(zhǎng)

Answer 1

考點(diǎn)：基因工程的原理及技術(shù)

專(zhuān)題：

分析：分析題圖：質(zhì)粒和外源DNA分子都含有三種限制酶切點(diǎn)，即限制酶BamHⅠ、PstⅠ和Hind III，其中BamHⅠ切割位點(diǎn)在目的基因上，所以不能用該酶切割外源DNA了．用PstⅠ和Hind III酶切質(zhì)粒切成兩個(gè)片段，用PstⅠ和Hind III酶能將外源DNA切成三段，只有含目的基因的片段通過(guò)DNA連接酶與質(zhì)粒連接形成的重組質(zhì)粒符合要求，而另一個(gè)重組質(zhì)粒無(wú)目的基因，不符合要求．導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌，其重組質(zhì)粒是用PstⅠ和Hind III酶切割的，其中的Amp^r（氨芐青霉素抗性基因）已被破壞，不能抗氨芐青霉素．

解答： 解：A、圖甲中的質(zhì)粒只有一個(gè)BamHⅠ切割位點(diǎn)，切割后形成一個(gè)直鏈DNA，含2個(gè)游離的磷酸基團(tuán)，故A錯(cuò)誤；
B、BamHⅠ切割位點(diǎn)在目的基因上，不能用該酶切割外源DNA，故B錯(cuò)誤；
C、用PstⅠ和Hind III酶切質(zhì)粒切成兩個(gè)片段，用PstⅠ和Hind III酶能將外源DNA切成三段，只有含目的基因的片段通過(guò)DNA連接酶與質(zhì)粒連接形成的重組質(zhì)粒符合要求，而另一個(gè)重組質(zhì)粒無(wú)目的基因，不符合要求，故C正確；
D、導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌，其重組質(zhì)粒是用PstⅠ和Hind III酶切割的，其中的Amp^r（氨芐青霉素抗性基因）已被破壞，故D錯(cuò)誤．
故選：C．

點(diǎn)評(píng)：考查結(jié)合題圖，考查基因工程的相關(guān)知識(shí)，意在考查考生分析題圖提取有效信息的能力；能理解所學(xué)知識(shí)要點(diǎn)，霸把握知識(shí)間內(nèi)在聯(lián)系，形成知識(shí)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的能力；能運(yùn)用所學(xué)知識(shí)，解決問(wèn)題的能力．