A. | 比較電場(chǎng)強(qiáng)度的大小有EC<ED | |
B. | 比較電勢(shì)高低有φD>φE | |
C. | 比較電勢(shì)高低有φD=φE | |
D. | 將同一正電荷從O點(diǎn)移到D點(diǎn)電場(chǎng)力所做的功大于從C點(diǎn)移到E點(diǎn)電場(chǎng)力所做的功 |
分析 根據(jù)電場(chǎng)線的疏密比較場(chǎng)強(qiáng)的大;根據(jù)電場(chǎng)線的方向比較電勢(shì)的高低;分析電勢(shì)差的關(guān)系,由公式W=qU判斷電場(chǎng)力做功的關(guān)系.
解答 解:A、電場(chǎng)線的疏密表示場(chǎng)強(qiáng)的大小.由等量異種點(diǎn)電荷電場(chǎng)線的分布圖可知:C點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)小于O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng),而O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)小于D點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng),則EC<ED.故A正確.
B、C、由等量異種點(diǎn)電荷電場(chǎng)線的分布圖可知:BE之間的場(chǎng)強(qiáng)小于DB之間的場(chǎng)強(qiáng),所以BE之間的電勢(shì)差小于DB之間的電勢(shì)差,結(jié)合電勢(shì)差的定義可得:φD>φE.故B正確,C錯(cuò)誤;
D、由于φD>φE,則OD間的電勢(shì)差小于OE間的電勢(shì)差,根據(jù)公式W=qU可知:將同一正電荷從O點(diǎn)移到D點(diǎn)電場(chǎng)力所做的功小于從O點(diǎn)移到E點(diǎn)電場(chǎng)力所做的功,故D錯(cuò)誤.
故選:AB.
點(diǎn)評(píng) 常見(jiàn)電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布及等勢(shì)面的分布要求我們能熟練掌握,并要注意沿電場(chǎng)線的方向電勢(shì)是降低的,電場(chǎng)線的疏密可以形象表示電場(chǎng)強(qiáng)度的大小,同時(shí)注意等量異號(hào)電荷形成電場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性.加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),掌握住電場(chǎng)線的特點(diǎn),即可解決本題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | x=$\frac{M}{m}$L | B. | x=$\frac{(M+m)L}{m}$ | ||
C. | x=$\frac{{μ}_{1}ML}{({μ}_{2}-{μ}_{1})(m+M)}$ | D. | x=$\frac{{μ}_{1}ML}{({μ}_{2}+{μ}_{1})(m+M)}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 流過(guò)r的電流方向每秒鐘變化50次 | |
B. | 變壓器原線圈匝數(shù)大于副線圈匝數(shù) | |
C. | 開(kāi)關(guān)從斷開(kāi)到閉合時(shí),電流表示數(shù)變小 | |
D. | R=$\sqrt{2}$r |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | N增大、f不變 | B. | N增大、f增大 | C. | N不變、f增大 | D. | N不變、f不變 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 在此過(guò)程中通過(guò)R的電荷量為$\frac{B{L}^{2}R}{R+r}$ | |
B. | 當(dāng)棒達(dá)到最大速度時(shí),棒兩端的電勢(shì)差為Uab=$\frac{BLvR}{R+r}$ | |
C. | 當(dāng)棒達(dá)到最大速度時(shí),回路中的感應(yīng)電流I=$\frac{BLv}{R+r}$ | |
D. | 在此過(guò)程中電阻R上消耗的能量為FL-mgLsinθ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 機(jī)械波和電磁波都能發(fā)生干涉和衍射現(xiàn)象 | |
B. | 可以用紫外線驗(yàn)鈔 | |
C. | 只有頻率相同的兩列波才能干涉 | |
D. | 在雙縫干涉現(xiàn)象里,相鄰兩亮條紋和暗條紋的間距是不相等的 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 兩球速度一樣大 | B. | 兩球的動(dòng)能一樣大 | ||
C. | 兩球的機(jī)械能一樣大 | D. | B球所受的拉力較大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 該點(diǎn)電荷離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)速度方向的反向延長(zhǎng)線通過(guò)O點(diǎn) | |
B. | 該點(diǎn)電荷的比荷為$\frac{q}{m}$=$\frac{2{v}_{0}}{BR}$ | |
C. | 該點(diǎn)電荷的比荷為$\frac{q}{m}$=$\frac{(\sqrt{3}-1){v}_{0}}{BR}$ | |
D. | 該點(diǎn)電荷在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t=$\frac{(1+\sqrt{3})πR}{4{v}_{0}}$ |
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