分析 (1)P進入磁場時恰好勻速運動,根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律、閉合電路歐姆定律、安培力公式推導出P所受的安培力與速度的關(guān)系,再由P受力平衡,求出P進入磁場時的速度,最后由牛頓第二定律和運動學公式結(jié)合求解S.
(2)分析兩棒的運動情況:P進入磁場以速度v1勻速運動△t=0.2s后,Q恰好進入磁場,速度也為v1=2m/s.之后,P、Q以加速度a勻加速運動,P出磁場以后繼續(xù)以加速度a勻加速運動,而Q在安培力作用下減速運動,直到穿出磁場區(qū)域.分段求解回路中產(chǎn)生的熱量,從而得到總熱量.
解答 解:(1)設(shè)P進磁場時的速度為v1,
由法拉第電磁感應(yīng)定律 E=BLv1
由閉合電路歐姆定律 I=$\frac{E}{2R}$
P所受的安培力 F=BIL
P勻速運動,則有 F=mgsinθ
聯(lián)立解得 v1=2m/s
由牛頓第二定律 a=gsinθ
由運動學公式 S=$\frac{{v}_{1}^{2}}{2a}$
解得 S=$\frac{1}{3}$m≈0.33m
(2)P進入磁場以速度v1勻速運動△t=0.2s后,Q恰好進入磁場,速度也為v1=2m/s.之后,P、Q以加速度a勻加速運動,P出磁場以后繼續(xù)以加速度a勻加速運動,而Q在安培力作用下減速運動,直到穿出磁場區(qū)域.
P在磁場中勻速運動的位移 x1=v1t
此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱 Q1=mgx1sinθ
P、Q一起勻加速運動的位移 x2=D-x1
設(shè)P剛好出磁場時,P、Q的速度為v,由運動學公式
v2-v12=2ax2
解得 v=4m/s
Q出磁場時的速度為v2=2.8m/s,運動的位移 x3=x1.
Q減速運動過程中回路產(chǎn)生的焦耳熱
Q2=mgx3sinθ+$\frac{1}{2}m{v}^{2}$-$\frac{1}{2}m{v}_{2}^{2}$
所以,全過程回路中的焦耳熱為Q總=Q1+Q2=0.888J
答:
(1)導軌頂端與磁場上邊界ef之間的距離S為0.33m;
(2)從導體棒P釋放到Q穿出磁場的過程,回路中產(chǎn)生的焦耳熱Q總為0.888J.
點評 本題考查電磁感應(yīng)現(xiàn)象的動力學與能量問題.關(guān)鍵要正確分析導體棒的運動情況,確定其受力情況,同時要抓住兩個導體棒之間的關(guān)系,比較位移關(guān)系等分析.
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A、B兩點的電勢一定相等 | |
B. | 粒子從A向O運動過程中所受電場力均勻增大 | |
C. | A、O間的電場強度大于O、B間的電場強度 | |
D. | 若將一帶負電的粒子從A點由靜止釋放,則當粒子運動到O點時動能最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | E1<$\frac{kQ}{4{R}^{2}}$ | |
B. | E2=$\frac{kQ}{4{R}^{2}}$ | |
C. | 電荷Q在球心O處產(chǎn)生的場強方向垂直于底面向下 | |
D. | 電荷Q在球心O處產(chǎn)生的場強方向垂直于底面向上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在定義加速度,電場強度,電容器的電容等物理量時采用了類比法 | |
B. | 在不需要考慮物體本身的大小和形狀時,用質(zhì)點來代替物體的方法叫假設(shè)法 | |
C. | 在用實驗探究加速度、力和質(zhì)量三者之間關(guān)系時,應(yīng)用了控制變量法 | |
D. | 在推導勻變速運動位移公式時,把整個運動過程劃分成很多小段,每一小段近似看作勻速直線運動,然后把各小段的位移相加,這里采用了微元法 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 帶電小球從A到O,電勢能減小 | |
B. | 從A到O小球所受的電場力一直減小 | |
C. | 從A到O小球所受的電場力先增大后減小 | |
D. | 小球經(jīng)過O點時速度為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若石塊不能落入水中,則v0越大,落到斜面上時速度方向與斜面的夾角越大 | |
B. | 若石塊不能落入水中,則v0越大,落到斜面上時速度方向與斜面的夾角越小 | |
C. | 若石塊能落入水中,則v0越大,落水時速度方向與水平面的夾角越大 | |
D. | 若v0=18m/s,則石塊可以落入水中 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 布朗運動就是液體分子的無規(guī)則運動 | |
B. | 理想氣體絕熱壓縮內(nèi)能會增大 | |
C. | 理想氣體等溫膨脹內(nèi)能會減小 | |
D. | 熱量不可以從低溫物體傳到高溫物體 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A端的電勢比B端的電勢高 | |
B. | A端的電荷比B端的電荷密集 | |
C. | A端額電勢可能比B端的電勢高,也可能比B端的電勢低 | |
D. | A端的電勢與B端的電勢相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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