2.某科技興趣小組用實(shí)驗(yàn)裝置模擬火箭發(fā)射衛(wèi)星.火箭點(diǎn)燃后從地面豎直升空,燃料燃盡后火箭的第一級(jí)第二級(jí)相繼脫落,實(shí)驗(yàn)中測得衛(wèi)星豎直方向的速度-時(shí)間圖象如圖所示,設(shè)運(yùn)動(dòng)中不計(jì)空氣阻力,燃料燃燒時(shí)產(chǎn)生的推力大小恒定.下列判斷正確的是( 。
A.t2時(shí)刻衛(wèi)星到達(dá)最高點(diǎn),t3時(shí)刻衛(wèi)星落回地面
B.衛(wèi)星在0~t1時(shí)間內(nèi)的加速度大于t1~t2時(shí)間內(nèi)的加速度
C.t1~t2時(shí)間內(nèi)衛(wèi)星處于超重狀態(tài),t2~t3時(shí)間內(nèi)衛(wèi)星處于失重狀態(tài)
D.衛(wèi)星在t2~t3時(shí)間內(nèi)的加速度大小大于重力加速度

分析 (1)v-t圖象中,傾斜的直線表示勻變速直線運(yùn)動(dòng),斜率表示加速度,傾斜角越大表示加速度越大,圖象與坐標(biāo)軸圍成的面積表示位移;
(2)判斷超重失重的方法是:加速度方向向上,物體處于超重狀態(tài),加速度方向向下,物體處于失重狀態(tài).

解答 解:A.火箭上升的最大高度即為運(yùn)動(dòng)過程中的最大位移,由圖可知當(dāng)速度等于零時(shí),位移最大,火箭處于最高點(diǎn),即t3時(shí)刻到達(dá)最高點(diǎn),故A錯(cuò)誤;
   B.v-t圖象中斜率表示加速度,傾斜角越大表示加速度越大,由圖可知火箭在0~t1時(shí)間內(nèi)的加速度小于t1~t2時(shí)間內(nèi)的加速度,故B錯(cuò)誤;
   D.加速度方向向上,物體處于超重狀態(tài),加速度方向向下,物體處于失重狀態(tài),由圖可知,t1~t2時(shí)間內(nèi)加速度為正,向上,所以火箭處于超重狀態(tài),t2~t3時(shí)間內(nèi)加速度為負(fù),向下,所以火箭處于失重狀態(tài),故C正確;
 C.火箭在t2~t3時(shí)間內(nèi)沒有燃料燃燒,又不計(jì)空氣阻力,故火箭只受重力,所以加速度等于重力加速度,故D錯(cuò)誤;
故選:C.

點(diǎn)評(píng) 本題是速度--時(shí)間圖象的應(yīng)用,要明確斜率的含義,知道在速度--時(shí)間圖象中圖象與坐標(biāo)軸圍成的面積的含義,能根據(jù)加速度正確判斷物體是超重還是失重狀態(tài),能根據(jù)圖象讀取有用信息,屬于基礎(chǔ)題.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:多選題

12.在居室裝修中經(jīng)常用到花崗巖、大理石等裝飾材料,據(jù)報(bào)道這些巖石都具有不同程度的放射性,放射出的α、β、γ射線,會(huì)導(dǎo)致細(xì)胞發(fā)生癌變及呼吸道等方面的疾病.根據(jù)有關(guān)放射性知識(shí)可知,下列說法正確的是( 。
A.氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡原子核,經(jīng)7.6天后就一定剩下一個(gè)氡原子核了
B.γ射線一般伴隨著α或β射線產(chǎn)生,在這三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力最弱
C.β衰變所釋放的電子是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子時(shí)所產(chǎn)生的
D.若使放射性物質(zhì)的溫度升高,其半衰期將減小
E.鈾核(${\;}_{92}^{238}$U)衰變?yōu)殂U核(${\;}_{82}^{206}$Pb)的過程中,要經(jīng)過8次α衰變和6次β衰變

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

13.如圖所示,理想變壓器的輸入端接交流電壓,輸出端并聯(lián)兩只相同的小燈泡L1、L2,燈泡的額定電壓為20V,額定功率為10W,電路連接了兩只理想電流表A1、A2,導(dǎo)線電阻不計(jì).開始時(shí)電鍵S斷開,小燈泡L1恰好正常發(fā)光.下列說法正確的是( 。
A.原副線圈的匝數(shù)比為n1:n2=3$\sqrt{2}$:1
B.流過小燈泡L1的電流方向每秒改變10次
C.電鍵S閉合后,小燈泡L1變暗
D.電鍵S閉合后,電流表A1的讀數(shù)變大

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

10.熱敏電阻常常應(yīng)用在控制電路中.某實(shí)驗(yàn)小組選用下列器材探究熱敏電阻Rx(常溫下阻值約為5.0Ω)的伏安特性曲線:
A.電流表A量程0.6A,內(nèi)阻約0.2Ω)
B.電壓表V量程15.0V,內(nèi)阻約10kΩ)
C.滑動(dòng)變阻器R最大阻值為10Ω)
D.滑動(dòng)變阻器R′(最大阻值為600Ω)
E.電源E電動(dòng)勢20V,內(nèi)阻忽略)
F.電鍵、導(dǎo)線若干

(1)為了完成實(shí)驗(yàn),在提供的器材中,應(yīng)選擇的滑動(dòng)變阻器為C(只需填寫器材前面的字母即可).
(2)圖1中已經(jīng)連接好了一部分電路,請(qǐng)問還需做的連接是:連接1和2,連接8和14(回答時(shí),請(qǐng)以接線處的數(shù)字代號(hào)進(jìn)行敘述,如:連接9與10…).
(3)該小組通過實(shí)驗(yàn)依次作出了兩個(gè)熱敏電阻R1、R2的I-U圖線如圖2中曲線Ⅰ、Ⅱ所示.然后又將這兩個(gè)熱敏電阻串聯(lián)后與一輸出電壓恒定為16V的電源相連,則通過 熱敏電阻的電流為0.44A,該電源的輸出功率為7.04W.

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

17.目前,在居室裝修中經(jīng)常用到的花崗巖、大理石等裝修材料,都不同程度地含有放射性元素,裝修污染已經(jīng)被列為“危害群眾最大的五種環(huán)境污染”之一.有關(guān)放射性元素的下列說法正確的是( 。
A.氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡核,經(jīng)過7.6天就只剩下一個(gè)氡原子核了
B.發(fā)生a衰變時(shí),生成核與原來的原子核相比,中子數(shù)減少了4個(gè)
C.β衰變所釋放的電子是原子核中的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子所產(chǎn)生的
D.γ射線一般伴隨著a或β射線產(chǎn)生,在這三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力也最強(qiáng)

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7.半徑為R的半圓柱形玻璃磚的截面如圖所示,O為圓心,光線Ⅰ沿半徑方向從a點(diǎn)射入玻璃磚后,恰好在O點(diǎn)發(fā)生全反射,另一條光線Ⅱ平行于光線Ⅰ從最高點(diǎn)b射入玻璃磚后,在底邊MN上的d點(diǎn)射出.若測得Od=$\frac{R}{4}$,則該玻璃磚的折射率為多少?

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14.某實(shí)驗(yàn)小組器材有:光電門、數(shù)字計(jì)時(shí)器、刻度尺、游標(biāo)卡尺和有遮光條的小物塊.用如圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置測量小物塊與粗糙水平面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ.曲面AB固定在水平面上,其與水平面相切于B點(diǎn),P為接有數(shù)字計(jì)時(shí)器的光電門,實(shí)驗(yàn)時(shí)將帶有遮光條的小物塊m從曲面AB上某點(diǎn)自由釋放,小物塊通過光電門P后停在水平面上的C點(diǎn).已知當(dāng)?shù)刂亓铀俣葹間.為了測量動(dòng)摩擦因數(shù),用游標(biāo)卡尺測出較窄遮光條寬度d和數(shù)字計(jì)時(shí)器測量的遮光時(shí)間t,還需要測量的物理量及其符號(hào)是光電門與C點(diǎn)間的距離s,動(dòng)摩擦因數(shù)μ=$\frac{hejeiwk^{2}}{2g{t}^{2}s}$(利用測量的量表示).

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11.如圖所示,垂直紙面的平面MN將空間分成兩部分,上方有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,下方有勻強(qiáng)電場,大小方向未知,從MN上的O點(diǎn),先后有兩個(gè)帶電粒子垂直磁場方向射入上方空間,其中甲粒子帶負(fù)電,速度方向與MN的夾角α=30°,大小v1=v0,乙粒子帶正電,速度方向與MN的夾角β=60°,大小v2=$\sqrt{3}$v0,兩粒子質(zhì)量皆為m、電荷量皆為q,且同時(shí)到達(dá)磁場邊界的A、B兩點(diǎn)(圖中未畫出),不計(jì)兩粒子的重力及粒子間的相互作用.
(1)求兩粒子在磁場邊界上的穿出點(diǎn)A、B之間的距離d;
(2)求兩粒子進(jìn)入磁場的時(shí)間間隔△t;
(3)若MN下方的勻強(qiáng)電場平行于紙面,且兩粒子在電場中相遇,其中甲粒子做直線運(yùn)動(dòng),求電場強(qiáng)度E的大小和方向.

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

12.美國航天局計(jì)劃2030的把宇航員送上火星,若宇航員到達(dá)火星以后,在火星表面上以初速度v0豎直向上拋出一小球,測得經(jīng)過時(shí)間t小球落回火星表面,速度大小仍為v0,若將火星視為密度均勻,半徑為R的球體,引力常量為G,則火星的密度為( 。
A.$\frac{3{v}_{0}}{2GπRt}$B.$\frac{2{v}_{0}}{3GπRt}$C.$\frac{3{v}_{0}}{4GπRt}$D.$\frac{4{v}_{0}}{3GπRt}$

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