分析 (1)在電場中是直線加速,根據(jù)動能定理列式求解進(jìn)入磁場的速度;
(2)在磁場中做勻速圓周運動,經(jīng)過半個圓周后進(jìn)入電場,做勻變速直線運動,再次進(jìn)入磁場后做做勻速uanguidao圓周運動,經(jīng)過半個圓周第4次經(jīng)過x軸;根據(jù)牛頓第二定律列式求解圓軌道的軌道半徑,結(jié)合幾何關(guān)系得到第四次通過X軸的位置;
(3)在磁場中運動過程,根據(jù)t=$\frac{θ}{2π}T$列式求解時間;在電場中過程,根據(jù)運動學(xué)公式列式求解時間.
解答 解:(1)在電場中是直線加速過程,有:
$qEb=\frac{1}{2}m{v^2}$
解得:v=$\sqrt{\frac{2qEb}{m}}$
(2)粒子在磁場中運動時,洛侖茲力提供向心力,故:
$qvB=m\frac{v^2}{r}$
解得:$r=\frac{mv}{qB}$
畫出運動軌跡,如圖所示:
故粒子第四次通過X軸的位置坐標(biāo)為:
x=4r=$\frac{4mv}{qB}$
(3)粒子從釋放到第三次通過X軸過程是正向下通過x軸,在(2r,0)位置;從釋放到第一次通過x軸過程,根據(jù)動量定理,有:qEt1=mv
解得:${t_1}=\frac{mv}{qE}=\sqrt{\frac{2mb}{qE}}$
經(jīng)過半個圓周的時間為:${t_2}=\frac{T}{2}=\frac{πm}{qB}$
第二次通過x軸是向上,到第三次通過x軸的過程的時間:${t_3}=2{t_1}=2\sqrt{\frac{2mb}{qE}}$
故粒子從釋放到第三次通過X軸所用的時間:$t={t_1}+{t_2}+{t_3}=3\sqrt{\frac{2mb}{qE}}+\frac{πm}{qB}$
答:(1)釋放進(jìn)入磁場時的速度為$\sqrt{\frac{2qEb}{m}}$;
(2)粒子第四次通過X軸的位置坐標(biāo)為($\frac{4mv}{qB}$,0);
(3)粒子從釋放到第三次通過X軸所用的時間為$3\sqrt{\frac{2mb}{qE}}+\frac{πm}{qB}$.
點評 本題關(guān)鍵是分勻變速直線運動和勻速圓周運動進(jìn)行分析,要畫出軌跡,結(jié)合幾何關(guān)系、牛頓第二定律、動能定理、動量定理列式分析,不難.
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A. | 衛(wèi)星M的環(huán)繞周期最大 | |
B. | 衛(wèi)星M的軌道平面一定與該未知天體的赤道平面重合 | |
C. | 衛(wèi)星M所受的萬有引力最大 | |
D. | 衛(wèi)星M的運行速度最大 |
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A. | 滑鍵P向b方向移動、滑鍵Q不動,電流表示數(shù)增大 | |
B. | 滑鍵P不動,滑鍵Q上移,電流表示數(shù)不變 | |
C. | 滑鍵P向b方向移動、滑鍵Q不動,電壓表示數(shù)減小 | |
D. | 滑鍵P不動,滑鍵Q上移,電壓表示數(shù)增大 |
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A. | 它是法拉第用來形象地描述電場的一組人為的曲線 | |
B. | 場強(qiáng)越大的地方,電場線越密,反之則越稀蔬 | |
C. | 電場線永遠(yuǎn)不相交 | |
D. | 電場線是表示正電荷運動軌跡的曲線 |
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