A. | 通過線框截面的電量為$\frac{B{L}^{2}}{R}$ | |
B. | 線框中電流的大小為$\frac{3BLv}{R}$ | |
C. | 線框所受的安培力的大小為$\frac{6{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$ | |
D. | 線框中產(chǎn)生的焦耳熱為$\frac{9{B}^{2}{L}^{3}v}{R}$ |
分析 A根據(jù)電荷量的計(jì)算公式求解電荷量大;根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律和閉合電路的歐姆定律求解感應(yīng)電流的大。桓鶕(jù)安培力的計(jì)算公式可得線框所受的安培力的大。桓鶕(jù)焦耳定律計(jì)算焦耳熱;解答過程注意兩邊都切割磁感應(yīng)線.
解答 解:A、根據(jù)電荷量的計(jì)算公式可得q=It=$\frac{△Φ}{R}$,其中磁通量的變化量△Φ=3BL2,所以通過線框截面的電量為$\frac{3B{L}^{2}}{R}$,故A錯(cuò)誤;
B、根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律可得感應(yīng)電動(dòng)勢E=3BLv,根據(jù)閉合電路的歐姆定律可得感應(yīng)電流的大小為$\frac{3BLv}{R}$,故B正確;
C、根據(jù)安培力的計(jì)算公式可得線框所受的安培力的大小為F=BIL+2BIL=3BIL=$\frac{9{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,故C錯(cuò)誤;
D、線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q=I2Rt=$(\frac{3BLv}{R})^{2}R•\frac{L}{v}$=$\frac{9{B}^{2}{L}^{3}v}{R}$,故D正確;
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題主要是考查了法拉第電磁感應(yīng)定律和安培力的計(jì)算;對(duì)于導(dǎo)體切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢情況有兩種:一是導(dǎo)體平動(dòng)切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢,可以根據(jù)E=BLv來計(jì)算;二是導(dǎo)體棒轉(zhuǎn)動(dòng)切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢,可以根據(jù)$E=\frac{1}{2}B{L}^{2}ω$來計(jì)算.注意磁通量變化量的計(jì)算方法.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 核反應(yīng)${\;}_7^{14}N+{\;}_2^4He→{\;}_8^{17}O+{\;}_1^1H$為人類第一次實(shí)現(xiàn)的原子核的人工轉(zhuǎn)變 | |
B. | 在α、β、γ三種射線中,γ射線穿透能力最強(qiáng),α射線電離作用最強(qiáng) | |
C. | 遏止電壓的大小與入射光的頻率成正比,與入射光的光強(qiáng)無關(guān) | |
D. | 處于n=3能級(jí)的大量氫原子向低能級(jí)躍遷時(shí),輻射光的頻率有3種 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物塊A由P點(diǎn)出發(fā)第一次到達(dá)C點(diǎn)過程中,速度先增大后減小 | |
B. | 物塊A經(jīng)過C點(diǎn)時(shí)的速度大小為$\sqrt{gh}$ | |
C. | 物塊A在桿上長為$2\sqrt{3}h$的范圍內(nèi)做往復(fù)運(yùn)動(dòng) | |
D. | 在物塊A由P點(diǎn)出發(fā)第一次到達(dá)C點(diǎn)過程中,物塊B克服細(xì)線拉力做的功小于B重力勢能的減少量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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