分析 (1)帶電粒子電場(chǎng)力與洛倫茲力平衡時(shí),即可求解;
(2)離子在洛倫茲力作用下,做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律可求出半徑;離子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式可求出發(fā)生位移,從而確定離子打到熒光屏的水平坐標(biāo);
(3)根據(jù)幾何知識(shí)來畫出運(yùn)動(dòng)軌跡,求出最大半徑,并結(jié)合牛頓第二定律,求出磁場(chǎng)滿足的條件.
解答 解:(1)設(shè)離子的速度大小為v,由于沿中線PQ做直線運(yùn)動(dòng)
則有qE1=qvB1,
代入數(shù)據(jù)解得:v=5.0×105 m/s.
(2)離子進(jìn)入磁場(chǎng),做勻速圓周運(yùn)動(dòng),
由牛頓第二定律有qvB2=m$\frac{{v}^{2}}{r}$得,r=0.2 m,
作出離子的運(yùn)動(dòng)軌跡,交OA邊界于N,如圖甲所示,OQ=2r,
若磁場(chǎng)無邊界,一定通過O點(diǎn),則圓弧QN的圓周角為45°,
則軌跡圓弧的圓心角為θ=90°,過N點(diǎn)做圓弧切線,方向豎直向下,
離子垂直電場(chǎng)線進(jìn)入電場(chǎng),做類平拋運(yùn)動(dòng)
y=OO′=vt
x=$\frac{1}{2}$at2
而a=$\frac{q{E}_{2}}{m}$
則x=0.4 m
離子打到熒光屏上的位置C的水平坐標(biāo)為xC=(0.2+0.4)m=0.6 m.
(3)只要粒子能跨過AO邊界進(jìn)入水平電場(chǎng)中,粒子就具有豎直向下的速度而一定打在x軸上.如圖乙所示,由幾何關(guān)系可知使離子不能打到x軸上的最大半徑r′=$\frac{0.4}{\sqrt{2}+1}$ m
設(shè)使離子都不能打到x軸上,最小的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B0
則qvB0=m$\frac{{v}^{2}}{r′}$,代入數(shù)據(jù)解得B0=$\frac{\sqrt{2}+1}{8}$ T=0.3 T,
則B2′≥0.3 T.
答:(1)離子在平行板間運(yùn)動(dòng)的速度大小5.0×105 m/s;
(2)離子打到熒光屏上的位置C的水平坐標(biāo)0.6 m;
(3)現(xiàn)只改變AOy區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小,使離子都不能打到x軸上,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B2′應(yīng)滿足大于0.3T.
點(diǎn)評(píng) 考查帶電粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng)與類平拋運(yùn)動(dòng)中,用牛頓第二定律與運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,并結(jié)合幾何關(guān)系來處理這兩種運(yùn)動(dòng),強(qiáng)調(diào)運(yùn)動(dòng)的分解,并突出準(zhǔn)確的運(yùn)動(dòng)軌跡圖.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向上 | B. | 向下 | C. | 向左 | D. | 向右 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)B剛離開C時(shí),A發(fā)生的位移大小為$\frac{3mgsinθ}{k}$ | |
B. | 從靜止到B剛離開C的過程中,物塊A克服重力做功為$\frac{3{m}^{2}{g}^{2}sinθ}{k}$ | |
C. | B剛離開C時(shí),恒力對(duì)A做功的功率為(2mgsinθ+ma)v | |
D. | 當(dāng)A的速度達(dá)到最大時(shí),B的加速度大小為$\frac{a}{2}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體A受到的向心力增大 | B. | 物體A的線速度大小不變 | ||
C. | 物體A離轉(zhuǎn)軸的距離是$\frac{r}{2}$ | D. | 物體A離轉(zhuǎn)軸的距離是$\frac{r}{4}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體與斜面摩擦生熱相同 | B. | 物體機(jī)械能變化量相同 | ||
C. | F1做的功與F2做的功相同 | D. | F1做功的功率比F2做功的功率大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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