19.如圖所示的平行板之間,存在著相互垂直的勻強磁場和勻強電場,磁場的磁感應(yīng)強度B1=0.20T,方向垂直紙面向里,電場強度E1=1.0×105 V/m,PQ為板間中線.緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi),有一邊界線AO,與y軸的夾角∠AOy=45°,邊界線的上方有垂直紙面向外的勻強磁場,磁感應(yīng)強度B2=0.25T,邊界線的下方有水平向右的勻強電場,電場強度E2=5.0×105 V/m,在x軸上固定一水平的熒光屏.一束帶電荷量q=8.0×10-19 C、質(zhì)量m=8.0×10-26 kg的正離子從P點射入平行板間,沿中線PQ做直線運動,穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為(0,0.4m)的Q點垂直y軸射入磁場區(qū),最后打到水平的熒光屏上的位置C.求:(不計離子的重力影響)
(1)離子在平行板間運動的速度大;
(2)離子打到熒光屏上的位置C的坐標(biāo);
(3)現(xiàn)只改變AOy區(qū)域內(nèi)磁場的磁感應(yīng)強度大小,使離子都不能打到x軸上,磁感應(yīng)強度大小B2′應(yīng)滿足什么條件?

分析 (1)帶電粒子電場力與洛倫茲力平衡時,即可求解;
(2)離子在洛倫茲力作用下,做勻速圓周運動,由牛頓第二定律可求出半徑;離子在電場中做類平拋運動,根據(jù)運動學(xué)公式可求出發(fā)生位移,從而確定離子打到熒光屏的水平坐標(biāo);
(3)根據(jù)幾何知識來畫出運動軌跡,求出最大半徑,并結(jié)合牛頓第二定律,求出磁場滿足的條件.

解答 解:(1)設(shè)離子的速度大小為v,由于沿中線PQ做直線運動
則有qE1=qvB1
代入數(shù)據(jù)解得:v=5.0×105 m/s.
(2)離子進入磁場,做勻速圓周運動,
由牛頓第二定律有qvB2=m$\frac{{v}^{2}}{r}$得,r=0.2 m,
作出離子的運動軌跡,交OA邊界于N,如圖甲所示,OQ=2r,
若磁場無邊界,一定通過O點,則圓弧QN的圓周角為45°,
則軌跡圓弧的圓心角為θ=90°,過N點做圓弧切線,方向豎直向下,
離子垂直電場線進入電場,做類平拋運動
y=OO′=vt   
 x=$\frac{1}{2}$at2
而a=$\frac{q{E}_{2}}{m}$      
則x=0.4 m
離子打到熒光屏上的位置C的水平坐標(biāo)為xC=(0.2+0.4)m=0.6 m.
(3)只要粒子能跨過AO邊界進入水平電場中,粒子就具有豎直向下的速度而一定打在x軸上.如圖乙所示,由幾何關(guān)系可知使離子不能打到x軸上的最大半徑r′=$\frac{0.4}{\sqrt{2}+1}$ m
設(shè)使離子都不能打到x軸上,最小的磁感應(yīng)強度大小為B0
則qvB0=m$\frac{{v}^{2}}{r′}$,代入數(shù)據(jù)解得B0=$\frac{\sqrt{2}+1}{8}$ T=0.3 T,
則B2′≥0.3 T.
答:(1)離子在平行板間運動的速度大小5.0×105 m/s;
(2)離子打到熒光屏上的位置C的水平坐標(biāo)0.6 m;
(3)現(xiàn)只改變AOy區(qū)域內(nèi)磁場的磁感應(yīng)強度大小,使離子都不能打到x軸上,磁感應(yīng)強度大小B2′應(yīng)滿足大于0.3T.

點評 考查帶電粒子做勻速圓周運動與類平拋運動中,用牛頓第二定律與運動學(xué)公式,并結(jié)合幾何關(guān)系來處理這兩種運動,強調(diào)運動的分解,并突出準(zhǔn)確的運動軌跡圖.

練習(xí)冊系列答案
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A.當(dāng)B剛離開C時,A發(fā)生的位移大小為$\frac{3mgsinθ}{k}$
B.從靜止到B剛離開C的過程中,物塊A克服重力做功為$\frac{3{m}^{2}{g}^{2}sinθ}{k}$
C.B剛離開C時,恒力對A做功的功率為(2mgsinθ+ma)v
D.當(dāng)A的速度達到最大時,B的加速度大小為$\frac{a}{2}$

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A.物體A受到的向心力增大B.物體A的線速度大小不變
C.物體A離轉(zhuǎn)軸的距離是$\frac{r}{2}$D.物體A離轉(zhuǎn)軸的距離是$\frac{r}{4}$

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A.物體與斜面摩擦生熱相同B.物體機械能變化量相同
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4.核反應(yīng)主要涉及四種相互作用中的強相互作用;鉍的半衰期為5天,20g的鉍經(jīng)過20天還剩下1.25g沒有衰變.

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(2)電場強度E的大;
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(3)若微粒從P點射出時的速率為v,試推出在x>0的區(qū)域中磁場的邊界點坐標(biāo)x與y之間滿足的關(guān)系式.

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