A. | 落到盤上的時(shí)間間隔越來(lái)越大 | |
B. | 落到盤上的時(shí)間間隔相等 | |
C. | 依次落到盤上的速率關(guān)系為1:$\sqrt{2}$:$\sqrt{3}$:2 | |
D. | 依次落到盤上的時(shí)間關(guān)系為1:($\sqrt{2}$-1):($\sqrt{3}$-$\sqrt{2}$):(2-$\sqrt{3}$) |
分析 5個(gè)鐵墊圈同時(shí)做自由落體運(yùn)動(dòng),下降的位移之比為1:3:5:7.根據(jù)初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)的推論知,在相等時(shí)間內(nèi)的位移之比為1:3:5:7,可以確定落地的時(shí)間間隔是否相等,從而根據(jù)v=gt得出落到盤中的速率之比.
解答 解:A、5個(gè)鐵墊圈同時(shí)做自由落體運(yùn)動(dòng),下降的位移之比為1:3:5:7.可以看成一個(gè)鐵墊圈自由下落,經(jīng)過(guò)位移之比為1:3:5:7.因?yàn)槌跛俣葹榱愕膭蚣铀僦本運(yùn)動(dòng)在相等時(shí)間內(nèi)的位移之比為1:3:5:7,知各墊圈落到盤中的時(shí)間間隔相等.故A錯(cuò)誤,B正確.
C、因各墊圈依次落到盤中的時(shí)間比為1:2:3:4,由v=gt,所以依次落到盤上的速率關(guān)系為1:2:3:4,故C錯(cuò)誤.
D、因?yàn)楦鲏|圈落到盤中的時(shí)間間隔相等,則各墊圈依次落到盤中的時(shí)間比為1:2:3:4.故D錯(cuò)誤;
故選:B
點(diǎn)評(píng) 解決本題本題的關(guān)鍵掌握自由落體運(yùn)動(dòng)的規(guī)律,知道初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)的一些推論.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 兩點(diǎn)電荷一定都帶正電 | |
B. | O點(diǎn)處電勢(shì)不可能為零 | |
C. | 直線BD上從O點(diǎn)向兩側(cè)無(wú)窮遠(yuǎn)處,電場(chǎng)強(qiáng)度先減小后增大 | |
D. | 若將一電子從E點(diǎn)移動(dòng)到F點(diǎn),則電場(chǎng)力做功可能為零 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 由b移到P的過(guò)程中.電場(chǎng)力做的功是5個(gè)單位 | |
B. | 由b移到P的過(guò)程中.電場(chǎng)力做的功是負(fù)5個(gè)單位 | |
C. | 由b移到P的過(guò)程中.電場(chǎng)力做的功大于5個(gè)單位 | |
D. | 因?yàn)閍到b的過(guò)程中,電場(chǎng)力做的功未知,故b到P的過(guò)程中電場(chǎng)力做功無(wú)法確定 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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