科目: 來源: 題型:多選題
A. | 在上滑過程中的平均速度為$\frac{{v}_{0}}{2}$ | |
B. | 在上滑過程中克服安培力做的功大于下滑過程中克服安培力做的功 | |
C. | 在上滑過程中電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱等于減少的動(dòng)能 | |
D. | 在上滑過程中通過電阻R的電荷量等于下滑過程中流過電阻R的電荷量 |
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A. | $\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{R}$ | B. | $\frac{{B}^{2}{L}^{3}v}{2R}$ | C. | $\frac{3{B}^{2}{L}^{3}v}{4R}$ | D. | $\frac{3{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{4R}$ |
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A. | 若不計(jì)空氣阻力,上升過程中,A對(duì)B有向上的支持力 | |
B. | 若考慮空氣阻力,上升過程中,A對(duì)B的壓力向下 | |
C. | 若考慮空氣阻力,下落過程中,B對(duì)A的壓力向上 | |
D. | 若不計(jì)空氣阻力,下落過程中,B對(duì)A有向下壓力 |
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A. | 液晶具有流動(dòng)性,光學(xué)性質(zhì)各向異性 | |
B. | 氣體擴(kuò)散現(xiàn)象表明氣體分子間存在斥力 | |
C. | 熱量總是自發(fā)的從分子平均動(dòng)能大的物體傳遞到分子平均動(dòng)能小的物體 | |
D. | 機(jī)械能不可能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,內(nèi)能也無法全部用來做功以轉(zhuǎn)化成機(jī)械能 | |
E. | 液體表面層分子間距離大于液體內(nèi)部分子間距離,所以液體表面存在表面張力 |
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A. | 線框在經(jīng)過2、3、4三個(gè)位置時(shí),位置3時(shí)線圈速度一定最小 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱Q=mg(d-l) | |
C. | 線框從位置2下落到位置4的過程中加速度一直減小 | |
D. | 線框在即將到達(dá)位置3的瞬間克服安培力做功的瞬時(shí)功率為$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$ |
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