科目: 來(lái)源: 題型:填空題
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 磁感線上每一點(diǎn)的切線方向,都跟對(duì)應(yīng)點(diǎn)磁場(chǎng)的方向一致 | |
B. | 在同一磁場(chǎng)中,磁感線的疏密程度可以表示磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小 | |
C. | 磁感線從磁體的北極出發(fā),終止于南極 | |
D. | 電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)磁感線一定是曲線 |
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 母核的質(zhì)量數(shù)大于子核的質(zhì)量數(shù) | B. | 母核的電荷數(shù)小于子核的電荷數(shù) | ||
C. | 子核的動(dòng)量與中微子的動(dòng)量相同 | D. | 子核的動(dòng)能小于中微子的動(dòng)能 |
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 該同學(xué)的答案是正確的 | |
B. | 該同學(xué)的答案是錯(cuò)誤的,因?yàn)榈仁紾M=gR2不成立 | |
C. | 該同學(xué)的答案是錯(cuò)誤的,因?yàn)楸绢}不能用等式GM=gR2求解 | |
D. | 該同學(xué)的答案是錯(cuò)誤的,本題雖然能用等式GM=gR2求解,但他分析問(wèn)題時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤 |
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在玻璃中B光傳播的速度較大 | |
B. | A光的光子能量較大 | |
C. | 若分別用這兩種單色光做雙縫干涉實(shí)驗(yàn),且保持其他實(shí)驗(yàn)條件不變,則A光在屏上形成的明條紋寬度較大 | |
D. | 若用B光照射某金屬板能產(chǎn)生光電效應(yīng),則用A光照射該金屬板也一定能產(chǎn)生光電效應(yīng) |
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 氣體的溫度升高時(shí),分子的熱運(yùn)動(dòng)變得劇烈,分子的平均動(dòng)能增大,撞擊器壁時(shí)對(duì)器壁的作用力增大,從而氣體的壓強(qiáng)一定增大 | |
B. | 氣體體積變小時(shí),單位體積的分子數(shù)增多,單位時(shí)間內(nèi)撞到器壁單位面積上的分子數(shù)增多,從而氣體的壓強(qiáng)一定增大 | |
C. | 壓縮一定質(zhì)量的氣體,氣體的內(nèi)能一定增加 | |
D. | 分子a只在分子b的分子力作用下,從無(wú)窮遠(yuǎn)處向固定不動(dòng)的分子b運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中,當(dāng)a到達(dá)受b的作用力為零的位置時(shí),a的動(dòng)能一定最大 |
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物體的溫度升高,每個(gè)分子的動(dòng)能都增大 | |
B. | 物體的溫度升高,分子的總動(dòng)能增加 | |
C. | 如果分子的質(zhì)量為m,平均速率為v,則其平均動(dòng)能為$\frac{1}{2}$mv2 | |
D. | 分子的平均動(dòng)能等于物體內(nèi)所有分子的動(dòng)能與分子的總數(shù)之比 |
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科目: 來(lái)源: 題型:解答題
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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物塊的運(yùn)動(dòng)軌跡AB可能是某個(gè)圓的一段圓弧 | |
B. | 物塊的動(dòng)能可能先增大后減小 | |
C. | B點(diǎn)的加速度與速度的夾角小于90° | |
D. | 物塊的速度大小可能為$\frac{{v}_{0}}{2}$ |
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