科目: 來源: 題型:選擇題
A. | Ua>Uc,金屬框中無電流 | |
B. | Ub<Uc,金屬框中電流方向沿a-b-c-a | |
C. | Ubc=-$\frac{1}{2}$Bl2ω,金屬框中無電流 | |
D. | Ubc=$\frac{1}{2}$Bl2ω,金屬框中電流方向沿a-b-c-a |
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A. | 當(dāng)r=r0時(shí),分子為零,分子勢能最小也為零 | |
B. | 當(dāng)r>r0時(shí),分子力和分子勢能都隨距離的增大而增大 | |
C. | 在兩分子由無窮遠(yuǎn)逐漸靠近直至距離最小的過程中分子力先做正功后做負(fù)功 | |
D. | 在兩分子由無窮遠(yuǎn)逐漸靠近直至距離最小的過程中分子勢能先增大,后減小,最后又增大 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 布朗運(yùn)動(dòng)就是液體分子的擴(kuò)散現(xiàn)象 | |
B. | 布朗運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散現(xiàn)象都是分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng) | |
C. | 布朗運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散現(xiàn)象在固體、液體和氣體中都能發(fā)生 | |
D. | 布朗運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散現(xiàn)象都說明物質(zhì)分子的運(yùn)動(dòng)是無規(guī)則的 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 線框進(jìn)入磁場過程中ab邊所受安培力沿斜面向上 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場過程中一定做減速運(yùn)動(dòng) | |
C. | 線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能 | |
D. | 線框從不同高度釋放至完全進(jìn)入磁場過程中,通過導(dǎo)線橫截面的電量相等 |
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A. | 電阻R消耗的功率P=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{2R}$ | B. | 電阻R消耗的功率P=μmgv | ||
C. | 水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$+μmg | D. | 水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$-μmg |
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A. | 在玻璃中,a光的傳播速度小于b光的傳播速度 | |
B. | 在真空中,a光的波長小于b光的波長 | |
C. | 若改變光束的入射方向使θ角逐漸變大,則折射光線b首先消失 | |
D. | 分別用a、b光在同一個(gè)雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置上做實(shí)驗(yàn),a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距 |
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A. | 在電磁波的發(fā)射技術(shù)中,圖①中A是調(diào)幅波 | |
B. | 在電磁波的發(fā)射技術(shù)中,圖①中B是調(diào)幅波 | |
C. | 圖②中a是電容器,用來通高頻阻低頻,b是電感器,用來阻高頻通低頻 | |
D. | 圖②中a是電感器,用來阻交流通直流,b是電容器,用來阻高頻通低頻 |
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A. | 電壓表V1示數(shù)增大 | B. | 電壓表V2不變,V3示數(shù)減小 | ||
C. | 該變壓器起升壓作用 | D. | 變阻器滑片是沿c→d的方向滑動(dòng) |
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A. | 光的干涉和衍射說明光是機(jī)械波 | |
B. | 當(dāng)波源與觀察者相互遠(yuǎn)離時(shí),觀察到的頻率變大 | |
C. | 光的偏振現(xiàn)象說明光是橫波 | |
D. | 用光導(dǎo)纖維傳播信號(hào),利用了光的衍射 |
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A. | 均勻變化的電場在它的周圍產(chǎn)生均勻變化的磁場 | |
B. | 電磁波中每一處的電場強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度總是互相垂直的,且與波的傳播方向垂直 | |
C. | 電磁波譜中,最容易發(fā)生衍射現(xiàn)象的是γ射線 | |
D. | 拍攝玻璃櫥窗內(nèi)的物品時(shí),往往在鏡頭前加一個(gè)偏振片以增加透射光的強(qiáng)度 |
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