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16．如圖，直角三角形金屬框abc放置在勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向平行于ab邊向上．當(dāng)金屬框繞ab邊以角速度ω逆時針轉(zhuǎn)動時，a、b、c三點(diǎn)的電勢分別為U_a、U_b、U_c．已知bc邊的長度為l．下列判斷正確的是（　�。�

	A．	Ua＞Uc，金屬框中無電流
	B．	Ub＜Uc，金屬框中電流方向沿a-b-c-a
	C．	Ubc=-$\frac{1}{2}$Bl2ω，金屬框中無電流
	D．	Ubc=$\frac{1}{2}$Bl2ω，金屬框中電流方向沿a-b-c-a

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15．如圖所示，有關(guān)分子力和分子勢能曲線的說法中，正確的是（　�。�

	A．	當(dāng)r=r0時，分子為零，分子勢能最小也為零
	B．	當(dāng)r＞r0時，分子力和分子勢能都隨距離的增大而增大
	C．	在兩分子由無窮遠(yuǎn)逐漸靠近直至距離最小的過程中分子力先做正功后做負(fù)功
	D．	在兩分子由無窮遠(yuǎn)逐漸靠近直至距離最小的過程中分子勢能先增大，后減小，最后又增大

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13．如圖所示，mn為平行于斜面底邊的直線，其下方有垂直于斜面的勻強(qiáng)磁場，一矩形導(dǎo)線框自粗糙斜面上端滑下，且下滑過程中線框ab邊始終與mn平行，則（　�。�

	A．	線框進(jìn)入磁場過程中ab邊所受安培力沿斜面向上
	B．	線框進(jìn)入磁場過程中一定做減速運(yùn)動
	C．	線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能
	D．	線框從不同高度釋放至完全進(jìn)入磁場過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電量相等

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12．如圖，兩平行金屬導(dǎo)軌位于同一水平面上，相距l(xiāng)，左端與一電阻R相連；整個系統(tǒng)置于勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向豎直向下．一質(zhì)量為m、電阻為R的導(dǎo)體棒置于導(dǎo)軌上，在水平外力作用下沿導(dǎo)軌以速度v勻速向右滑動，滑動過程中始終保持與導(dǎo)軌垂直并接觸良好．已知導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌間的動摩擦因數(shù)為μ，重力加速度大小為g，導(dǎo)軌和導(dǎo)體棒的電阻均可忽略．下列說法正確的是（　�。�

	A．	電阻R消耗的功率P=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{2R}$		B．	電阻R消耗的功率P=μmgv
	C．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$+μmg		D．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$-μmg

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11．如圖，一束光沿半徑方向射向一塊半圓形玻璃磚，在玻璃磚底面上的入射角為θ，經(jīng)折射后射出a、b兩束光線，則（　�。�

	A．	在玻璃中，a光的傳播速度小于b光的傳播速度
	B．	在真空中，a光的波長小于b光的波長
	C．	若改變光束的入射方向使θ角逐漸變大，則折射光線b首先消失
	D．	分別用a、b光在同一個雙縫干涉實驗裝置上做實驗，a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距

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10．在電磁波發(fā)射技術(shù)中，使電磁波隨各種信號而改變的技術(shù)叫調(diào)制，調(diào)制分調(diào)幅和調(diào)頻兩種．如圖①所示有A、B兩幅圖．在收音機(jī)電路中天線接收下來的電信號既有高頻成分又有低頻成分，經(jīng)放大后送到下一級，需要把高頻成分和低頻成分分開，只讓低頻成分輸入下一級，如果采用如練圖②所示的電路，圖中虛線框a和b內(nèi)只用一個電容器或電感器．以下關(guān)于電磁波的發(fā)射和接收的說法中，正確的是（　�。�

	A．	在電磁波的發(fā)射技術(shù)中，圖①中A是調(diào)幅波
	B．	在電磁波的發(fā)射技術(shù)中，圖①中B是調(diào)幅波
	C．	圖②中a是電容器，用來通高頻阻低頻，b是電感器，用來阻高頻通低頻
	D．	圖②中a是電感器，用來阻交流通直流，b是電容器，用來阻高頻通低頻

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9．如圖所示電路中，變壓器為理想變壓器，a、b接在電壓有效值不變的交流電源兩端，R₀為定值電阻，R為滑動變阻器．現(xiàn)將變阻器的滑片從一個位置滑動到另一個位置，觀察到電流表A₁的示數(shù)增大了0.2A，電流表A₂的示數(shù)增大了0.8A．則下列說法正確的是（　�。�

	A．	電壓表V1示數(shù)增大		B．	電壓表V2不變，V3示數(shù)減小
	C．	該變壓器起升壓作用		D．	變阻器滑片是沿c→d的方向滑動

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