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某電容式話筒的原理示意圖如題18圖所示, E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬極板,對著話筒說話時,P振動而Q可視為不動,在P、Q間距離增大過程中, A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容增大
B P上電荷量保持不變
C M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的低
D M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的高
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利用靜電除塵器可以消除空氣中的粉塵.靜電除塵器由金屬管A和懸在管中的金屬絲B組成,A和B分別接到高壓電源正極和負(fù)極,其裝置示意圖如右圖所示.A、B之間有很強(qiáng)的電場,距B越近,場強(qiáng)__________(填:“越大”或“越小”)。B附近的氣體分子被電離成為電子和正離子,粉塵吸附電子后被吸附到_______(填“A”或“B”)上,最后在重力作用下落入下面的漏斗中.
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如右圖, M、N和P是以為直徑的半圈弧上的三點(diǎn),O點(diǎn)為半圓弧的圓心,
.電荷量相等、符號相反的兩個點(diǎn)電荷分別置于M、N兩點(diǎn),這時O點(diǎn)電場強(qiáng)度的大小為E1;若將N點(diǎn)處的點(diǎn)電荷移至P點(diǎn),則O點(diǎn)的場場強(qiáng)大小變?yōu)镋2,E1與E2之比為
A. B.
C.
D.
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空間有一沿x軸對稱分布的電場,其電場強(qiáng)度E隨x變化的圖像如圖所示。下列說法正確的是
(A)O點(diǎn)的電勢最低
(B)x2點(diǎn)的電勢最高
(C)x1和-x1兩點(diǎn)的電勢相等
(D)x1和x3兩點(diǎn)的電勢相等
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如圖所示,M、N是平行板電容器的兩個極板,R0為定值電阻,R1、R2為可調(diào)電阻,用絕緣細(xì)線將質(zhì)量為、帶正電的小球懸于電容器內(nèi)部。閉合電鍵S,小球靜止時受到懸線的拉力為F。調(diào)節(jié)R1、R2,關(guān)于F的大小判斷正確的是
A.保持R1不變,緩慢增大R2時,F將變大
B.保持R1不變,緩慢增大R2時,F將變小
C.保持R2不變,緩慢增大R1時,F將變大
D.保持R2不變,緩慢增大R1時,F將變小
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如圖所示,在xOy平面內(nèi)有一個以O(shè)為圓心、半徑R=0.1m的圓,P為圓周上的一點(diǎn),O、P兩點(diǎn)連線與軸正方向的夾角為θ。若空間存在沿
軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小E=100V/m,則O、P兩點(diǎn)的電勢差可表示為
A. B.
C. D.
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如圖,一質(zhì)量不計(jì),可上下移動的活塞將圓筒分為上下兩室,兩室中分別封有理想氣體。筒的側(cè)壁為絕緣體,上底N、下底M及活塞D均為導(dǎo)體并按圖連接,活塞面積S=2cm2。在電鍵K斷開時,兩室中氣體壓強(qiáng)均為p0=240Pa,ND間距l1=1mm,DM間距l2=3mm。將變阻器的滑片P滑到左端B,閉合電鍵后,活塞D與下底M分別帶有等量導(dǎo)種電荷,并各自產(chǎn)生勻強(qiáng)電場,在電場力作用下活塞D發(fā)生移動。穩(wěn)定后,ND間距l1’=3mm,DM間距l2’=1mm,活塞D所帶電量的絕對值q=e0SE(式中E為D與M所帶電荷產(chǎn)生的合場強(qiáng),常量e0=8.85´10-12C2/Nm2)。求:
(1)兩室中氣體的壓強(qiáng)(設(shè)活塞移動前后氣體溫度保持不變);
(2)活塞受到的電場力大小F;
(3)M所帶電荷產(chǎn)生的場強(qiáng)大小EM和電源電壓U;
(4)使滑片P緩慢地由B向A滑動,活塞如何運(yùn)動,并說明理由。
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三個點(diǎn)電荷電場的電場線分布如圖所示,圖中a、b兩點(diǎn)處的場強(qiáng)大小分別為Ea、Eb,電勢分別為ja、jb,則( )
(A)Ea>Eb,ja>jb
(B)Ea<Eb,ja<jb
(C)Ea>Eb,ja<jb
(D)Ea<Eb,ja>jb
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利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應(yīng)用于測量和自動控制等領(lǐng)域。
如圖1,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH。當(dāng)電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UH=RH,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān)。
(1)設(shè)半導(dǎo)體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關(guān)系式;若半導(dǎo)體材料是電子導(dǎo)電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式。(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反�;魻栐糜诒粶y圓盤的邊緣附近。當(dāng)圓盤勻速轉(zhuǎn)動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖3所示。
a.若在時間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導(dǎo)出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達(dá)式。
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程。除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實(shí)例或設(shè)想。
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用控制變量法,可以研究影響平行板電容器電容的因素(如圖)。設(shè)兩極板正對面積為S,極板間的距離為d,靜電計(jì)指針偏角為θ。實(shí)驗(yàn)中,極板所帶電荷量不變,若
A.保持S不變,增大d,則θ變大
B.保持S不變,增大d,則θ變小
C.保持d不變,減小S,則θ變小
D.保持d不變,減小S,則θ不變
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