2.(1)1s22s22p4 ,σ(2)二;IVA;非極性;原子 (3)O>P>Si>Li
2.(07年佛山二模)短周期元素A、B、C、D。A元素的原子最外層電子排布為ns1,B元素的原子價電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的P亞層中有3個未成對電子。
(1)C原子的電子排布式為 ,若A為非金屬元素,則按原子軌道的重迭方式,A與C形成的化合物中的共價鍵屬于 鍵(填“σ”或“π”)。
(2)當n=2時,B位于元素周期表的第 周期 族,BC2屬于 分子(填“極性”或“非極性”)。當n=3時,B與C形成的晶體屬于 晶體。
(3)若A元素的原子最外層電子排布為2s1,B元素的原子價電子排布為3s23p2, A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是 (用元素符號表示)。
1、『2008廣東高考』鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子。工業(yè)上從海水中提取鎂時,先制備無水氯化鎂,然后將其熔融電解,得到金屬鎂。
(1)以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備鎂時,常加入NaCl、KCl或CaCl2等金屬氯化物,其主要作用除了降低熔點之外還有 。
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型。某同學畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示,請改正圖中錯誤: 。
(3)用鎂粉、堿金屬鹽及堿土金屬鹽等可以做成焰火。燃放時,焰火發(fā)出五顏六色的光,請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋發(fā)光的原因: 。
(4)Mg是第三周期元素,該周期部分元素氟化物的熔點見下表:
氧化物 |
NaF |
MgF2 |
SiF4 |
熔點/K |
1266 |
1534 |
183 |
解釋表中氟化物熔點差異的原因: 。
(5)人工模擬是當前研究的熱點。有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當其結(jié)合
或Cu(I)(I表示化合價為+1)時,分別形成a和b:
①a中連接相鄰含N雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn),說明該碳碳鍵具有 鍵的特性。
②微粒間的相互作用包括化學鍵和分子間相互作用,比較a和b中微粒間相互作用力的差異
。
答案:(1) 以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備Mg時,常加入NaCl、KCl、或CaCl2等金屬氯化物,其主要作用除了降低熔點之外還有:增大離子濃度,從而增大熔融鹽的導電性。
(2) 請更正圖中錯誤:⑧應為黑色。
(3) 請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋發(fā)光的原因:原子核外電子按一定軌道順序排列,軌道離核越遠,能量越高。燃燒時,電子獲得能量,從內(nèi)側(cè)軌道躍遷到外側(cè)的另一條軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài),它隨即就會跳回原來軌道,并向外界釋放能量(光能)。
(4) 解釋表中氟化物熔點差異的原因:NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2遠比SiF4熔點要高。又因為Mg2+的半徑小于Na+的半徑,所以MgF2的離子鍵強度大于NaF的離子鍵強度,故MaF2的熔點大于NaF。
(5) ①a中連接相鄰含N雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn),說明該碳碳鍵具有:σ鍵的特性。
②微粒間的相互作用包括化學鍵和分子間相互作用,比較a和b中微粒間相互作用的差異:a中微粒間的相互作用為氫鍵,b中微粒間的相互作用為配位共價鍵!
3.物質(zhì)溶沸點的比較(重點)
(1)不同類晶體:一般情況下,原子晶體>離子晶體>分子晶體
(2)同種類型晶體:構(gòu)成晶體質(zhì)點間的作用大,則熔沸點高,反之則小。
①離子晶體:離子所帶的電荷數(shù)越高,離子半徑越小,則其熔沸點就越高。
②分子晶體:對于同類分子晶體,式量越大,則熔沸點越高。
③原子晶體:鍵長越小、鍵能越大,則熔沸點越高。
(3)常溫常壓下狀態(tài)
①熔點:固態(tài)物質(zhì)>液態(tài)物質(zhì)
②沸點:液態(tài)物質(zhì)>氣態(tài)物質(zhì)
『綜合訓練題』
2、非極性鍵和極性鍵的比較
|
非極性鍵 |
極性鍵 |
概念 |
同種元素原子形成的共價鍵 |
不同種元素原子形成的共價鍵,共用電子對發(fā)生偏移 |
原子吸引電子能力 |
相同 |
不同 |
共用電子對 |
不偏向任何一方 |
偏向吸引電子能力強的原子 |
成鍵原子電性 |
電中性 |
顯電性 |
形成條件 |
由同種非金屬元素組成 |
由不同種非金屬元素組成 |
1、離子鍵、共價鍵和金屬鍵的比較
化學鍵類型 |
離子鍵 |
共價鍵 |
金屬鍵 |
概念 |
陰、陽離子間通過靜電作用所形成的化學鍵 |
原子間通過共用電子對所形成的化學鍵 |
金屬陽離子與自由電子通過相互作用而形成的化學鍵 |
成鍵微粒 |
陰陽離子 |
原子 |
金屬陽離子和自由電子 |
成鍵性質(zhì) |
靜電作用 |
共用電子對 |
電性作用 |
形成條件 |
活潑金屬與活潑的非金屬元素 |
非金屬與非金屬元素 |
金屬內(nèi)部 |
實例 |
NaCl、MgO |
HCl、H2SO4 |
Fe、Mg |
4.了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別.
晶體類型 |
原子晶體 |
分子晶體 |
金屬晶體 |
離子晶體 |
粒子 |
原子 |
分子 |
金屬陽離子、自由電子 |
陰、陽離子 |
粒子間作用(力) |
共價鍵 |
分子間作用力 |
復雜的靜電作用 |
離子鍵 |
熔沸點 |
很高 |
很低 |
一般較高,少部分低 |
較高 |
硬度 |
很硬 |
一般較軟 |
一般較硬,少部分軟 |
較硬 |
溶解性 |
難溶解 |
相似相溶 |
難溶(Na等與水反應) |
易溶于極性溶劑 |
導電情況 |
不導電 (除硅) |
一般不導電 |
良導體 |
固體不導電,熔 化或溶于水后導電 |
實例 |
金剛石、水晶、碳化硅等 |
干冰、冰、純硫酸、H2(S) |
Na、Mg、Al等 |
NaCl、CaCO3 NaOH等 |
例38.下面的排序不正確的是
A.晶體熔點由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4 B.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅
C.熔點由高到低:Na>Mg>Al D晶格能由大到小: NaF> NaCl> NaBr>NaI
例39.關于晶體的下列說法正確的是
A.在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子 B.在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子
C.原子晶體的熔點一定比金屬晶體的高 D.分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低
3.了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響(對氫鍵相對強弱的比較不作要求).
NH3、H2O、HF中由于存在氫鍵,使得它們的沸點比同族其它元素氫化物的沸點反常地高.
影響物質(zhì)的性質(zhì)方面:增大溶沸點,增大溶解性
表示方法:X-H……Y(N O F) 一般都是氫化物中存在
例35.右圖為冰晶體的結(jié)構(gòu)模型,大球代表O原子,小球代表H原子.
下列有關說法正確的是
A.冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形成四面體
B.冰晶體具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),是原子晶體
C.水分子間通過H-O鍵形成冰晶體
D.冰晶體熔化時,水分子之間的空隙增大
例36.正硼酸(H3BO3)是一種片層狀結(jié)構(gòu)白色晶體,層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵相連(如下圖).下列有關說法正確的是
A.正硼酸晶體屬于原子晶體
B.H3BO3分子的穩(wěn)定性與氫鍵有關
C.分子中硼原子最外層為8e-穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
D.含1molH3BO3的晶體中有3mol氫鍵
例37.一定壓強和溫度下,取兩份等體積氟化氫氣體,在35℃和90℃時分別測得其摩爾質(zhì)量分別為40.0g/mol和20.0g/mol.
(1).35℃氟化氫氣體的化學式為___________________.
(2).不同溫度下摩爾質(zhì)量不同的可能原因是________________________________________.
例37.(1).(HF)2
(2).在較低溫度下HF以氫鍵結(jié)合而成(HF)n(n=2、3、……),其摩爾質(zhì)量大于HF的摩爾質(zhì)量;隨著溫度升高,氫鍵不斷被破壞,氣體摩爾質(zhì)量減小.
2.知道分子晶體的含義,了解分子間作用力的大小對物質(zhì)某些物理性質(zhì)的影響.
(1).分子晶體:分子間以分子間作用力(范德華力、氫鍵)相結(jié)合的晶體.典型的有冰、干冰.
(2).分子間作用力強弱和分子晶體熔沸點大小的判斷:組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,克服分子間引力使物質(zhì)熔化和氣化就需要更多的能量,熔、沸點越高.但存在氫鍵時分子晶體的熔沸點往往反常地高.
例33.在常溫常壓下呈氣態(tài)的化合物、降溫使其固化得到的晶體屬于
A.分子晶體 B.原子晶體 C.離子晶體 D.何種晶體無法判斷
例34.下列敘述正確的是
A.分子晶體中都存在共價鍵
B.F2、C12、Br2、I2的熔沸點逐漸升高與分子間作用力有關
C.含有極性鍵的化合物分子一定不含非極性鍵
D.只要是離子化合物,其熔點一定比共價化合物的熔點高
1.知道分子間作用力的含義,了解化學鍵和分子間作用力的區(qū)別.
分子間作用力:把分子聚集在一起的作用力.分子間作用力是一種靜電作用,比化學鍵弱得多,包括范德華力和氫鍵.
范德華力一般沒有飽和性和方向性,而氫鍵則有飽和性和方向性.
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com