A. | 該晶體的化學(xué)式為CaTiO3 | |
B. | 該晶體中每個(gè)Ti4+和8個(gè)O2-相緊鄰 | |
C. | 一個(gè)CO2晶胞中平均含有4個(gè)CO2分子 | |
D. | 金屬晶體的熔點(diǎn)可能比分子晶體的熔點(diǎn)低 |
分析 A.Ti4+位于頂點(diǎn)上,O2-位于面心上,Ca2+位于中心,由均攤發(fā)可知每個(gè)晶胞含有的個(gè)數(shù)分別為8×$\frac{1}{8}$、1、6×$\frac{1}{2}$;
B.根據(jù)CaTiO3晶胞的結(jié)構(gòu)可知,Ti4+周圍的O2-分布在經(jīng)過(guò)該Ti4+的各個(gè)面的面心上;
C.二氧化碳晶體中,二氧化碳分子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心;
D.金屬晶體的熔點(diǎn)不一定都比分子晶體的熔點(diǎn)高,金屬汞常溫下為液態(tài),而分子晶體中很多物質(zhì)在常溫下為固態(tài).
解答 解:A.Ti4+位于頂點(diǎn)上,O2-位于面心上,Ca2+位于中心,由均攤發(fā)可知每個(gè)晶胞含有的個(gè)數(shù)分別為8×$\frac{1}{8}$=1、1、6×$\frac{1}{2}$=3,則化學(xué)式為CaTiO3,故A正確;
B.根據(jù)CaTiO3晶胞的結(jié)構(gòu)可知,Ti4+周圍的O2-分布在經(jīng)過(guò)該Ti4+的各個(gè)面的面心上,這樣的面共有12個(gè),所以每個(gè)Ti4+與12個(gè)O2-緊相鄰,故B錯(cuò)誤;
C.二氧化碳的晶胞中,二氧化碳分子分布于晶胞的定點(diǎn)和面心位置,則晶胞中含有二氧化碳的分子數(shù)為$\frac{1}{8}$×8+6×$\frac{1}{2}$=4,故C正確;
D.金屬晶體的熔點(diǎn)不一定都比分子晶體的熔點(diǎn)高,金屬汞常溫下為液態(tài),而分子晶體中很多物質(zhì)在常溫下為固態(tài),故D正確.
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶胞的結(jié)構(gòu),為高頻考點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生的分析能力和計(jì)算能力,學(xué)生學(xué)會(huì)用均攤法解題,題目較容易,注意把握相關(guān)知識(shí)思路的整理和積累.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | Z結(jié)構(gòu)中有1個(gè)手性碳原子 | |
B. | Y的分子式為C9H8O4 | |
C. | 1 mol Z與足量NaOH溶液反應(yīng),最多消耗8 mol NaOH | |
D. | Z與濃溴水既能發(fā)生取代反應(yīng)又能發(fā)生加成反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ②與③ | B. | ③與④ | C. | ①與④ | D. | ①與② |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)的△H<0,△S>0 | |
B. | 途徑Ⅱ與途徑I相比,可能是加了催化劑 | |
C. | 其他條件相同時(shí),產(chǎn)生相同體積的氧氣時(shí)放出的熱量:途徑I>途徑Ⅱ | |
D. | 其他條件相同時(shí),產(chǎn)生相同體積的氧氣所需的時(shí)間:途徑I>途徑Ⅱ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | H2S SO2 | B. | H2SO4 SO2 | C. | SO2 SO32- | D. | SO32- SO2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 硫酸比次氯酸穩(wěn)定 | B. | 硫酸的酸性弱于高氯酸 | ||
C. | H2S比HCl被氧化 | D. | 氣態(tài)HC1比氣態(tài)H2S穩(wěn)定 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 硼和硅 | B. | 鋁和鐵 | C. | 碳和鋁 | D. | 銅和金 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑 A>B>D>C | B. | 原子序數(shù) D>C>B>A | ||
C. | 離子半徑 C>D>B>A | D. | 單質(zhì)的還原性 A>B>D>C |
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