分析 (1)根據(jù)元素符號,判斷元素原子的核外電子數(shù),再根據(jù)核外電子排布規(guī)律來寫;Cu+的核外有28個電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)離子核外電子排布式,原子軌道處于全空、半滿或全滿時最穩(wěn)定;
(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物分別為H2Se,SiH4,其分子結(jié)構(gòu)分別與H2O,CH4相似;若“Si-H”中鍵合電子偏向氫原子,說明硅顯正價,氫氣與硒反應(yīng)時單質(zhì)硒是氧化劑,硒顯負價;
(3)根據(jù)分子晶體的熔、沸點低;根據(jù)價層電子對互斥理論確定雜化類型;
(4)鎵元素在元素周期表中的位置是第四周期第ⅢA族,提供空軌道的原子和提供孤電子對的原子之間形成配位鍵;
(5)每個碳原子連接4個硅原子,每個硅原子又連接其它3個碳原子,據(jù)此判斷每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目;該晶胞中C原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Si原子個數(shù)為4,根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計算其密度.
解答 解:(1)Cu元素為29號元素,原子核外有29個電子,所以核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;CuO中銅的價層電子排布為3d94s0,Cu2O中銅的價層電子排布為3d10,3d10為穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以在高溫時,能生成Cu2O,即穩(wěn)定性是CuO<Cu2O,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;<;
(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物分別為H2Se,SiH4,其分子結(jié)構(gòu)分別V形,正四面體;若“Si-H”中鍵合電子偏向氫原子,說明硅顯正價,氫氣與硒反應(yīng)時單質(zhì)硒是氧化劑,硒顯負價,所以硒與硅的電負性相對大小為Se>Si,
故答案為:V形、正四面體;>;
(3)SeO2常溫下白色晶體,熔、沸點低,為分子晶體;二氧化硒分子中價層電子對=2+$\frac{1}{2}$(6-2×2)=3,Se原子的雜化類型為sp2,且含有一個孤電子對,所以屬于V形,
故答案為:分子晶體;sp2;
(4)鎵元素在元素周期表中的位置是第四周期第ⅢA族,BF3•NH3中B原子含有3個σ 鍵和1個配位鍵,所以其價層電子數(shù)是4,B原子采取sp3雜化,該化合物中,B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對,B、N原子之間形成配位鍵,其結(jié)構(gòu)簡式可表示為,
故答案為:第四周期第ⅢA族;;
(5)每個碳原子連接4個硅原子,每個硅原子又連接其它3個碳原子,所以每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為3×4=12;該晶胞中C原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Si原子個數(shù)為4,晶胞邊長=a×10-10cm,體積V=(a×10-10cm)3,ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{40×4}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm3=$\frac{1.6×1{0}^{32}}{{N}_{A}}$g•cm3;
故答案為:12;$\frac{1.6×1{0}^{32}}{{N}_{A}}$.
點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及晶胞計算、原子雜化判斷、原子核外電子排布式的書寫等知識點,難點是晶胞計算,題目難度較大.
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A. | 點a的正反應(yīng)速率比點b的大 | |
B. | 點c處反應(yīng)達到平衡 | |
C. | 點d (t1時刻)和點e (t2時刻)處n(N2)不一樣 | |
D. | 若開始充入1mol N2及足量H2,提供適當條件,可得2mol NH3 |
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A. | 64gCu被氧化,失去的電子數(shù)一定為2NA | |
B. | 室溫下,pH=13的氨水中,由水電離的OH-數(shù)為0.1NA | |
C. | 在標準狀況下,22.4LC4H10中共價鍵數(shù)目為13NA | |
D. | 200mL1mol/LFe2 ( SO4)3 溶液中,SO42-離子數(shù)是0.3NA |
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