分析 (1)根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律分析;根據(jù)泡利原理成對電子自旋方向相反;
(2)根據(jù)分子的組成判斷形成的δ鍵數(shù)目以及孤電子對數(shù)目,以此判斷雜化類型;兩種元素非金屬性差距越大極性越大;
(3)A分子結構中Si原子位于頂點,被3個面所共有,每個面含有8個原子;A為分子結構式,所有原子均為一個分子共有;
(4)圖A所示為氫基倍半硅氧烷的分子結構,則氫基倍半硅氧烷形成分子晶體,SiO2為原子晶體;
(5)SiO2晶體為面心立體結構,根據(jù)晶胞的均攤法計算原子個數(shù),根據(jù)晶胞中$ρ=\frac{m}{V}$計算.
解答 解:(1)硅原子核外有14個電子,根據(jù)核外電子排布規(guī)律知,每個電子層上最多排2n2個電子,但最外層不大于8個電子,s能級上最多排2個電子,p能級上最多排6個電子,所以硅原子的最外層電子排布式為3s23p2;根據(jù)泡利原理成對電子自旋方向相反,
故答案為:3s23p2;自旋方向相反;
(2)A分子中O原子顯-2價,則Si顯+4價,H顯-1價;Si原子與O原子、O原子形成4個共價鍵,即含有4個σ電子對,硅原子無孤對電子,所以Si原子采用的雜化類型為sp3雜化;兩種元素非金屬性差距越大極性越大,Si-O之間的非金屬性之差大于Si-H之間的非金屬性之差,所以Si-O鍵的極性強于Si-H鍵的極性,
故答案為:-1;sp3σ鍵;<;
(3)A分子結構中Si原子位于頂點,被3個面所共有,每個面含有4個O原子和4個Si原子,共8個原子,硅的配位數(shù)為4;A為分子結構式,所有原子均為一個分子共有,分子中含有8個Si原子,8個H原子和12個O原子,故分子的分子式為Si8H8O12,
故答案為:八;4;Si8H8O12;
(4)圖A所示為氫基倍半硅氧烷的分子結構,所以則氫基倍半硅氧烷形成的晶體類型為分子晶體,而SiO2為原子晶體,
故答案為:分子;原子;
(5)SiO2晶體為面心立體結構,每個SiO2晶胞含有Si原子的個數(shù)為8×$\frac{1}{8}+6×\frac{1}{6}+4$=8,一個晶胞含有8個“SiO2”結構,所以一個晶胞的質(zhì)量為$\frac{60×8}{{N}_{A}}$=$\frac{480}{{N}_{A}}$,晶胞邊長為anm,故SiO2晶體的密度$ρ=\frac{m}{V}=\frac{480}{{N}_{A}(a×1{0}^{-7})^{3}}$.故答案為:8;$\frac{480}{{N}_{A}(a×1{0}^{-7})^{3}}$.
點評 本題考查了晶胞的計算、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷以及原子核外電子排布等知識點,綜合性較強,難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 0.3 mol•L-1的Na2SO4溶液中含有的Na+和SO42-的總物質(zhì)的量為0.9 mol | |
B. | 當1 L水吸收22.4 L氨氣時所得氨水的濃度不是1 mol•L-1,只有當22.4 L氨氣溶于水制得1 L氨水時,其濃度才是1 mol•L-1 | |
C. | 在K2SO4和NaCl的中性混合水溶液中,如果Na+和S${O}_{4}^{2-}$的物質(zhì)的量相等,則K+和Cl-的物質(zhì)的量濃度一定相同 | |
D. | 10℃時,0.35 mol•L-1的KCl飽和溶液100 mL蒸發(fā)掉5 g水,冷卻到10℃時,其體積小于100 mL,它的物質(zhì)的量濃度仍為0.35 mol•L-1 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 8種 | B. | 9種 | C. | 12種 | D. | 13種 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | W、Y、Z三種元素的最高價氧化物的水化物可能有兩種是強堿、一種是強酸 | |
B. | Z元素在第三周期第ⅥA族 | |
C. | W、Y、Z三種元素有兩種是金屬、一種是非金屬 | |
D. | W、X、Y三種元素的單質(zhì)熔沸點依次降低 |
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 在酸性條件下,CH3CO18 OC2H5的水解產(chǎn)物是CH3CO18OH和C2H5OH | |
B. | 乙醛和丙烯醛不是同系物,它們與H2充分反應后的產(chǎn)物是同系物 | |
C. | 用溴水可以鑒別苯酚溶液、2,4-己二烯、甲苯和CCl4 | |
D. | 乳酸薄荷醇酯()能發(fā)生水解反應、氧化反應、消去反應、取代反應 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | SiO2為分子晶體,Si為原子晶體 | |
B. | Si是光導纖維的主要成分 | |
C. | 在該反應條件下,C的氧化性強于Si的氧化性 | |
D. | 每生成1 mol Si理論上轉(zhuǎn)移的電子數(shù)目約為4×6.02×1023 |
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