A. | 晶體硅 | B. | 二氧化硅晶體 | C. | 干冰 | D. | 金屬鉀 |
分析 根據(jù)熔化時(shí)不需要破壞化學(xué)鍵的是分子晶體,原子晶體、離子晶體、金屬晶體熔化時(shí)需要破壞化學(xué)鍵,以此來分析.
解答 解:A、晶體硅是原子晶體,熔化需要破壞共價(jià)鍵,故A錯(cuò)誤;
B、二氧化硅晶體屬于原子晶體,熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵,故B錯(cuò)誤
C、干冰屬于分子晶體,熔化時(shí)破壞分子間作用力,沒有破壞化學(xué)鍵,故C正確;
D、金屬鉀屬于金屬晶體,熔化時(shí)破壞金屬鍵,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查化學(xué)鍵與晶體類型,難度不大,掌握常見物質(zhì)的晶體類型是解題的關(guān)鍵.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 羥基硝酸銨中陽離子的各原子共平面 | |
B. | 羥基硝酸銨易溶于水 | |
C. | 羥基硝酸銨中含有離子鍵和共價(jià)鍵 | |
D. | 9.6g羥基硝酸銨中含有0.2mol離子 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | H-H鍵比Cl-Cl鍵強(qiáng),H-Cl鍵是極性共價(jià)鍵 | |
B. | 斷鍵吸收能量,成鍵釋放能量,該反應(yīng)△H=-183kJ/mol | |
C. | 若生成液態(tài)HCl,則反應(yīng)釋放的能量將減少 | |
D. | 反應(yīng)的焓變與假想的中間物質(zhì)的種類、狀態(tài)無關(guān) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | “反應(yīng)I”中主要反應(yīng)的離子方程式為CIO3-+5CL-+6H+=3CL2↑+3H20 | |
B. | “反應(yīng)I”適宜在水浴加熱的條件下進(jìn)行 | |
C. | 進(jìn)行“反應(yīng)Ⅱ”之前需向溶液中滴加過量K2C03溶液除去其中的鹽酸 | |
D. | “醇洗”的目的是為了除去產(chǎn)品中某些不溶性雜質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑和離子半徑均滿足:Y<Z | |
B. | 簡單的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)和穩(wěn)定性排序均為:Y>T | |
C. | 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性:T<R | |
D. | 由X、R、Y、Z四種元素組成的化合物水溶液一定顯堿性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 溴揮發(fā)了 | B. | 發(fā)生了取代反應(yīng) | ||
C. | 苯萃取了溴水中的溴 | D. | 發(fā)生了加成反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 催化劑V2O5不改變?cè)摲磻?yīng)的逆反應(yīng)速率 | |
B. | 增大反應(yīng)體系的壓強(qiáng),反應(yīng)速率不一定增大 | |
C. | 該反應(yīng)是放熱反應(yīng),降低溫度將縮短反應(yīng)達(dá)到平衡的時(shí)間 | |
D. | 在t1、t2時(shí)刻,SO3(g)的濃度分別是c1mol/L、c2mol/L,則時(shí)間間隔t1min~t2min內(nèi),SO3(g)生成的平均速率為v=$\frac{{c}_{2}-{c}_{1}}{{t}_{2}-{t}_{1}}$mol/L•min |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
元素代號(hào) | L | M | Q | R | T |
原子半徑/nm | 0.160 | 0.143 | 0.102 | 0.089 | 0.074 |
主要化合價(jià) | +2 | +3 | +6、-2 | +2 | -2 |
A. | L、M的單質(zhì)在相同條件下與相同濃度稀鹽酸反應(yīng)的反應(yīng)速率為L>M | |
B. | M與T形成的化合物有兩性 | |
C. | Q是硫元素 | |
D. | L、Q形成的簡單離子核外電子數(shù)相等 |
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