A. | 無論增大入射光的頻率還是增加入射光的強(qiáng)度,金屬的逸出功都不變 | |
B. | 只延長入射光照射時間,光電子的最大初動能將增加 | |
C. | 只增大入射光的頻率,光電子的最大初動能將增大 | |
D. | 只增大入射光的強(qiáng)度,單位時間內(nèi)逸出的光電子數(shù)目將增多 |
分析 發(fā)生光電效應(yīng)的條件是入射光的頻率大于截止頻率.
根據(jù)光電效應(yīng)方程可知,Ek=hγ-W;可知,光電子的最大初動能由入射光的頻率決定,
金屬的逸出功不會隨著入射光的頻率變化而變化;
光的強(qiáng)弱不影響光電子的能量,只影響單位時間內(nèi)發(fā)出光電子的數(shù)目.
解答 解:A、即使增大入射光的頻率,或增加入射光的強(qiáng)度,金屬逸出功仍將不變,它由金屬本身決定,故A正確;
B、根據(jù)光電效應(yīng)方程可知,Ek=hγ-W;可知,光電子的最大初動能由入射光的頻率和逸出功決定,即使只延長入射光照射時間,光電子的最大初動能也將不變,故B錯誤;
C、根據(jù)光電效應(yīng)方程可知,Ek=hγ-W;可知,光電子的最大初動能由入射光的頻率和逸出功決定,只增大入射光的頻率,光電子的最大初動能將增大,故C正確;
D、光的強(qiáng)弱不影響光電子的能量,只影響單位時間內(nèi)發(fā)出光電子的數(shù)目,只增大入射光的強(qiáng)度,單位時間內(nèi)逸出的光電子數(shù)目將增多,故D正確.
本題選擇錯誤的,故選:B.
點評 解決本題的關(guān)鍵掌握發(fā)生光電效應(yīng)的條件是入射光的頻率大于截止頻率.以及知道光的強(qiáng)弱不影響光電子的能量,只影響單位時間內(nèi)發(fā)出光電子的數(shù)目.并理解光電效應(yīng)方程的應(yīng)用,注意入射光的頻率決定光電子的最大初動能.
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A. | 當(dāng)|$\frac{R}{{v}_{1}}-\frac{R}{{v}_{2}}$|=n$\frac{2π}{ω}$時,分子落在同一狹條上(n取正整數(shù)) | |
B. | 當(dāng)$\frac{R}{{v}_{1}}+2\frac{R}{{v}_{2}}=n\frac{2π}{ω}$時,分子落在同一個狹條上(n取正整數(shù)) | |
C. | 只要時間足夠長,N筒上到處都落有分子 | |
D. | 分子不可能落在N筒上某兩處且與S平行的狹條上 |
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A. | 衛(wèi)星的速率將增大 | B. | 衛(wèi)星的周期將增大 | ||
C. | 衛(wèi)星的向心加速度將增大 | D. | 衛(wèi)星的角速度將減小 |
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A. | 撤去F后,物體先做勻加速運動,再做勻減速運動 | |
B. | 撤去F后,物體剛運動時的加速度大小為$\frac{k{x}_{0}}{m}$+μg | |
C. | 物體做勻減速運動的時間為2$\sqrt{\frac{{x}_{0}}{μg}}$ | |
D. | 物體開始向左運動到速度最大的過程中克服摩擦力做的功為μmg(x0-$\frac{μmg}{k}$) |
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A. | 使物體的質(zhì)量各減小一半,距離不變 | |
B. | 使其中一個物體的質(zhì)量減小到原來的$\frac{1}{4}$,距離不變 | |
C. | 使兩物體間的距離增為原來的4倍,質(zhì)量不變 | |
D. | 使兩物體間的距離和質(zhì)量都減為原來的$\frac{1}{4}$ |
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A. | 在0~1s內(nèi),物體做曲線運動 | |
B. | 在1~2s內(nèi),物體向左運動,且速度大小在減小 | |
C. | 在1~3s內(nèi),物體的加速度方向向右,大小為4 m/s2 | |
D. | 在3s末,物體處于出發(fā)點右方 |
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