A. | 離子半徑:C+>D3+>B2- | |
B. | C的單質(zhì)的熔點(diǎn)低于D的單質(zhì)的熔點(diǎn) | |
C. | 電解C、E形成的化合物水溶液可生成C、E對(duì)應(yīng)的單質(zhì) | |
D. | 由A、B、E形成的化合物都含有共價(jià)鍵,溶液都呈強(qiáng)酸性 |
分析 由轉(zhuǎn)化關(guān)系可知兩性化合物應(yīng)為Al(OH)3,則D為Al,X為二元化合物且為強(qiáng)電解質(zhì),應(yīng)為HCl,則Z為AlCl3,W的水溶液呈堿性,應(yīng)為NaAlO2,則Y為NaOH,氣體單質(zhì)為氫氣,A、B、C、D、E為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,分布在三個(gè)不同周期.X、Y、Z、W為這些元素形成的化合物,可知A為H元素,B為O元素,C為Na元素,D為Al元素,E為Cl元素,結(jié)合對(duì)應(yīng)單質(zhì)、化合物的性質(zhì)以及元素周期率解答該題.
解答 解:由以上分析可知A為H元素,B為O元素,C為Na元素,D為Al元素,E為Cl元素,
A.B為O元素,C為Na元素,D為Al元素,對(duì)應(yīng)離子具有相同的核外電子排布,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,故A錯(cuò)誤;
B.C為Na元素,D為Al元素,對(duì)應(yīng)的鈉的單質(zhì)熔點(diǎn)較低,故B正確;
C.電解氯化鈉溶液,得到氫氧化鈉、氫氣、氯氣,不能得到鈉單質(zhì),故C錯(cuò)誤;
D.HClO為弱酸,故D錯(cuò)誤.
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查無(wú)機(jī)物的推斷,為高頻考點(diǎn),把握物質(zhì)的性質(zhì)、發(fā)生的反應(yīng)、元素周期律等為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與推斷能力的考查,注意兩性化合物為推斷的突破口,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
選項(xiàng) | 目的 | 實(shí)驗(yàn)方案 |
A. | 比較Mg、Al的金屬性 | 將去除氧化膜的鎂條、鋁片分別放入沸水中 |
B. | 鑒別MgCl2和 AlCl3溶液 | 將過(guò)量稀氨水分別滴入MgCl2和 AlCl3溶液中 |
C. | 證明苯環(huán)對(duì)羥基活性的影響 | 分別向苯和苯酚溶液中滴加飽和溴水 |
D. | 比較濃度對(duì)反應(yīng)速率的影響 | 將不同濃度的KMnO4溶液、稀H2SO4與同濃度的H2C2O4溶液混合 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 圖1鐵片靠近燒杯底部的部分,腐蝕更嚴(yán)重 | |
B. | 若M是鋅片,可保護(hù)鐵 | |
C. | 若M是銅片,可保護(hù)鐵 | |
D. | M是銅或是鋅都不能保護(hù)鐵,是因沒(méi)有構(gòu)成原電池 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電離程度增大,H+濃度增大 | B. | 電離程度減小,H+濃度減小 | ||
C. | 電離程度增大,H+濃度減小 | D. | 電離程度減小,H+濃度增大 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | A的一種單質(zhì)具有良好的導(dǎo)電性 | |
B. | 氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性:D>A | |
C. | B、C的單質(zhì)均可與NaOH溶液反應(yīng)生成氫氣 | |
D. | A、B、C三種元素均可以與D元素形成共價(jià)化合物 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:推斷題
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