7．有關(guān)二氧化硫的正確敘述是　　 (　　 )

　 A.二氧化硫不能使溴水、高錳酸鉀溶液迅速褪色　 B.接觸法制硫酸的沸騰爐排出的爐氣中含

　 C.實驗室可用啟普發(fā)生器制取二氧化硫　　 D.用石灰水很容易區(qū)分二氧化碳和二氧化硫

答案： 7．B　 A項，SO₂有還原性，能使溴水、高錳酸鉀溶液褪色，B項沸騰爐反應(yīng)為：(正確)，C項Na₂SO₄　 為粉末狀，不可用啟普發(fā)生器，D項都可使石灰水變渾濁

6．為了方便某些化學(xué)計算，有人將98%的濃硫酸表示成下列形式，其中合理的是　　 (　　 )

答案：　 6．A、D H₂SO₄:H₂O的物質(zhì)的量

5．飄塵是物質(zhì)燃燒時產(chǎn)生的粒狀漂浮物，顆粒很小，不易沉降，它與空氣中SO₂、O₂接觸時，SO₂會部分轉(zhuǎn)化為SO₃,使空氣的酸度增加，飄塵所起的作用可能是　　 (　　 )

　 ①氧化劑；②還原劑；③催化劑；④吸附劑

　 A.①②　　 B.①　　 C.①③　 　D.③④

答案： 5．D

4．接觸法制硫酸時接觸室里有一個熱交換器，關(guān)于它的作用比較確切的說法是　　 (　　 )

　 A.給催化劑加熱

　 B.把反應(yīng)生成的熱傳遞給需要預(yù)熱的反應(yīng)混合物

　 C.為了提高反應(yīng)溫度，讓水蒸氣通過熱交換器

　 D.為了充分利用余熱，讓冷水通過熱交換器

答案： 4．B

3．FeS₂在空氣中充分燃燒的化學(xué)方程式為，若agFeS₂在空氣中充分燃燒，并轉(zhuǎn)移N個電子，則阿伏加德羅常數(shù)(N₂)可表示為　　 (　　 )

　 A．120N／a　　 B．120a／llN　　 C．1la／120N　　 D．120N／lla

答案： 3．D

2．接觸法制硫酸中沒有涉及的設(shè)備是　　 (　　 )

　A.沸騰爐　　 B.合成塔　　 C.吸收塔　　 D.接觸室

答案： 2．B

1．接觸法制硫酸的沸騰爐出來的爐氣必須經(jīng)過凈化處理，其正確過程是　　 (　　 )

　　 A．洗滌、干燥、除塵　　 B.干燥、除塵、洗滌

　　 C.除塵、洗滌、干燥　　 D．除去硒和砷的化合物

答案：1．C　 從沸騰爐出來的爐氣中含有SO₂、O₂、N₂水蒸氣以及一些雜質(zhì)，如砷、硒等的化合物和礦塵等。雜質(zhì)和礦塵都會使催化劑中毒，水蒸氣對設(shè)備和生產(chǎn)也有不利影響，因此對爐氣必須進行除塵、洗滌、干燥。

25．(1)中學(xué)教材上圖示了NaCl晶體結(jié)構(gòu)，它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO(氧化鎳)晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相同，Na⁺ 與最鄰近的O^2-的核間距離為cm，計算NiO晶體的密度。(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74．7g／mol)

(2)天然的和大部分人工晶體都存在各種缺陷，例如在某種NiO晶體中就存在如下圖所示的缺陷：一個Ni²⁺空缺，另有兩個Ni²⁺被兩個　　 所代替，其結(jié)果晶體仍呈電中性。但化合物中Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成為Ni_0.97O，試計算該晶體中 Ni³⁺與Ni²⁺的離子數(shù)之比。

答案：25.

24．(8分)已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點數(shù)據(jù)如下表：

物質(zhì)	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
熔點/	2852	2072	714
沸點	3600	2980	1420	182.7

　 請參考上述數(shù)據(jù)，填空和回答下列問題。

　 (1)22業(yè)上用電解熔融MgCl₂­的方法生產(chǎn)金屬鎂，電解A1₂0₃與冰晶石熔融混合物的方法生產(chǎn)鋁。

　　 為什么不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂，也不用電解A1C1₃的方法生產(chǎn)鋁?

　 (2)設(shè)計可靠的實驗，證明MgCl₂、AlCl₃所屬的晶體類型，其實驗方法是　　　　　　　　　 　.

答案：24．(1)MgO的熔點很高，熔化需消耗大量能量，故不用電解MgO的方法制Mg.AlCl₃屬于共價化合物，形成分子晶體，在熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電

　 (2)先使MgCl₂、AlCl₃熔化成熔融狀態(tài)，然后再根據(jù)其導(dǎo)電性，能夠?qū)щ姷臑镸gCl₂，屬離子晶體，不能導(dǎo)電的為AlCl₃，為分子晶體

　 潛能測試

23．(12分)有A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大。C、D都能分別與A按原子個數(shù)比為1：1或2：1形成化合物；C、B可與EA₂反應(yīng)生成C₂ A 和氣態(tài)物質(zhì)EB₄ ；E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍。　　

　　 (1)寫出這五種元素的名稱：A　　　　　　　 ，B　　　　　　　 ，C　　　　　　　 ，D　　　　　　　 　,E　　　　　　　 。

　　 (2)畫出E的原子結(jié)構(gòu)示意圖　　　　　　　 。寫出電子式　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　。

　　 (3)比較EA₂ 與EB₄ 的熔點高低(填化學(xué)式)　　　　　　　 >　　　　　　　 。(2分)

(4)寫出D單質(zhì)與Cu804溶液反應(yīng)的離子方程式　　　　　　　　　　　　　　 。(2分)

答案：23．(1)A氧　 B氟　 C氫　 D鈉　 E硅

(3)

　 本題突破點為E，M層電子數(shù)是K層電子數(shù)2倍，故E應(yīng)為Si，且可知EA₂為SiO₂，氣態(tài)EB₂為SiF₄，則有　 ，則C為H，A為O，C、D分別與A形成原子個數(shù)比1：1或2：1化合物，可判為H₂O₂、Na₂O